【技術實現步驟摘要】
本公開涉及發光器件領域，特別涉及一種發光二極管和發光二極管的制作方法。
技術介紹
1、發光二極管是一種半導體發光器件，可以應用在顯示、照明等顯示領域中。
2、由于發光二極管芯片內折射與反射等現象的存在，使得大部分發光二極管芯片的發光角度處于110°～150°之間。
3、隨著科技的發展，部分產品對發光二極管出光角度存在要求，要求其發光角度盡可能小，垂直于出光面方向的法向光強度盡可能高，但相關技術中的發光二極管結構無法滿足該要求。
技術實現思路
1、本公開實施例提供了一種發光二極管和發光二極管的制作方法，可以提升法向光強度。所述技術方案如下：
2、一方面，提供了一種發光二極管，所述發光二極管包括：
3、發光二極管芯片和位于所述發光二極管芯片的出光面的法向增透膜；
4、所述法向增透膜包括交替層疊的第一膜層和第二膜層，所述第一膜層為硅的氧化物膜層，所述第二膜層為鈦的氧化物膜層，所述第一膜層和所述第二膜層的總層數大于或等于16且小于或等于19。
5、示例性地，所述第一膜層為二氧化硅膜層，所述第二膜層為二氧化鈦膜層。
6、示例性地，所述第一膜層和所述第二膜層的總層數為19。
7、示例性地，所述法向增透膜的第一層和最后一層均為所述第一膜層。
8、示例性地，所述法向增透膜的19個膜層的厚度范圍分別為：
9、0.890×103～0.900×103埃、1.230×103～1.240×
10、示例性地，所述法向增透膜的19個膜層的厚度分別為：
11、0.894×103埃、1.237×103埃、0.816×103埃、1.140×103埃、0.769×103埃、1.216×103埃、0.709×103埃、1.233×103埃、0.752×103埃、1.136×103埃、0.809×103埃、1.223×103埃、1.074×103埃、0.220×103埃、3.142×103埃、0.767×103埃。
12、另一方面，提供了一種發光二極管的制作方法，所述方法包括：
13、制作發光二極管芯片；
14、在所述發光二極管芯片的出光面制作法向增透膜，所述法向增透膜包括交替層疊的第一膜層和第二膜層，所述第一膜層為硅的氧化物膜層，所述第二膜層為鈦的氧化物膜層，所述第一膜層和所述第二膜層的總層數大于或等于16且小于或等于19。
15、示例性地，所述第一膜層和所述第二膜層的總層數為19。
16、示例性地，在所述發光二極管芯片的出光面制作法向增透膜，包括：
17、采用3～6埃/秒的沉積速度沉積所述第一膜層，采用1～2埃/秒的沉積速度沉積所述第二膜層。
18、示例性地，所述采用3～6埃/秒的沉積速度沉積所述第一膜層，采用1～2埃/秒的沉積速度沉積所述第二膜層，包括：
19、采用3埃/秒的沉積速度沉積厚度小于0.800×103埃的所述第一膜層，采用6埃/秒的沉積速度沉積厚度不小于0.800×103埃的所述第一膜層，采用1.5埃/秒的沉積速度沉積所述第二膜層。
20、本公開實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：
21、在本公開實施例提供的發光二極管中，通過在發光二極管芯片的出光面覆蓋法向增透膜，其中法向增透膜由交替層疊的硅的氧化物膜層和鈦的氧化物膜層構成，且總層數限定在16至19層，上述結構能夠透射小角度(與法向夾角小)入射光、反射大角度(與法向夾角大)入射光，被反射的光線最終在芯片內部不斷反射直至低角度出射。因此，通過設置法向增透膜，能夠使得光線更多從法向射出，增強法向的出光強度。
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1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一膜層為二氧化硅膜層，所述第二膜層為二氧化鈦膜層。
3.根據權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述第一膜層和所述第二膜層的總層數為19。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的第一層和最后一層均為所述第一膜層。
5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的19個膜層的厚度范圍分別為：
6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的19個膜層的厚度分別為：
7.一種發光二極管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一膜層和所述第二膜層的總層數為19。
9.根據權利要求7或8所述的方法，其特征在于，在所述發光二極管芯片的出光面制作法向增透膜，包括：
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述采用3～6埃/秒的沉積速度沉積所
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一膜層為二氧化硅膜層，所述第二膜層為二氧化鈦膜層。
3.根據權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述第一膜層和所述第二膜層的總層數為19。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的第一層和最后一層均為所述第一膜層。
5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述法向增透膜(20)的19個膜層的厚度范圍分別為：
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【專利技術屬性】
技術研發人員：吳旭輝，牛艷萍，宋子健，葛俊飛，衛婷，王順，
申請(專利權)人：京東方華燦光電浙江有限公司，
類型：發明
國別省市：
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