本申請公開了一種散射參數去嵌方法、裝置及設備，涉及半導體技術領域。該方法包括：獲取n個去嵌測試結構件；根據第一導納和第二導納，構造得到第一ABCD矩陣和第二ABCD矩陣；根據第三導納、第四導納和n條傳輸線中各傳輸線的長度，構造得到n個第三ABCD矩陣；第三導納為單位長度傳輸線對應的等效π型電路中單位長度傳輸線與地之間的導納，第四導納為單位長度傳輸線的導納；根據第一ABCD矩陣、第二ABCD矩陣和n個第三ABCD矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的ABCD矩陣，并將待測器件的ABCD矩陣轉換為散射參數。根據本申請實施例，能夠更為高效、靈活地實現散射參數去嵌，從而能夠有效提升整體散射參數去嵌效率和精度。
【技術實現步驟摘要】
本申請屬于半導體，尤其涉及一種散射參數去嵌方法、裝置及設備。
技術介紹
1、通常情況下，由于dut(device?under?test，被測器件)的特性不可直接被測，因此需要外接接頭或通過傳輸線連接到pad(焊盤)構成原始器件。其中，pad則通常指的是芯片上的焊盤或接觸點。dut和上述互連結構共同構成原始器件，再與測量設備相連進行具體測試。
2、在實際測試過程中，通常需要對原始器件進行散射參數(scatteringparameters，s參數)去嵌處理，以便得到所需的符合dut特性的散射參數。去嵌是將原始器件消除掉互連結構部分得到dut的過程，因此需要通過測試與計算得到這些互連結構的信息。然而，目前在對原始器件進行散射參數去嵌處理時，往往存在散射參數去嵌效率低、靈活性較差且準確度低下的問題。
3、基于此，業界仍然亟待一種新型的散射參數去嵌方案，以便更為高效靈活地實現對原始器件的散射參數去嵌，從而能夠得到更加精準的dut散射參數。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種散射參數去嵌方法、裝置及設備，能夠更為高效、靈活地實現散射參數去嵌，從而能夠有效提升整體散射參數去嵌效率和精度。
2、第一方面，本申請實施例提供一種散射參數去嵌方法，該散射參數去嵌方法包括：
3、獲取n個去嵌測試結構件，各去嵌測試結構件包括第一gsg焊盤、第二gsg焊盤以及傳輸線，傳輸線用于連接間隔設置的第一gsg焊盤和第二gsg焊盤，n為大于或等于2的正整數；
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p>4、根據第一導納和第二導納，構造得到第一gsg焊盤對應的第一abcd矩陣和第二gsg焊盤對應的第二abcd矩陣；第一導納為第一gsg焊盤中g焊盤與s焊盤之間的導納或者第二gsg焊盤中g焊盤與s焊盤之間的導納，第二導納為傳輸線與第一gsg焊盤中s焊盤之間的導納或者傳輸線與第二gsg焊盤中s焊盤之間的導納；5、根據第三導納、第四導納和n條傳輸線中各傳輸線的長度，構造得到與n條傳輸線一一對應的n個第三abcd矩陣；第三導納為單位長度傳輸線對應的等效π型電路中單位長度傳輸線與地之間的導納，第四導納為單位長度傳輸線的導納，單位長度傳輸線為傳輸線劃分得到的目標單位長度的傳輸線路，n條傳輸線與n個去嵌測試結構件一一對應；
6、根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣和n個第三abcd矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的abcd矩陣，并將待測器件的abcd矩陣轉換為散射參數。
7、在一些可能的實施方式中，根據第一導納和第二導納，構造得到第一gsg焊盤對應的第一abcd矩陣和第二gsg焊盤對應的第二abcd矩陣，包括：
8、根據第一導納和第二導納，構造得到第一abcd矩陣為：
9、其中，y1為第一導納，y2為第二導納；
10、根據第一導納和第二導納，構造得到第二abcd矩陣為：
11、
12、在一些可能的實施方式中，根據第三導納、第四導納和n條傳輸線中各傳輸線的長度，構造得到與n條傳輸線一一對應的n個第三abcd矩陣，包括：
13、根據第三導納和第四導納，構造得到目標傳輸線對應的第三abcd矩陣為：
14、
15、其中，y3為第三導納，y4為第四導納；l0為目標單位長度，l為目標傳輸線的長度，目標傳輸線為n條傳輸線中的任一條傳輸線。
16、在一些可能的實施方式中，在根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣和n個第三abcd矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的abcd矩陣，并將待測器件的abcd矩陣轉換為散射參數之前，該散射參數去嵌方法還包括：
17、獲取n個去嵌測試結構件和原始器件的散射參數，原始器件中包括待測器件；
18、將n個去嵌測試結構件的散射參數分別轉換為abcd矩陣，得到與n個去嵌測試結構件一一對應的n個第四abcd矩陣；以及，將原始器件的散射參數轉換為abcd矩陣，得到第五abcd矩陣；
19、根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣和n個第三abcd矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的abcd矩陣，并將待測器件的abcd矩陣轉換為散射參數，包括：
20、根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣、n個第三abcd矩陣、n個第四abcd矩陣和第五abcd矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的abcd矩陣，并將待測器件的abcd矩陣轉換為散射參數。
21、在一些可能的實施方式中，根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣、n個第三abcd矩陣、n個第四abcd矩陣和第五abcd矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的abcd矩陣，包括：
22、根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣、n個第三abcd矩陣和n個第四abcd矩陣，構造得到n個第一目標方程組；
