【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及電力電子，特別是一種功率因數(shù)校正封裝器件和電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、功率因數(shù)校正(pfc)技術(shù)可以有效減小電網(wǎng)電流諧波，降低對(duì)電網(wǎng)的干擾，并提高整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。隨著系統(tǒng)功率的增大，相關(guān)技術(shù)中，常采用多路交錯(cuò)式boostpfc拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。多路交錯(cuò)式boost?pfc拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以降低電感和開關(guān)的電流應(yīng)力，也可以降低電容的紋波電流。然而，多路交錯(cuò)式boost?pfc拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的各個(gè)器件較多，其存在走線以及安裝不便，并且，容易出現(xiàn)電磁干擾。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本申請(qǐng)需要提供一種功率因數(shù)校正封裝器件和電子設(shè)備。
2、本申請(qǐng)實(shí)施方式的功率因數(shù)校正封裝器件，包括襯底和封裝于所述襯底上的第一升壓電路、第二升壓電路、強(qiáng)電引腳和弱電引腳；所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳分別位于所述襯底上相對(duì)的兩側(cè)，所述第一升壓電路和所述第二升壓電路均與所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳連接。
3、在某些實(shí)施方式中，所述強(qiáng)電引腳包括第一輸入引腳和輸出引腳，所述弱電引腳包括第一控制引腳和第一接地引腳，所述第一升壓電路包括：
4、第一開關(guān)晶體管，所述第一開關(guān)晶體管的第一極連接所述第一接地引腳，所述第一開關(guān)晶體管的控制極連接所述第一控制引腳；
5、第一二極管，所述第一二極管的正極連接所述第一開關(guān)晶體管的第一極，所述第一二極管的負(fù)極連接所述第一開關(guān)晶體管的第二極；
6、第二二極管，所述第二二極管的正極連接所述第
7、在某些實(shí)施方式中，所述第一開關(guān)晶體管包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或絕緣柵雙極晶體管中的一種。
8、在某些實(shí)施方式中，所述第二二極管包括硅快恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管中的一種。
9、在某些實(shí)施方式中，所述強(qiáng)電引腳包括第二輸入引腳和輸出引腳，所述弱電引腳包括第二控制引腳和第二接地引腳，所述第二升壓電路包括：
10、第二開關(guān)晶體管，所述第二開關(guān)晶體管的第一極連接所述第二接地引腳，所述第二開關(guān)晶體管的控制極連接所述第二控制引腳；
11、第三二極管，所述第三二極管的正極連接所述第二開關(guān)晶體管的第一極，所述第三二極管的負(fù)極連接所述第二開關(guān)晶體管的第二極；
12、第四二極管，所述第四二極管的正極連接所述第二開關(guān)晶體管的第二極和所述第二輸入引腳，所述第四二極管的負(fù)極連接所述輸出引腳。
13、在某些實(shí)施方式中，所述第二開關(guān)晶體管包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或絕緣柵雙極晶體管中的一種。
14、在某些實(shí)施方式中，所述第四二極管包括硅快恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管中的一種。
15、在某些實(shí)施方式中，所述弱電引腳還包括第一檢測引腳和第二檢測引腳，所述功率因素校正封裝器件還包括:
16、熱敏電阻，封裝于所述襯底上，并分別第一檢測引腳和第二檢測引腳連接。
17、在某些實(shí)施方式中，所述第一升壓電路、所述第二升壓電路、所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳通過雙列直插式工藝封裝于所述襯底上。
18、本申請(qǐng)實(shí)施方式的電子設(shè)備，包括上述任一實(shí)施方式的功率因數(shù)校正封裝器件。
19、本申請(qǐng)實(shí)施方式的功率因數(shù)校正封裝器件和電子設(shè)備中，通過將第一升壓電路、第二升壓電路封裝集成于襯底上，而形成一個(gè)器件，如此，在保證功率因數(shù)校正減小了器件數(shù)量，便于安裝和走線，并且，可以節(jié)省占用空間，顯著降低生產(chǎn)成本，而強(qiáng)電引腳和弱電引腳分別位于襯底上相對(duì)的兩側(cè)能夠避免強(qiáng)弱電交叉，從而降低了電磁干擾，保證了工作的穩(wěn)定性。
20、本申請(qǐng)的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請(qǐng)的實(shí)踐了解到。
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1.一種功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，包括襯底和封裝于所述襯底上的第一升壓電路、第二升壓電路、強(qiáng)電引腳和弱電引腳；所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳分別位于所述襯底上相對(duì)的兩側(cè)，所述第一升壓電路和所述第二升壓電路均與所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述強(qiáng)電引腳包括第一輸入引腳和輸出引腳，所述弱電引腳包括第一控制引腳和第一接地引腳，所述第一升壓電路包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或絕緣柵雙極晶體管中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述第二二極管包括硅快恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述強(qiáng)電引腳包括第二輸入引腳和輸出引腳，所述弱電引腳包括第二控制引腳和第二接地引腳，所述第二升壓電路包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述第二開關(guān)晶體管包括金屬-氧化物半
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述第四二極管包括硅快恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述弱電引腳包括第一檢測引腳和第二檢測引腳，所述功率因素校正封裝器件還包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述第一升壓電路、所述第二升壓電路、所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳通過雙列直插式工藝封裝于所述襯底上。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的功率因素校正封裝器件。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，包括襯底和封裝于所述襯底上的第一升壓電路、第二升壓電路、強(qiáng)電引腳和弱電引腳；所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳分別位于所述襯底上相對(duì)的兩側(cè)，所述第一升壓電路和所述第二升壓電路均與所述強(qiáng)電引腳和所述弱電引腳連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述強(qiáng)電引腳包括第一輸入引腳和輸出引腳，所述弱電引腳包括第一控制引腳和第一接地引腳，所述第一升壓電路包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述第一開關(guān)晶體管包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或絕緣柵雙極晶體管中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述第二二極管包括硅快恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正封裝器件，其特征在于，所述強(qiáng)電引腳包...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蘇宇泉，徐錦清，周亞州，黃釗渝，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：美墾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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