【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，涉及但不限于一種芯片分選設(shè)備及芯片分選方法。
技術(shù)介紹
1、芯片分選(die?sorting)是芯片封裝過(guò)程中一個(gè)關(guān)鍵步驟，需要對(duì)芯片分選并快速分出不同等級(jí)芯片，提高機(jī)臺(tái)的單位時(shí)間晶圓產(chǎn)出(wafer?per?hour，wph)，以及用于后續(xù)例如芯片—晶圓混合鍵合(die?to?wafer?hybrid?bonding)取得近似同一等級(jí)的封裝芯片。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片分選設(shè)備及芯片分選方法。
2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片分選設(shè)備，該芯片分選設(shè)備包括：測(cè)試裝置，用于對(duì)待選晶圓的多個(gè)待選芯片進(jìn)行測(cè)試并獲取多個(gè)待選芯片的測(cè)試結(jié)果；測(cè)試結(jié)果用于表征多個(gè)待選芯片分類為多個(gè)不同等級(jí)的芯片；取盤裝置，用于根據(jù)測(cè)試結(jié)果將一待選晶圓的不同等級(jí)的芯片按照不同等級(jí)轉(zhuǎn)移至與不同等級(jí)對(duì)應(yīng)的多個(gè)載體晶圓；載盤組件，用于接收取盤裝置轉(zhuǎn)移的一待選晶圓的多個(gè)不同等級(jí)的芯片；載盤組件用于放置多個(gè)載體晶圓；一載體晶圓用于放置同一等級(jí)的芯片；出料端口，用于放置第一晶圓盒；第一晶圓盒用于接收載盤組件轉(zhuǎn)移的多個(gè)載體晶圓；一載體晶圓放置有同一等級(jí)的芯片。
3、在一些實(shí)施例中，載盤組件包括行星載盤組件；行星載盤組件包括：第一支撐結(jié)構(gòu)，包括周向環(huán)繞間隔布置多個(gè)端部；端部包括載物臺(tái)面；載物臺(tái)面設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)；吸附結(jié)構(gòu)用于吸附載體晶圓；第一轉(zhuǎn)動(dòng)結(jié)構(gòu)，用于周向轉(zhuǎn)動(dòng)載物臺(tái)面吸附的至少一載體晶圓至取盤裝置的轉(zhuǎn)移區(qū)域；其中，在轉(zhuǎn)移區(qū)域內(nèi)的一載體晶圓用于接收取
4、在一些實(shí)施例中，載盤組件包括垂直載盤組件；垂直載盤組件包括：第二支撐結(jié)構(gòu)，包括垂直層疊間隔布置多個(gè)端部；端部包括載物臺(tái)面；載物臺(tái)面設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)；吸附結(jié)構(gòu)用于吸附載體晶圓；升降結(jié)構(gòu)，用于垂直升降每一載物臺(tái)面吸附的載體晶圓至取盤裝置的載臺(tái)位置；第二轉(zhuǎn)動(dòng)結(jié)構(gòu)，用于周向轉(zhuǎn)動(dòng)每一載物臺(tái)面吸附的載體晶圓至取盤裝置的轉(zhuǎn)移區(qū)域；其中，在轉(zhuǎn)移區(qū)域內(nèi)且位于載臺(tái)位置處的每一載體晶圓用于接收取盤裝置轉(zhuǎn)移的同一等級(jí)的芯片。
5、在一些實(shí)施例中，芯片分選設(shè)備還包括：進(jìn)料端口，用于放置第二晶圓盒；第二晶圓盒用于承載待選晶圓；一待選晶圓包括多個(gè)待選芯片；第一轉(zhuǎn)盤裝置，用于從進(jìn)料端口取出待選晶圓并將待選晶圓放入測(cè)試裝置，以及將已測(cè)試的待選晶圓放入取盤裝置的轉(zhuǎn)移區(qū)域；第二轉(zhuǎn)盤裝置，用于從載盤組件取出放置有同一等級(jí)的芯片的每一載體晶圓并將每一載體晶圓放入第一晶圓盒。
6、在一些實(shí)施例中，第一轉(zhuǎn)盤裝置包括夾取組件；夾取組件包括不同尺寸的夾取框架，用于從進(jìn)料端口取出不同尺寸的待選晶圓并將待選晶圓放入測(cè)試裝置，以及，將已測(cè)試的不同尺寸的待選晶圓放入取盤裝置的轉(zhuǎn)移區(qū)域。
7、在一些實(shí)施例中，測(cè)試結(jié)果包括待選芯片位于待選晶圓上的坐標(biāo)數(shù)據(jù)、待選芯片的電學(xué)特性或者待選芯片的外觀特性至少其中之一。
8、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片分選設(shè)備，該芯片分選設(shè)備包括：測(cè)試裝置，用于對(duì)待選晶圓的多個(gè)待選芯片進(jìn)行測(cè)試并獲取多個(gè)待選芯片的測(cè)試結(jié)果；測(cè)試結(jié)果用于表征多個(gè)待選芯片分類為多個(gè)不同等級(jí)的芯片；載盤組件，用于放置已測(cè)試的多個(gè)待選晶圓；取盤裝置，用于根據(jù)測(cè)試結(jié)果將多個(gè)待選晶圓的屬于同一等級(jí)的芯片轉(zhuǎn)移至至少一載體晶圓；進(jìn)料出料端口，用于放置第一晶圓盒和第二晶圓盒；第一晶圓盒用于在第一時(shí)段接收載盤組件轉(zhuǎn)移的多個(gè)載體晶圓；一載體晶圓放置有同一等級(jí)的芯片；進(jìn)料出料端口，還用于放置第二晶圓盒；第二晶圓盒用于在第二時(shí)段承載待選晶圓；一待選晶圓包括多個(gè)待選芯片；第二時(shí)段與第一時(shí)段為不同的時(shí)間段。
9、在一些實(shí)施例中，載盤組件包括行星載盤組件；行星載盤組件包括：支撐結(jié)構(gòu)，包括周向環(huán)繞間隔布置多個(gè)端部；端部包括載物臺(tái)面；載物臺(tái)面設(shè)置有吸附結(jié)構(gòu)；吸附結(jié)構(gòu)用于吸附載體晶圓；轉(zhuǎn)動(dòng)結(jié)構(gòu)，用于周向轉(zhuǎn)動(dòng)載物臺(tái)面吸附的至少一載體晶圓至取盤裝置的轉(zhuǎn)移區(qū)域；其中，在轉(zhuǎn)移區(qū)域內(nèi)的一載體晶圓用于接收取盤裝置轉(zhuǎn)移的同一等級(jí)的芯片。
