【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請屬于光刻，尤其涉及一種三維掩膜圖形的預測方法、裝置、設備、介質(zhì)及產(chǎn)品。
技術介紹
1、光學鄰近修正(optical?proximity?correction，opc)是一種光刻分辨率增強技術。opc主要在半導體器件的生產(chǎn)過程中使用。在光刻工藝中，掩膜上的圖形通過曝光系統(tǒng)投影在光刻膠上，由于光學系統(tǒng)的不完善性和衍射效應，光刻膠上的圖形和掩模上的圖形不完全一致。這些失真如果不糾正，可能大大改變生產(chǎn)出來的電路的電氣性能。opc就是使用計算方法對掩膜上的圖形做修正，使得投影到光刻膠上的圖形盡量符合設計要求。目前的反向光刻技術采用的掩膜模型大多是曼哈頓(manhattan)掩模模型，具體基于掩膜上的原始圖形預測出曝光投影在光刻膠上的實際圖形，再根據(jù)所需圖形對掩膜上的原始圖形做修正。
2、但manhattan掩模模型預測的圖形由水平和豎直的直線構成，而在實際制造掩模時用電子束照射形成圖形的邊緣并不是平直的，而是彎曲有弧度的，這使得實際的掩模與opc計算中的掩模圖形存在偏差，模型預測的圖形會不準確，從而導致得到的掩膜圖形投影到光刻膠上之后，光刻膠上的圖形不滿足實際需求。
技術實現(xiàn)思路
1、本申請實施例提供一種三維掩膜圖形的預測方法、裝置、設備、介質(zhì)及產(chǎn)品，能夠提高圖形預測的準確性，從而使得光刻膠上的圖形能夠滿足實際需求。
2、一方面，本申請實施例提供一種三維掩膜圖形的預測方法，包括：
3、獲取輪廓點集合；所述輪廓點集合中的各輪廓點用于形成掩膜上的原始圖形
4、基于所述輪廓點集合，確定目標光源通過所述掩膜后的二維掩膜圖形；
5、獲取所述原始圖形周圍預設區(qū)域內(nèi)的多個目標像素點；
6、確定所述目標像素點與所述原始圖形之間的目標法線；
7、基于所述目標法線在各標準方向上的投影分量，確定所述目標光源通過所述掩膜后總衍射場以及二維衍射場；各所述標準方向能組成任意方向的所述目標法線；
8、根據(jù)所述總衍射場以及所述二維衍射場的對比結果，確定三維衍射場；
9、基于所述三維衍射場修正所述二維掩膜圖形中的輪廓，預測所述三維掩膜圖形。
10、另一方面，所述標準方向為四個，相鄰的兩個所述標準方向均相差90°。
11、另一方面，所述基于所述輪廓點集合，確定目標光源通過所述掩膜后的二維掩膜圖形，包括：
12、基于所述輪廓點集合中的各所述輪廓點，形成曲線掩膜二值圖形；
13、基于所述曲線掩膜二值圖形，確定所述二維掩膜圖形。
14、另一方面，所述基于所述輪廓點集合中的各所述輪廓點，形成曲線掩膜二值圖形，包括：
15、以每相鄰的三個所述輪廓點生成一段二次b樣條曲線；
16、基于各所述二次b樣條曲線，形成所述曲線掩膜二值圖形。
17、另一方面，所述基于所述曲線掩膜二值圖形，確定所述二維掩膜圖形，包括：
18、將所述曲線掩膜二值圖形變換至頻域空間，得到第一頻域數(shù)據(jù)；
19、去除所述第一頻域數(shù)據(jù)中的高頻信息，得到第二頻域數(shù)據(jù)；
20、將所述第二頻域數(shù)據(jù)變換回實域空間，得到所述二維掩膜圖形。
21、另一方面，所述基于所述輪廓點集合，確定目標光源通過所述掩膜后的二維掩膜圖形，包括：
22、基于所述輪廓點集合中的各所述輪廓點，形成水平和豎直的目標直線；
23、基于各所述目標直線，構成所述二維掩膜圖形。
24、另一方面，在所述基于所述三維衍射場修正所述二維掩膜圖形中的輪廓，預測所述三維掩膜圖形之后，所述方法還包括：
25、基于所述三維掩膜圖形以及實際所需的目標圖形，調(diào)整所述輪廓點集合中的各所述輪廓點的數(shù)量和/或位置，以使所述三維掩膜圖形趨近于所述目標圖形。
26、再一方面，本申請實施例提供了一種三維掩膜圖形的預測設備，包括：處理器以及存儲有計算機程序指令的存儲器；
27、所述處理器執(zhí)行所述計算機程序指令時實現(xiàn)如上所述的三維掩膜圖形的預測方法。
28、再一方面，本申請實施例提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序指令，所述計算機程序指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上所述的三維掩膜圖形的預測方法。
