【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及鍍膜設備，具體為一種多室磁控多層光學鍍膜設備及方法。
技術介紹
1、磁控濺射的工作原理是指電子在電場e的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。
2、目前，目前市面上主流磁控濺射機采用單腔、雙腔或者多腔室設計，分固定鼓和可動鼓傳片設計，一般這類設備生產節奏慢，產能較小，效率低，而且由于生產不連貫，生產環境的差異，真空環境不穩定，導致產品的一致性差。
3、基于此，本專利技術設計了一種多室磁控多層光學鍍膜設備及方法，以解決上述問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種多室磁控多層光學鍍膜設備及方法，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：
3、一種多室磁控多層光學鍍膜設備及方法，包括主容器，所述主容器設置有多個用于對鍍膜件進行鍍膜的鍍膜室，所述主容器包括工件轉換室和輸送線，所述工件轉換室設置有進料側和出料側，所述輸送線上設置有用于架設多個所述鍍膜件的料架筒，所述進料側和所述出料側之間設置有用于輸送料架筒的輸送線，所述主容器內集成有用于配合輸送線輸送所述料架筒的內輸送架，所述進料側和所述出料側至少設置有一個預處理室，所述工件轉換室的剩余四周設置有多個所述鍍膜室，所述工件轉換室中心設置有用于升降至
4、優選的，所述工件轉換室為四面體，所述預處理室包括進料預處理室、第一出料預處理室和第二出料預處理室，所述工件轉換室的右側面和后側面分別設置有一個所述鍍膜室，所述工件轉換室的前側面設置有用于進料的進料預處理室，所述工件轉換室的左側面依次設置有第一出料預處理室和第二出料預處理室。
5、優選的，所述真空密閉組件包括轉換室鎖門組件和真空開合門組件，所述工件轉換室與四周的各個腔室連通處設置的真空密閉組件為轉換室鎖門組件，相鄰預處理室之間以及進料口和出料口均設置有所述真空密閉組件進行密封。
6、優選的，所述真空開合門組件采用側滑門驅動結構。
7、優選的，所述轉換室鎖門組件采用升降驅動結構，具體包括用于隔絕密封的轉換真空門和用于帶動轉換真空門升降的側升降機，所述側升降機設置在所述工件轉換室頂部。
8、優選的，所述中心升降組件包括升降料盤、引導柱和中心升降機，所述引導柱設置多根且內置在所述工件轉換室四角位置，所述升降料盤整體豎直滑動安裝在多根所述引導柱上并用于向上托起所述料架筒，所述升降料盤內嵌在所述內輸送架底部，所述工件轉換室頂部設置有用于提拉所述升降料盤的中心升降機。
9、優選的，每個所述鍍膜室和所述預處理室頂部均設置有旋轉組件，所述料架筒的頂部設置有用于配合旋轉組件卡接的對接組件，所述料架筒的中心軸位置設置有固定銷組件，所述鍍膜室和所述預處理室內底部均設置有卡接所述底部的旋轉支撐機構。
10、優選的，所述料架筒包括所述固定銷組件，所述固定銷組件的頂部和底部均輻射設置有多個支架，支架的外端頭通過卡接著所述鍍膜件。
11、本專利技術的另一目的在于提供：一種多室磁控多層光學鍍膜方法，具體包括如下步驟：
12、步驟一：先由進料側的預處理室對料架筒4上的鍍膜件43進行離子表面處理和熱處理；
13、步驟二：然后進入工件轉換室11并通過中心升降組件提升至上部，其中一個鍍膜室12鍍膜完成后通過工件轉換室11將料架筒4送出至出料側的預處理室后出料；
14、步驟三：待鍍膜的料架筒4下降并送入空置的鍍膜室12；
15、步驟四：中心升降組件無暫存料架筒4時，重新由進料側的預處理室輸送進未鍍膜的料架筒4，依次循環生產。
16、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：本專利技術在鍍膜件進入鍍膜室鍍膜前均進行了真空隔離，且設置了多個鍍膜室配合預處理室，可以在內部真空密閉空間內進行等待的連續作業，通過中心升降組件可以很好的配合多個鍍膜室的進出料動作，可有效改善各鍍膜室之間的真空穩定性，從而改善鍍膜后工件膜層性能的一致性，提高工件鍍膜質量，同時大幅提升單機鍍膜產能。
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1.一種多室磁控多層光學鍍膜設備，包括主容器（1），所述主容器（1）設置有多個用于對鍍膜件（43）進行鍍膜的鍍膜室（12），其特征在于：所述主容器（1）包括工件轉換室（11）和輸送線（2），所述工件轉換室（11）設置有進料側和出料側，所述輸送線（2）上設置有用于架設多個所述鍍膜件（43）的料架筒（4），所述進料側和所述出料側之間設置有用于輸送料架筒（4）的輸送線（2），所述主容器（1）內集成有用于配合輸送線（2）輸送所述料架筒（4）的內輸送架，所述進料側和所述出料側至少設置有一個預處理室，所述工件轉換室（11）的剩余四周設置有多個所述鍍膜室（12），所述工件轉換室（11）中心設置有用于升降至少一個所述料架筒（4）的中心升降組件，所述主容器（1）的每個腔室均配備有真空抽吸組件，相鄰腔室均設置有真空密閉組件。
