【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及神經微電極，具體為一種支架電極及其制備方法。
技術介紹
1、目前由于侵入式腦機接口容易對大腦造成不可逆的損傷，并且并發癥的風險相對較高，可能包括感染和出血。synchron公司開發的血管植入的腦機接口裝置，通過使用血管作為通往大腦的導管，消除了開顱手術相關的風險，以及在患者顱骨上產生的侵入性鉆孔，同時也消除了用非侵入性頭皮電極觀察到的電流噪音和運動相關的偽影，為微創式腦機接口技術奠定基礎。
2、1.針對strentrode電極目前只有16個電極，對于信號采集及其穩定性有一定的局部性，其次strentrode電極價格昂貴，導線采用焊接工藝較為復雜，并且對焊接設備要求較高。
3、2.此外，連接電極導線的布置較為復雜，能夠滿足焊接工藝的導線的最小直徑在50um，不利于在小尺寸微型化基礎上做更多的電極。
4、3.strentrode的支架通過頸靜脈插入到僅僅只能到達上矢狀竇上矢狀竇，對于深部核團區域受限于支架本身的限制。
5、4.由于每個電極點的引線是獨立的一根導線，隨著電極觸點的增加，導線的增多，增加器件的體積，且線與線之間相互纏結，不適用于不同大小的神經束，基于該方法加工重復性較差，難以批量化生產。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種支架電極及其制備方法，至少可以解決現有技術中的部分缺陷。
2、為實現上述目的，本專利技術實施例提供如下技術方案：一種支架電極，包括形變部，所述形變部具有交織形成網狀結構的
3、進一步，所述導體包括金屬線，所述金屬線通過絕緣層敷設于所述線體上。
4、進一步，所述絕緣層通過膠水粘貼在所述線體上。
5、進一步，所述導體匯聚為一根并導出至所述形變部外，且所述導體遠離所述形變部一端設有焊接點，所述焊接點與cmos處理電路焊接。
6、進一步，所述線體的材質為形狀記憶合金或形狀記憶聚合物。
7、進一步，所述線體彎曲形成管狀結構。
8、本專利技術實施例提供另一種技術方案：一種支架電極的制備方法，包括如下步驟：
9、s1，制備絕緣層，
10、s2，在所述絕緣層上制作導體，
11、s3，在所述導體上制作電極，
12、s4，在所述絕緣層背離所述導體的一側制作形變部，以獲得第一半成品結構，
13、s5，對所述第一半成品結構進行開孔處理，以獲得第二半成品結構，所述第二半成品結構具有若干導體、若干電極以及呈網狀結構的形變部；
14、s6，將所述第二半成品結構彎曲形成管狀結構。
15、進一步，在制作所述絕緣層前，先于襯底上制作介質層，再于所述介質層上制作所述絕緣層。
16、進一步，在制作所述形變部前，先于所述絕緣層上制作膠水層，再將所述形變部粘接在所述膠水層上。
17、進一步，采用旋涂、光刻、顯影、pvd、蒸鍍、liftoff以及刻蝕工藝將所述電極制作在所述導體上。
18、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：
19、1、通過在形變部上設電極，能夠打破電極數量的限制，可以做到更高的通道，且用于導出電極信號的導體設在形變部上，導體布線較為簡單，可以避免導線的互相纏結。
20、2、采用一體化制備工藝制作本電極支架，能夠使電極和導體一體化，可以根據具體臨床需求調節電極和導線的尺寸大小。
21、3、形成管狀結構的支架電極能夠植入到目標血管，對腦深部核團進行信號采集與電刺激雙向作用，實現對相應的神經起到調節功能。
22、4、通過將導體的pad直接與cmos處理電路進行焊接，可以實現神經信號的實時、快速、準確的提取與雙向刺激，以最大限度的降低傳輸損耗和減小噪聲信號，從而保證穩定無損的信號傳輸。
23、5、基于mems工藝一體化，將電極和導體與其他支架基底材料實現連接，并且可以基于薄膜沉積工藝沉積pt/au/tin等一系列生物相容性電極。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種支架電極，其特征在于：包括形變部，所述形變部具有交織形成網狀結構的線體，所述網狀結構的交織處設有電極，所述電極連通有導體，所述導體敷設于所述形變部上并由所述形變部的邊沿導出至所述形變部外。
2.如權利要求1所述的支架電極，其特征在于：所述導體包括金屬線，所述金屬線通過絕緣層敷設于所述線體上。
3.如權利要求2所述的支架電極，其特征在于：所述絕緣層通過膠水粘貼在所述線體上。
4.如權利要求1所述的支架電極，其特征在于：所述導體匯聚為一根并導出至所述形變部外，且所述導體遠離所述形變部一端設有焊接點，所述焊接點與CMOS處理電路焊接。
5.如權利要求1所述的支架電極，其特征在于：所述線體的材質為形狀記憶合金或形狀記憶聚合物。
6.如權利要求1所述的支架電極，其特征在于：所述線體彎曲形成管狀結構。
7.一種支架電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
8.如權利要求7所述的支架電極的制備方法，其特征在于：在制作所述絕緣層前，先于襯底上制作介質層，再于所述介質層上制作所述絕緣層。
9.
10.如權利要求7所述的支架電極的制備方法，其特征在于：采用旋涂、光刻、顯影、PVD、蒸鍍、liftoff以及刻蝕工藝將所述電極制作在所述導體上。
...【技術特征摘要】
1.一種支架電極，其特征在于：包括形變部，所述形變部具有交織形成網狀結構的線體，所述網狀結構的交織處設有電極，所述電極連通有導體，所述導體敷設于所述形變部上并由所述形變部的邊沿導出至所述形變部外。
2.如權利要求1所述的支架電極，其特征在于：所述導體包括金屬線，所述金屬線通過絕緣層敷設于所述線體上。
3.如權利要求2所述的支架電極，其特征在于：所述絕緣層通過膠水粘貼在所述線體上。
4.如權利要求1所述的支架電極，其特征在于：所述導體匯聚為一根并導出至所述形變部外，且所述導體遠離所述形變部一端設有焊接點，所述焊接點與cmos處理電路焊接。
5.如權利要求1所述的支架電極，其特征在于：所述線體...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃立，黃晟，何貽寧，楊鄧飛，童貝，周宇，黃玉釗，
申請(專利權)人：武漢衷華腦機融合科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。