10、在一些實(shí)施例中，芯片分選設(shè)備還包括：第一轉(zhuǎn)盤裝置，用于從進(jìn)料出料端口取出待選晶圓并將待選晶圓放入測(cè)試裝置，以及，將已測(cè)試的待選晶圓放入載盤組件；第一轉(zhuǎn)盤裝置，還用于從載盤組件取出放置有同一等級(jí)的芯片的每一載體晶圓并將每一載體晶圓放入第一晶圓盒。
11、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片分選方法，該芯片分選方法包括：對(duì)待選晶圓的多個(gè)待選芯片進(jìn)行測(cè)試并獲取多個(gè)待選芯片的測(cè)試結(jié)果；測(cè)試結(jié)果用于表征多個(gè)待選芯片分類為多個(gè)不同等級(jí)的芯片；根據(jù)測(cè)試結(jié)果將一待選晶圓的不同等級(jí)的芯片按照不同等級(jí)轉(zhuǎn)移至與不同等級(jí)對(duì)應(yīng)的多個(gè)載體晶圓；依次測(cè)試一待選晶圓以及將一待選晶圓的芯片轉(zhuǎn)移；或者，依次測(cè)試多個(gè)待選晶圓；根據(jù)多個(gè)測(cè)試結(jié)果將多個(gè)待選晶圓的屬于同一等級(jí)的芯片轉(zhuǎn)移至至少一載體晶圓。
12、在一些實(shí)施例中，獲取多個(gè)待選芯片的測(cè)試結(jié)果，包括：獲取待選芯片的電學(xué)特性或者待選芯片的外觀特性至少其中之一；根據(jù)待選芯片的電學(xué)特性或者待選芯片的外觀特性至少其中之一獲取綜合良率；根據(jù)綜合良率與預(yù)設(shè)值進(jìn)行比較獲取比較結(jié)果；其中，比較結(jié)果的不同用于表征多個(gè)待選芯片分類為多個(gè)不同等級(jí)的芯片。
13、在一些實(shí)施例中，獲取多個(gè)待選芯片的測(cè)試結(jié)果，還包括：獲取待選芯片位于待選晶圓上的坐標(biāo)數(shù)據(jù)。
14、本申請(qǐng)各實(shí)施例中，通過(guò)將一待選晶圓的多個(gè)不同等級(jí)的芯片按照不同等級(jí)轉(zhuǎn)移至與不同等級(jí)對(duì)應(yīng)的多個(gè)載體晶圓；或者，通過(guò)將多個(gè)待選晶圓的屬于同一等級(jí)的芯片轉(zhuǎn)移至至少一載體晶圓；可以對(duì)芯片進(jìn)行分選并可以快速分出不同等級(jí)芯片，提高機(jī)臺(tái)的單位時(shí)間晶圓產(chǎn)出，優(yōu)化后續(xù)工藝步驟。
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1.一種芯片分選設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述載盤組件包括行星載盤組件；所述行星載盤組件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述載盤組件包括垂直載盤組件；所述垂直載盤組件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述芯片分選設(shè)備還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述第一轉(zhuǎn)盤裝置包括夾取組件；所述夾取組件包括不同尺寸的夾取框架，用于從所述進(jìn)料端口取出不同尺寸的所述待選晶圓并將所述待選晶圓放入所述測(cè)試裝置，以及，將已測(cè)試的不同尺寸的所述待選晶圓放入所述取盤裝置的轉(zhuǎn)移區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述測(cè)試結(jié)果包括所述待選芯片位于所述待選晶圓上的坐標(biāo)數(shù)據(jù)、所述待選芯片的電學(xué)特性或者所述待選芯片的外觀特性至少其中之一。
7.一種芯片分選設(shè)備，其特征在于，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述載盤組件包括行星載盤組件；所述行星載盤組件包
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述芯片分選設(shè)備還包括：
10.一種芯片分選方法，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片分選方法，其特征在于，獲取所述多個(gè)待選芯片的測(cè)試結(jié)果，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的芯片分選方法，其特征在于，獲取所述多個(gè)待選芯片的測(cè)試結(jié)果，還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片分選設(shè)備，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述載盤組件包括行星載盤組件；所述行星載盤組件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述載盤組件包括垂直載盤組件；所述垂直載盤組件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述芯片分選設(shè)備還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片分選設(shè)備，其特征在于，所述第一轉(zhuǎn)盤裝置包括夾取組件；所述夾取組件包括不同尺寸的夾取框架，用于從所述進(jìn)料端口取出不同尺寸的所述待選晶圓并將所述待選晶圓放入所述測(cè)試裝置，以及，將已測(cè)試的不同尺寸的所述待選晶圓放入所述取盤裝置的轉(zhuǎn)移區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馮泳強(qiáng)，謝冬，葉琴，昝鑫，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：湖北星辰技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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