【技術實現步驟摘要】
本申請涉及集成電路，尤其涉及一種射頻前端模組。
技術介紹
1、射頻前端模組廣泛應用于手機、物聯網、汽車智聯等無線通信領域。隨著5g技術的普及和物聯網的發展，射頻前端模組的市場需求不斷增長。射頻前端模組的損耗會對系統產生多方面的影響，包括信號質量下降、系統性能下降、能耗增加、影響覆蓋范圍、增加系統復雜度和導致系統不穩定等。因此，有必要提供一種可以減小損耗、提高系統性能的射頻前端模組。
技術實現思路
1、鑒于以上問題，本申請實施例提供射頻前端模組，以解決上述技術問題。
2、本申請實施例提供一種射頻前端模組，包括：
3、基板，包括沿第一方向依次設置的多個金屬層；
4、電感，包括至少一個電感繞線，所述電感繞線設置于所述金屬層上；
5、第一區域，設置于所述金屬層，所述第一區域為鋪設有地的區域；
6、其中，所述電感繞線在第一平面的第一投影和所述第一區域在所述第一平面的第二投影之間具有間隔，并且，所述第一投影和所述第二投影之間的最小距離大于或等于所述電感的寬度的0.5倍，其中，所述第一平面垂直于所述第一方向。
7、可選地，所述電感的寬度范圍為50μm～150μm。
8、可選地，所述第一投影和所述第二投影之間的最小距離大于或等于所述電感的寬度的0.7倍。
9、可選地，所述金屬層包括第一金屬層，所述電感繞線和所述第一區域設置于所述第一金屬層上，位于所述第一金屬層上的所述電感繞線和所述第一區域之間的距離為所
10、可選地，所述金屬層包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層和所述第三金屬層相鄰設置，所述第二金屬層設置有所述電感繞線，所述第三金屬層設置有所述第一區域，所述第二金屬層的所述電感繞線在所述第一平面的投影和所述第三金屬層的所述第一區域在所述第一平面的投影之間的距離為所述電感的寬度的0.8倍至1.6倍。
11、可選地，所述金屬層包括第四金屬層和第六金屬層，所述第四金屬層和所述第六金屬層不相鄰，所述第四金屬層設置有所述電感繞線，所述第六金屬層設置有所述第一區域，所述第四金屬層的所述電感繞線在所述第一平面的投影和所述第六金屬層的所述第一區域在所述第一平面的投影之間的距離為所述電感的寬度的0.7倍至1.4倍。
12、可選地，所述射頻前端模組還包括設置在所述基板上的射頻功率放大芯片和第二區域，其中，所述第二區域為鋪設有地的區域，所述射頻功率放大芯片中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地，所述第二區域在所述第一平面的第三投影與所述第一區域在所述第一平面的第二投影之間具有間隙。
13、可選地，所述第二區域在所述第一平面的第三投影與所述第一區域在所述第一平面的第二投影的最小距離大于或等于所述射頻功率放大芯片的工作頻段對應的波長的1/2。
14、可選地，所述射頻功率放大芯片在所述第一平面的第四投影與所述第二區域在所述第一平面的第三投影至少部分重合。
15、可選地，所述射頻前端模組還包括設置在所述基板上的輸出負載電路，所述輸出負載電路與所述射頻功率放大芯片的輸出端連接，所述輸出負載電路中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地。
16、可選地，所述輸出負載電路包括至少一個接地的匹配元件，所述匹配元件被配置通過所述第二區域接地。
17、可選地，所述匹配元件包括電容、電感或電阻。
18、可選地，所述輸出負載電路包括輸出變壓器，所述輸出變壓器的接地端被配置通過所述第二區域接地。
19、可選地，所述輸出負載電路包括第一電容、第一電感、第二電容、第二電感，所述第一電容的第一端與所述射頻功率放大芯片的輸出端連接，所述第一電容的第二端通過所述第一電感連接至信號輸出端，所述第二電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第二電感的第二端被配置通過所述第二區域接地，所述第二電容的第一端與所述第一電感的第二端連接，所述第二電感的第二端被配置通過所述第二區域接地。
20、本申請實施例提供的射頻前端模組，包括基板，包括沿第一方向依次設置的至少一層金屬層；電感，包括至少一個電感繞線，電感繞線設置于金屬層上；第一區域，設置于金屬層，第一區域為鋪設有地的區域；其中，電感繞線在第一平面的第一投影和第一區域在第一平面的第二投影之間具有間隔，并且，第一投影和第二投影之間的最小距離大于或等于電感的寬度的0.5倍，其中，第一平面垂直于第一方向；通過上述方式，不但可以避免電感的寬度過窄而降低電路的品質因子(q值)，還可以避免電感與第一區域之間的距離過近導致的射頻能量耦合到第一區域，從而減小了整體的損耗，提高了射頻前端模組的輸出效率。
21、本申請實施例提供一種射頻前端模組，包括：
22、載體，包括沿第一方向依次設置的多個金屬層；
23、電感，包括至少一個電感繞線，所述電感繞線設置于所述金屬層上；
24、第一區域，設置于所述金屬層，所述第一區域為鋪設有地的區域；