29、再一方面，本申請實施例提供了一種計算機程序產(chǎn)品，所述計算機程序產(chǎn)品中的指令由電子設備的處理器執(zhí)行時，使得所述電子設備執(zhí)行如上所述的三維掩膜圖形的預測方法。
30、本申請實施例提供的一種三維掩膜圖形的預測方法，在計算三維掩膜圖形時，先確定出二維掩膜圖形，然后基于標準方向的投影分量組成各目標像素點對應的目標法線，進而確定目標光源通過掩膜后的總衍射場以及二維衍射場。本申請實施例所提方案，通過將各標準方向作為投影分量進行組合，可以連續(xù)地表征從0°到360°的任意方向的目標法線，從而近似得到實際曲線的效果。可見，本申請采用了曲線掩膜，能夠更好貼近物理現(xiàn)實以及具有更高的優(yōu)化自由度，從而使得其相對于曼哈頓掩模具有更大的工藝窗口與更小的圖形失真，曲線掩模還能夠顯著降低掩模制造階段的工藝變化帶寬。
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1.一種三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述標準方向為四個，相鄰的兩個所述標準方向均相差90°。
3.根據(jù)權利要求1所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述輪廓點集合，確定目標光源通過所述掩膜后的二維掩膜圖形，包括：
4.根據(jù)權利要求3所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述輪廓點集合中的各所述輪廓點，形成曲線掩膜二值圖形，包括：
5.根據(jù)權利要求3或4所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述曲線掩膜二值圖形，確定所述二維掩膜圖形，包括：
6.根據(jù)權利要求1所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述輪廓點集合，確定目標光源通過所述掩膜后的二維掩膜圖形，包括：
7.根據(jù)權利要求1所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，在所述基于所述三維衍射場修正所述二維掩膜圖形中的輪廓，預測所述三維掩膜圖形之后，所述方法還包括：
8.一種三維掩膜圖形的預測設備，其特征在于，包括：處理器以及
9.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序指令，所述計算機程序指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權利要求1至7任意一項所述的三維掩膜圖形的預測方法。
10.一種計算機程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計算機程序產(chǎn)品中的指令由電子設備的處理器執(zhí)行時，使得所述電子設備執(zhí)行如權利要求1至7任意一項所述的三維掩膜圖形的預測方法。
...【技術特征摘要】
1.一種三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述標準方向為四個，相鄰的兩個所述標準方向均相差90°。
3.根據(jù)權利要求1所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述輪廓點集合，確定目標光源通過所述掩膜后的二維掩膜圖形，包括：
4.根據(jù)權利要求3所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述輪廓點集合中的各所述輪廓點，形成曲線掩膜二值圖形，包括：
5.根據(jù)權利要求3或4所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述曲線掩膜二值圖形，確定所述二維掩膜圖形，包括：
6.根據(jù)權利要求1所述的三維掩膜圖形的預測方法，其特征在于，所述基于所述輪廓點...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：陳錫恒，
申請(專利權)人：深圳晶源信息技術有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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