2.根據權利要求1所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述工件轉換室（11）為四面體，所述預處理室包括進料預處理室（10）、第一出料預處理室（13）和第二出料預處理室（14），所述工件轉換室（11）的右側面和后側面分別設置有一個所述鍍膜室（12），所述工
3.根據權利要求1所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述真空密閉組件包括轉換室鎖門組件和真空開合門組件（15），所述工件轉換室（11）與四周的各個腔室連通處設置的真空密閉組件為轉換室鎖門組件，相鄰預處理室之間以及進料口和出料口均設置有所述真空密閉組件進行密封。
4.根據權利要求3所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述真空開合門組件（15）采用側滑門驅動結構。
5.根據權利要求3所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述轉換室鎖門組件采用升降驅動結構，具體包括用于隔絕密封的轉換真空門（62）和用于帶動轉換真空門（62）升降的側升降機（63），所述側升降機（63）設置在所述工件轉換室（11）頂部。
6.根據權利要求1所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述中心升降組件包括升降料盤（6）、引導柱（60）和中心升降機（61），所述引導柱（60）設置多根且內置在所述工件轉換室（11）四角位置，所述升降料盤（6）整體豎直滑動安裝在多根所述引導柱（60）上并用于向上托起所述料架筒（4），所述升降料盤（6）內嵌在所述內輸送架底部，所述工件轉換室（11）頂部設置有用于提拉所述升降料盤（6）的中心升降機（61）。
7.根據權利要求1所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：每個所述鍍膜室（12）和所述預處理室頂部均設置有旋轉組件（16），所述料架筒（4）的頂部設置有用于配合旋轉組件（16）卡接的對接組件（42），所述料架筒（4）的中心軸位置設置有固定銷組件（41），所述鍍膜室（12）和所述預處理室內底部均設置有卡接所述（4）底部的旋轉支撐機構。
8.根據權利要求6所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述料架筒（4）包括所述固定銷組件（41），所述固定銷組件（41）的頂部和底部均輻射設置有多個支架，支架的外端頭通過（40）卡接著所述鍍膜件（43）。
9.一種多室磁控多層光學鍍膜方法，根據權利要求1-8任一所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：具體包括如下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種多室磁控多層光學鍍膜設備，包括主容器（1），所述主容器（1）設置有多個用于對鍍膜件（43）進行鍍膜的鍍膜室（12），其特征在于：所述主容器（1）包括工件轉換室（11）和輸送線（2），所述工件轉換室（11）設置有進料側和出料側，所述輸送線（2）上設置有用于架設多個所述鍍膜件（43）的料架筒（4），所述進料側和所述出料側之間設置有用于輸送料架筒（4）的輸送線（2），所述主容器（1）內集成有用于配合輸送線（2）輸送所述料架筒（4）的內輸送架，所述進料側和所述出料側至少設置有一個預處理室，所述工件轉換室（11）的剩余四周設置有多個所述鍍膜室（12），所述工件轉換室（11）中心設置有用于升降至少一個所述料架筒（4）的中心升降組件，所述主容器（1）的每個腔室均配備有真空抽吸組件，相鄰腔室均設置有真空密閉組件。
2.根據權利要求1所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述工件轉換室（11）為四面體，所述預處理室包括進料預處理室（10）、第一出料預處理室（13）和第二出料預處理室（14），所述工件轉換室（11）的右側面和后側面分別設置有一個所述鍍膜室（12），所述工件轉換室（11）的前側面設置有用于進料的進料預處理室（10），所述工件轉換室（11）的左側面依次設置有第一出料預處理室（13）和第二出料預處理室（14）。
3.根據權利要求1所述的一種多室磁控多層光學鍍膜設備，其特征在于：所述真空密閉組件包括轉換室鎖門組件和真空開合門組件（15），所述工件轉換室（11）與四周的各個腔室連通處設置的真空密閉組件為轉換室鎖門組件，相鄰預處理室之間以及進料口和出料口均設置有所述真空密閉組件進行密封。
4.根據權利要求3所述的一種多室磁控多層...
【專利技術屬性】
技術研發人員：盧娟，
申請(專利權)人：科潤真空深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：
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