25、其中，所述電感繞線在第一平面的第一投影和所述第一區域在所述第一平面的第二投影之間具有間隔，并且，所述第一投影和所述第二投影之間的最小距離大于或等于所述電感的寬度的0.5倍，其中，所述第一平面垂直于所述第一方向。
26、可選地，所述第一投影和所述第二投影之間的最小距離大于或等于所述電感的寬度的0.7倍。
27、可選地，所述載體為芯片或者基板。
28、本申請實施例提供的射頻前端模組，包括載體，包括沿第一方向依次設置的多個金屬層；電感，包括至少一個電感繞線，電感繞線設置于金屬層上；第一區域，設置于金屬層，第一區域為鋪設有地的區域；其中，電感繞線在第一平面的第一投影和第一區域在第一平面的第二投影之間具有間隔，并且，第一投影和第二投影之間的最小距離大于或等于電感的寬度的0.5倍，其中，第一平面垂直于第一方向；通過上述方式，不但可以避免電感的寬度過窄而降低電路的品質因子(q值)，還可以避免電感與第一區域之間的距離過近導致的射頻能量耦合到第一區域，從而減小了整體的損耗，提高了射頻前端模組的輸出效率。
29、本申請實施例提供一種射頻前端模組，包括：
30、基板、及設置在所述基板上的射頻功率放大芯片、第一區域和第二區域；其中，所述第一區域和所述第二區域均為鋪設有地的區域，所述射頻功率放大芯片中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地，所述射頻前端模組的其它功能模塊中被配置接地的元器件通過所述第一區域接地；
31、其中，所述第一區域和所述第二區域在同一平面上的投影之間具有間隔。
32、可選地，所述第一區域和所述第二區域在同一平面上的投影之間的最小距離大于或等于所述射頻功率放大芯片的工作頻段對應的波長的1/2。
33、可選地，所述射頻功率放大芯片與所述第二區域在同一平面上的投影至少部分重合。
34、可選地，所述射頻前端模組本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種射頻前端模組，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述電感的寬度范圍為50μm～150μm。
3.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述第一投影和所述第二投影之間的最小距離大于或等于所述電感的寬度的0.7倍。
4.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述金屬層包括第一金屬層，所述電感繞線和所述第一區域設置于所述第一金屬層上，位于所述第一金屬層上的所述電感繞線和所述第一區域之間的距離為所述電感的寬度的1倍至2倍。
5.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述金屬層包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層和所述第三金屬層相鄰設置，所述第二金屬層設置有所述電感繞線，所述第三金屬層設置有所述第一區域，所述第二金屬層的所述電感繞線在所述第一平面的投影和所述第三金屬層的所述第一區域在所述第一平面的投影之間的距離為所述電感的寬度的0.8倍至1.6倍。
6.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述金屬層包括第四金屬層和第六金屬層，所述第四金屬層和所述第六金屬層不
7.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻前端模組還包括設置在所述基板上的射頻功率放大芯片和第二區域，其中，所述第二區域為鋪設有地的區域，所述射頻功率放大芯片中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地，所述第二區域在所述第一平面的第三投影與所述第一區域在所述第一平面的第二投影之間具有間隙。
8.如權利要求7所述的射頻前端模組，其特征在于，所述第二區域在所述第一平面的第三投影與所述第一區域在所述第一平面的第二投影的最小距離大于或等于所述射頻功率放大芯片的工作頻段對應的波長的1/2。
9.如權利要求7所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻功率放大芯片在所述第一平面的第四投影與所述第二區域在所述第一平面的第三投影至少部分重合。
10.如權利要求7所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻前端模組還包括設置在所述基板上的輸出負載電路，所述輸出負載電路與所述射頻功率放大芯片的輸出端連接，所述輸出負載電路中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地。
11.如權利要求10所述的射頻前端模組，其特征在于，所述輸出負載電路包括至少一個接地的匹配元件，所述匹配元件被配置通過所述第二區域接地。
12.如權利要求11所述的射頻前端模組，其特征在于，所述匹配元件包括電容、電感或電阻。
