【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及單晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及一種單晶硅的生長控制方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、在單晶硅的拉晶工藝中，熱場是單晶爐內(nèi)的溫度場，直接影響單晶硅的生長速度、質(zhì)量和穩(wěn)定性，熱場的設(shè)計對單晶硅的生長質(zhì)量至關(guān)重要。
2、相關(guān)技術(shù)，在單晶硅的生長過程中，依賴人工測量確定單晶硅的生長情況，并調(diào)整熱場的參數(shù)，通過人工進行測量和參數(shù)調(diào)節(jié)，存在誤差大的問題，進而導(dǎo)致單晶硅質(zhì)量較差。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對上述技術(shù)問題，提供一種單晶硅的生長控制方法、裝置、計算機設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，能夠提升單晶硅的質(zhì)量。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N單晶硅的生長控制方法，包括：
3、在單晶硅的生長過程中，采集熱場的環(huán)境信息和單晶硅的生長圖像；依據(jù)環(huán)境信息確定熱場分布數(shù)據(jù)；通過控制模型對生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到調(diào)整策略；依據(jù)調(diào)整策略調(diào)整熱場的生長參數(shù)。
4、在一些實施例中，采集熱場的環(huán)境信息和單晶硅的生長圖像，包括：通過熱場的非接觸式的多維傳感器陣列，采集熱場的環(huán)境信息和單晶硅的生長圖像；多維傳感器陣列包括溫度傳感器、距離傳感器和圖像傳感器；環(huán)境信息包括：通過溫度傳感器采集的溫度信息和通過距離傳感器采集間距信息。
5、在一些實施例中，控制模型包括預(yù)測模塊和決策模塊；通過控制模型對生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到調(diào)整策略，包括：通過預(yù)測模塊對生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到預(yù)測生長圖像；通過決策模塊對預(yù)
6、在一些實施例中，通過預(yù)測模塊對生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到預(yù)測生長圖像，包括：將生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)輸入至預(yù)測模塊中，在預(yù)測模塊中對生成圖像進行識別，得到生長界面輪廓圖；并對生長界面輪廓圖和熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到預(yù)測生長圖像。
7、在一些實施例中，調(diào)整策略包括功率調(diào)整策略和位置調(diào)整策略；依據(jù)調(diào)整策略調(diào)整熱場的生長參數(shù)，包括：依據(jù)功率調(diào)整策略調(diào)整熱場的加熱元件的功率；依據(jù)位置調(diào)整策略調(diào)整加熱元件對應(yīng)的位置。
8、在一些實施例中，方法還包括：通過異常檢測模型，對環(huán)境信息和單晶硅的生長圖像進行處理，得到異常預(yù)測分值；在異常預(yù)測分值符合預(yù)警條件的情況下，發(fā)出預(yù)警信息。
9、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N單晶硅的生長控制裝置，包括：
10、采集模塊，用于在單晶硅的生長過程中，采集熱場的環(huán)境信息和單晶硅的生長圖像；
11、數(shù)據(jù)確定模塊，用于依據(jù)環(huán)境信息確定熱場分布數(shù)據(jù)；
12、策略確定模塊，用于通過控制模型對生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到調(diào)整策略；
13、調(diào)整模塊，用于依據(jù)調(diào)整策略調(diào)整熱場的生長參數(shù)。
14、第三方面，本申請還提供一種計算機設(shè)備，所述計算機包括：處理器，以及與所述處理器通信連接的存儲器；
15、所述存儲器存儲計算機執(zhí)行指令；
16、所述處理器執(zhí)行所述存儲器存儲的計算機執(zhí)行指令時實現(xiàn)上述方法。
17、第四方面，本申請還提供一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機執(zhí)行指令，所述計算機執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時用于實現(xiàn)上述方法。
18、第五方面，本申請還提供一種計算機程序產(chǎn)品，包括計算機執(zhí)行指令，所述計算機執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)上述方法。
19、本申請?zhí)峁┑囊环N單晶硅的生長控制方法、裝置、計算機設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，在單晶硅的生長過程中，實時采集熱場的環(huán)境信息和單晶硅的生長圖像，依據(jù)環(huán)境信息確定熱場分布數(shù)據(jù)，通過控制模型對生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到調(diào)整策略，依據(jù)調(diào)整策略調(diào)整熱場的生長參數(shù)；在單晶硅的生長過程中，控制模型根據(jù)當前的生長圖像和熱場分布數(shù)據(jù)，確定調(diào)整策略，進而對單晶硅生長過程中的生長參數(shù)進行調(diào)整，以使得單晶硅后續(xù)可以按照預(yù)期生長，并且此過程可以自動執(zhí)行，不需要人工參與，降低了人工引入的錯誤，提升了單晶生長控制的可靠性，進而提升了單晶硅的質(zhì)量。
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1.一種單晶硅的生長控制方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集熱場的環(huán)境信息和所述單晶硅的生長圖像，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述控制模型包括預(yù)測模塊和決策模塊；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述通過所述預(yù)測模塊對所述生長圖像和所述熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到預(yù)測生長圖像，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述調(diào)整策略包括功率調(diào)整策略和位置調(diào)整策略；
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.一種單晶硅的生長控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：
8.一種計算機設(shè)備，其特征在于，包括：處理器，以及與所述處理器通信連接的存儲器；
9.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機執(zhí)行指令，所述計算機執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時用于實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6任一項所述的方法。
10.一種計算機程序產(chǎn)品，其特征在于，包括計算機執(zhí)行指令，所述計算機
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種單晶硅的生長控制方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集熱場的環(huán)境信息和所述單晶硅的生長圖像，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述控制模型包括預(yù)測模塊和決策模塊；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述通過所述預(yù)測模塊對所述生長圖像和所述熱場分布數(shù)據(jù)進行處理，得到預(yù)測生長圖像，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述調(diào)整策略包括功率調(diào)整策略和位置調(diào)整策略；
6.根據(jù)權(quán)利要求...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：顏林，喬樂，武輝，付明全，徐志群，
申請(專利權(quán))人：四川高景太陽能科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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