23、根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣和第五abcd矩陣，構造得到第二目標方程組；
24、根據n個第一目標方程組，求解得到第一導納、第二導納、第三導納和第四導納的導納值；
25、根據第一導納、第二導納、第三導納和第四導納的導納值，求解第二目標方程組得到待測器件的abcd矩陣。
26、在一些可能的實施方式中，根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣、n個第三abcd矩陣和n個第四abcd矩陣，構造得到n個第一目標方程組，包括：
27、根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣、n個第三abcd矩陣中的第i個第三abcd矩陣和n個第四abcd矩陣中的第i個第四abcd矩陣，構造得到n個第一目標方程組中的第i個第一目標方程組為：
28、
29、其中，i的取值為2至n范圍內的任意整數；[mi]為第i個第四abcd矩陣，[pleft]為第一abcd矩陣，[pright]為第二abcd矩陣，為第i個第三abcd矩陣。
30、在一些可能的實施方式中，根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣和第五abcd矩陣，構造得到第二目標方程組，包括：
31、根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣和第五abcd矩陣，構造得到第二目標方程組為：
32、[araw]＝[pleft]×[lleft]×[adut]×[lright]×[pright]
33、其中，[araw]為第五abcd矩陣，[pleft]為第一abcd矩陣，[pright]為第二abcd矩陣，[adut]為待測器件的abcd矩陣；[lleft]為第六abcd矩陣，第六abcd矩陣為原始器件中第一長度的傳輸線對應的abcd矩陣；[lright]為第七abcd矩陣，第七abcd矩陣為原始器件中第二長度的傳輸線對應的abcd矩陣，第一長度lleft與第二長度lright的和為原始器件中傳輸線的總長度。
34、在一些可能的實施方式中，在根據第一abcd矩陣、第二abcd矩陣和第五abcd矩陣，構造得到第二目標方程組之前，該散射參數去嵌方法還包括本文檔來自技高網
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【技術保護點】
1.一種散射參數去嵌方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據第一導納和第二導納，構造得到所述第一GSG焊盤對應的第一ABCD矩陣和所述第二GSG焊盤對應的第二ABCD矩陣，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據第三導納、第四導納和n條所述傳輸線中各所述傳輸線的長度，構造得到與所述n條所述傳輸線一一對應的n個第三ABCD矩陣，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根據所述第一ABCD矩陣、所述第二ABCD矩陣和所述n個第三ABCD矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的ABCD矩陣，并將所述待測器件的ABCD矩陣轉換為散射參數之前，所述方法還包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一ABCD矩陣、所述第二ABCD矩陣、所述n個第三ABCD矩陣、所述n個第四ABCD矩陣和所述第五ABCD矩陣，求解得到去嵌后的所述待測器件的ABCD矩陣，包括：
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一ABCD矩陣、所述第二ABCD矩陣、所述n個第三ABCD矩陣和所述n個第四ABCD矩陣，構造得到n個第一目標方程組，包括：
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一ABCD矩陣、所述第二ABCD矩陣和所述第五ABCD矩陣，構造得到第二目標方程組，包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述根據所述第一ABCD矩陣、所述第二ABCD矩陣和所述第五ABCD矩陣，構造得到第二目標方程組之前，所述方法還包括：
9.一種散射參數去嵌裝置，其特征在于，所述裝置包括：
10.一種散射參數去嵌設備，其特征在于，所述設備包括：處理器以及存儲有計算機程序指令的存儲器；
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【技術特征摘要】
1.一種散射參數去嵌方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據第一導納和第二導納，構造得到所述第一gsg焊盤對應的第一abcd矩陣和所述第二gsg焊盤對應的第二abcd矩陣，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據第三導納、第四導納和n條所述傳輸線中各所述傳輸線的長度，構造得到與所述n條所述傳輸線一一對應的n個第三abcd矩陣，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根據所述第一abcd矩陣、所述第二abcd矩陣和所述n個第三abcd矩陣，求解得到去嵌后的待測器件的abcd矩陣，并將所述待測器件的abcd矩陣轉換為散射參數之前，所述方法還包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一abcd矩陣、所述第二abcd矩陣、所述n個第三abcd矩陣、所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：洪浩，
申請(專利權)人：蘇州華太電子技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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