【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及紅外探測器，尤其涉及一種甚長波紅外探測器及其背面增透薄膜制備方法。
技術介紹
1、紅外探測器是現代遙感技術、航空航天以及軍事應用中不可或缺的關鍵組件。隨著科學技術的進步，特別是在光譜探測和空間探測領域，對于能夠探測波長大于或等于12微米的甚長波紅外(vlwir)輻射的需求日益增長。甚長波紅外探測器因其在氣象監測、地球觀測、環境科學研究以及其它空間紅外系統中的重要作用而備受關注。
2、在眾多的紅外探測器材料中，碲鎘汞(hgcdte,mct)因其獨特的性質而成為制備紅外探測器的理想選擇。通過調節材料中鎘(cd)的組分比例，可以實現從短波到甚長波的紅外波段全覆蓋。這使得碲鎘汞探測器在多個應用領域中展現了卓越的性能。
3、然而，傳統的n-on-p結構的碲鎘汞探測器在實際應用中存在汞空位導致的電子壽命降低，暗電流增加等問題，限制了器件的整體性能。為了克服這些限制，近年來，p-on-n結構的碲鎘汞探測器因其較低的暗電流、穩定的材料晶格結構和較少的溫度依賴性而逐漸成為研究熱點。
4、在p-on-n結構的碲鎘汞探測器中，一個關鍵的技術問題是如何有效地減少紅外輻射在探測器背面的反射損失，從而提高探測器的靈敏度。背面增透薄膜(backsideanti-reflection?coating,ar?coating)技術正是針對這一問題的關鍵技術手段之一。合適的背面增透薄膜設計不僅可以減少反射，還可以增加進入探測器的有效光量，從而提高探測器的吸收效率和響應度。
5、但是，相關制備甚長波紅外探測
技術實現思路
1、本專利技術提供一種甚長波紅外探測器及其背面增透薄膜制備方法，解決了如何提高甚長波紅外探測器的背面增透薄膜抗反射效果的問題。
2、為達到上述目的，本申請采用如下技術方案：
3、第一方面，提供一種甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，包括：
4、基于鍍膜設備，將待鍍碲鎘汞探測器和陪片放置在夾具上；
5、以硫化鋅和氟化鐿為薄膜材料，利用所述鍍膜設備進行工藝設定，通過設定工藝制備多層交替結構的背增透薄膜；
6、對所述陪片進行光學測試，以評估薄膜的質量；對碲鎘汞探測器進行性能測試。
7、在第一方面的第一種可能的實現方式中，所述薄膜材料為透明波段在1微米至20微米、折射率為2.26的硫化鋅和透明波段在0.6微米至16微米的氟化鐿。
8、基于第一方面的第一種可能的實現方式，在第一方面的第二種可能的實現方式中，背增透薄膜的總厚度為
9、基于第一方面的第二種可能的實現方式，在第一方面的第三種可能的實現方式中，所述背增透薄膜的膜系結構為1.468h0.523l0.739h1.309l。
10、在第一方面的第四種可能的實現方式中，所述工藝包括蒸發法和濺射法。
11、基于第一方面的第四種可能的實現方式，在第一方面的第五種可能的實現方式中，所述蒸發法包括熱蒸發和/或電子束蒸發。
12、基于第一方面的第五種可能的實現方式，在第一方面的第六種可能的實現方式中，利用熱蒸發工藝蒸發硫化鋅、氟化鐿制備背增透薄膜。
13、基于第一方面的第五種可能的實現方式，在第一方面的第七種可能的實現方式中，利用電子束蒸發工藝蒸發硫化鋅、氟化鐿制備背增透薄膜。
14、基于第一方面的第五種可能的實現方式，在第一方面的第八種可能的實現方式中，利用電子束蒸發工藝蒸發硫化鋅，利用熱蒸發工藝蒸發氟化鐿制備背增透薄膜。
15、第二方面，提供一種甚長波紅外探測器，10、所述探測器的背面增透薄膜采用如第一方面所述的制備方法制備。
16、本申請采用硫化鋅和氟化鐿材料制備的甚長波碲鎘汞探測器背面增透薄膜，不僅能夠顯著提高探測器的光學性能，還能確保其在多種環境條件下的可靠性和穩定性，使得探測器在遙感探測、航天航空、環境監測等領域具有更高的實用價值。具體來說：
17、本申請采用多層薄膜的結構，兩種材料的透明波段互補，可以在更寬波段范圍(12μm以上的甚長波紅外區域)顯著提高入射光的透射率，減少反射損失；通過優化不同折射率材料的層疊結構，可以實現對特定波長范圍內的光的高效減反射，實現更寬波段范圍的抗反射效果，從而提高探測器的靈敏度和響應度。
18、本申請制備的薄膜表面光潔，均勻性高，一致性好，同等制備條件下相比于傳統方法不易出現瑕疵，均勻性高的薄膜可以確保在整個探測器表面上的光學性能一致，避免局部性能差異帶來的影響，因此有助于減少散射損失，提高探測器的整體性能。
19、本申請通過優化制備工藝，可以確保薄膜與基底的良好粘附性，防止在使用過程中出現薄膜脫落的問題，增強了探測器的可靠性，減少了由于薄膜缺陷導致的故障風險。
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1.甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求5所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
7.根據權利要求6所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
8.根據權利要求6所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
9.根據權利要求6所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
10.甚長波紅外探測器，其特征在于，所述探測器的背面增透薄膜采用如權利要求1-9任一項所述的制備方法制備。
【技術特征摘要】
1.甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的甚長波紅外探測器背面增透薄膜制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：任秀娟，范葉霞，崔戈，戴永喜，王鵬，趙凱，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發明
國別省市：
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