【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種封裝結構以及封裝方法。
技術介紹
1、在當今科技飛速發展的時代，芯片在高性能計算、人工智能、通信領域等發揮著關鍵作用。隨著人們對計算能力、數據處理速度和智能化需求的不斷提升，芯片的功耗也在不斷地增加。
2、在一些復雜的系統中，可能需要將多個芯片、模塊集成在一個封裝內，以實現更高的性能和功能集成度。然而現有的芯片制造技術在散熱方面存在限制，使得在一個封裝內設置多個芯片受到了限制。
3、如何減小芯片的封裝尺寸，并使芯片獲得良好的散熱效果和性能成了目前亟需解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術實施例解決的問題是提供一種封裝結構以及封裝方法，以減小封裝結構的尺寸，并提高封裝結構的散熱效果和性能。
2、為解決上述問題，本專利技術實施例提供一種封裝結構，包括：第一基板，包括第一面，所述第一面上鍵合有一個或多個第一芯片；第二基板，堆疊于所述第一基板的第一面上，所述第二基板包括朝向所述第一面的第二面，以及與所述第二面相背設置的第三面，所述第三面上鍵合有一個或多個第二芯片；第一散熱結構，位于所述第一基板和第二基板之間，且分別與所述第一基板和第二基板連接。
3、相應的，本專利技術實施例還提供一種封裝方法，包括：提供第一基板和第二基板，所述第一基板包括第一面，所述第一面上鍵合有一個或多個第一芯片，所述第二基板包括相背設置的第二面和第三面；將所述第二基板的第二面朝向所述第一基板的第一面，并將所述第二基板堆疊
4、與現有技術相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下優點：
5、本專利技術實施例提供的封裝結構中，包括：第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板和第二基板之間的第一散熱結構，第一基板的第一面上鍵合有一個或多個第一芯片，所述第一散熱結構分別與所述第一基板和第二基板連接，使得在第一芯片工作時，所述第一散熱結構能夠將所述第一芯片所產生的熱量傳導至所述第一基板和第二基板，以便通過第一基板和第二基板實現散熱，提高了所述第一芯片的散熱性能，從而有利于提高所述第一芯片的性能，進而也有利于提高封裝結構的性能。
6、本專利技術實施例提供的封裝方法中，提供第一基板和第二基板，所述第一基板的第一面上鍵合有第一芯片，將所述第二基板的第二面朝向所述第一基板的第一面，并將所述第二基板堆疊于所述第一基板的第一面上，以及設置位于所述第一基板和第二基板之間的第一散熱結構，所述第一散熱結構分別與所述第一基板和第二基板連接，使得在第一芯片工作時，所述第一散熱結構能夠將所述第一芯片所產生的熱量傳導至所述第一基板和第二基板，以便通過第一基板和第二基板實現散熱，提高了所述第一芯片的散熱性能，從而有利于提高所述第一芯片的性能，進而也有利于提高封裝結構的性能。
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1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一基板和第二基板中的一者或兩者中具有第一偽布線結構，在所述第一基板中具有所述第一偽布線結構的情況下，所述第一面暴露所述第一偽布線結構位于所述第一面一側的第一連接端，在所述第二基板中具有所述第一偽布線結構的情況下，所述第二面暴露所述第一偽布線結構位于所述第二面一側的第一連接端；
3.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬連接件的材料包括銅。
4.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一散熱結構還包括：導熱塑封層，填充于所述第一基板和第二基板之間，且所述導熱塑封層覆蓋所述金屬連接件的側壁。
5.如權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述導熱塑封層的材料包括含有氧化鋁的環氧塑封料。
6.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一芯片每一側的金屬連接件的數量為多個，且所述金屬連接件分立設置在所述第一芯片的周圍。
7.如權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬連接件在所述第一芯片周圍呈矩陣排布，或者，
8.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一芯片一側的金屬連接件的數量為多個，相鄰的所述金屬連接件之間的間距大于50微米。
9.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一芯片一側的金屬連接件與所述第一芯片之間的距離大于50微米。
10.如權利要求1～9中任一所述的封裝結構，其特征在于，所述第二基板中具有第一偽布線結構，所述第三面暴露所述第一偽布線結構位于所述第三面一側的第二連接端；
11.如權利要求10所述的封裝結構，其特征在于，所述散熱引腳的底部具有一個或多個凹口；
12.如權利要求1～9中任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述第一基板中具有第二偽布線結構，所述第一面暴露所述第二偽布線結構位于所述第一面一側的第三連接端；所述第一芯片位于所述第二偽布線結構上方，且所述第一芯片的部分引腳與所述第三連接端相鍵合；
13.如權利要求1～9中任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括板間連接件，位于所述第一基板和第二基板之間，且位于所述第一散熱結構側部，所述板間連接件分別與所述第一基板和第二基板電連接。
14.如權利要求13所述的封裝結構，其特征在于，所述板間連接件包括導電凸塊、導電柱和轉接板中的一種或多種。
15.一種封裝方法，其特征在于，包括：
16.如權利要求15所述的封裝方法，其特征在于，在提供所述第一基板和第二基板的步驟中，所述第一基板和第二基板中的一者或兩者中具有第一偽布線結構，且所述第一基板的第一面上或者第二基板的第二面上設置有金屬連接件；
17.如權利要求15或16所述的封裝方法，其特征在于，在提供所述第二基板的步驟中，所述第二基板中具有第一偽布線結構，所述第三面暴露所述第一偽布線結構位于所述第三面一側的第二連接端；
18.如權利要求17所述的封裝方法，其特征在于，所述散熱引腳的底部具有一個或多個凹口；
19.如權利要求15或16所述的封裝方法，其特征在于，在提供所述第一基板和第二基板的步驟中，所述第一基板中具有第二偽布線結構，所述第一面暴露所述第二偽布線結構位于所述第一面一側的第三連接端，所述第二基板中具有第三偽布線結構，所述第三面暴露所述第三偽布線結構位于所述第三面一側的第四連接端，所述第一芯片位于所述第二偽布線結構上方，且所述第一芯片的部分引腳與所述第三連接端相鍵合；
20.如權利要求15或16所述的封裝方法，其特征在于，將所述第二基板堆疊于所述第一基板的第一面上的步驟包括：
21.如權利要求20所述的封裝方法，其特征在于，設置位于所述第一基板和第二基板之間的第一散熱結構的步驟包括：通過所述板間連接件使所述第二基板鍵合于所述第一基板上之后，在所述第一基板和第二基板之間填充導熱塑封層，所述導熱塑封層覆蓋所述金屬連接件的側壁以及所述板間連接件的側壁，所述導熱塑封層作為所述第一散熱結構。
22.如權利要求21所述的封裝方法，其特征在于，在提供所述第二基板的步驟中，提供多個第二基板，每一個所述第二基板包括一個單元結構；
23.如權利要求22所述的封裝方法，其特征在于，對所述第一基板和導熱塑封層進行切割處理之后，在所述第二基板的第三面上鍵合一個或多個第二芯片。
24.如權利要求2...
【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一基板和第二基板中的一者或兩者中具有第一偽布線結構，在所述第一基板中具有所述第一偽布線結構的情況下，所述第一面暴露所述第一偽布線結構位于所述第一面一側的第一連接端，在所述第二基板中具有所述第一偽布線結構的情況下，所述第二面暴露所述第一偽布線結構位于所述第二面一側的第一連接端；
3.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬連接件的材料包括銅。
4.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一散熱結構還包括：導熱塑封層，填充于所述第一基板和第二基板之間，且所述導熱塑封層覆蓋所述金屬連接件的側壁。
5.如權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述導熱塑封層的材料包括含有氧化鋁的環氧塑封料。
6.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一芯片每一側的金屬連接件的數量為多個，且所述金屬連接件分立設置在所述第一芯片的周圍。
7.如權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬連接件在所述第一芯片周圍呈矩陣排布，或者，在所述第一芯片的任一側，所述金屬連接件包括橫向尺寸不同的第一型金屬連接件和第二型金屬連接件，所述第二型金屬連接件和第一型金屬連接件交錯排布。
8.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一芯片一側的金屬連接件的數量為多個，相鄰的所述金屬連接件之間的間距大于50微米。
9.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一芯片一側的金屬連接件與所述第一芯片之間的距離大于50微米。
10.如權利要求1～9中任一所述的封裝結構，其特征在于，所述第二基板中具有第一偽布線結構，所述第三面暴露所述第一偽布線結構位于所述第三面一側的第二連接端；
11.如權利要求10所述的封裝結構，其特征在于，所述散熱引腳的底部具有一個或多個凹口；
12.如權利要求1～9中任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述第一基板中具有第二偽布線結構，所述第一面暴露所述第二偽布線結構位于所述第一面一側的第三連接端；所述第一芯片位于所述第二偽布線結構上方，且所述第一芯片的部分引腳與所述第三連接端相鍵合；
13.如權利要求1～9中任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括板間連接件，位于所述第一基板和第二基板之間，且位于所述第一散熱結構側部，所述板間連接件分別與所述第一基板和第二基板電連接。
14.如權利要求13所述的封裝結構，其特征在于，所述板間連接件包括導電凸塊、導電柱和轉接板中的一種或多種。
15.一種封裝方法，其特征在于，包括：
16.如權利要求15所述的封裝方法，其特征在于，在提供所述第一基板和第二基板的步驟中，所述第一基板和第二基板中的一者或兩者中具有第一偽布線結構，且所述第一基板的第一面上或者第二基板的第二面上設置有金屬連接件；
17.如權利要求15或16所述的封裝方法，其特征在于，在提供所述第二基板的步驟中，所述第二基板...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙婧，
申請(專利權)人：江蘇長電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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