13.如權利要求10所述的射頻前端模組，其特征在于，所述輸出負載電路包括輸出變壓器，所述輸出變壓器的接地端被配置通過所述第二區域接地。
14.如權利要求10所述的射頻前端模組，其特征在于，所述輸出負載電路包括第一電容、第一電感、第二電容、第二電感，所述第一電容的第一端與所述射頻功率放大芯片的輸出端連接，所述第一電容的第二端通過所述第一電感連接至信號輸出端，所述第二電感的第一端與所述第一電容的第二端連接，所述第二電感的第二端被配置通過所述第二區域接地，所述第二電容的第一端與所述第一電感的第二端連接，所述第二電感的第二端被配置通過所述第二區域接地。
15.一種射頻前端模組，其特征在于，包括：
16.如權利要求15所述射頻前端模組，其特征在于，所述第一投影和所述第二投影之間的最小距離大于或等于所述電感的寬度的0.7倍。
17.如權利要求15所述射頻前端模組，其特征在于，所述載體為芯片或者基板。
18.一種射頻前端模組，其特征在于，包括：
19.如權利要求18所述的射頻前端模組，其特征在于，所述第一區域和所述第二區域在同一平面上的投影之間的最小距離大于或等于所述射頻功率放大芯片的工作頻段對應的波長的1/2。
20.如權利要求18所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻功率放大芯片與所述第二區域在同一平面上的投影至少部分重合。
21.如權利要求18所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻前端模組還包括設置在所述基板上的輸出負載電路，所述輸出負載電路與所述射頻功率放大芯片的輸出端連接，所述輸出負載電路中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地。
22.如權利要求21所述的射頻前端模組，其特征在于，所述輸出負載電路包括第一電容、第一電感、第二電容、第二電感，所述第一電容的第一端與所述射...
【技術特征摘要】
1.一種射頻前端模組，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述電感的寬度范圍為50μm～150μm。
3.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述第一投影和所述第二投影之間的最小距離大于或等于所述電感的寬度的0.7倍。
4.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述金屬層包括第一金屬層，所述電感繞線和所述第一區域設置于所述第一金屬層上，位于所述第一金屬層上的所述電感繞線和所述第一區域之間的距離為所述電感的寬度的1倍至2倍。
5.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述金屬層包括第二金屬層和第三金屬層，所述第二金屬層和所述第三金屬層相鄰設置，所述第二金屬層設置有所述電感繞線，所述第三金屬層設置有所述第一區域，所述第二金屬層的所述電感繞線在所述第一平面的投影和所述第三金屬層的所述第一區域在所述第一平面的投影之間的距離為所述電感的寬度的0.8倍至1.6倍。
6.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述金屬層包括第四金屬層和第六金屬層，所述第四金屬層和所述第六金屬層不相鄰，所述第四金屬層設置有所述電感繞線，所述第六金屬層設置有所述第一區域，所述第四金屬層的所述電感繞線在所述第一平面的投影和所述第六金屬層的所述第一區域在所述第一平面的投影之間的距離為所述電感的寬度的0.7倍至1.4倍。
7.如權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻前端模組還包括設置在所述基板上的射頻功率放大芯片和第二區域，其中，所述第二區域為鋪設有地的區域，所述射頻功率放大芯片中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地，所述第二區域在所述第一平面的第三投影與所述第一區域在所述第一平面的第二投影之間具有間隙。
8.如權利要求7所述的射頻前端模組，其特征在于，所述第二區域在所述第一平面的第三投影與所述第一區域在所述第一平面的第二投影的最小距離大于或等于所述射頻功率放大芯片的工作頻段對應的波長的1/2。
9.如權利要求7所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻功率放大芯片在所述第一平面的第四投影與所述第二區域在所述第一平面的第三投影至少部分重合。
10.如權利要求7所述的射頻前端模組，其特征在于，所述射頻前端模組還包括設置在所述基板上的輸出負載電路，所述輸出負載電路與所述射頻功率放大芯片的輸出端連接，所述輸出負載電路中被配置為接地的元器件通過所述第二區域接地。
11.如權利要求10所述的射頻前端模組，其特征在于，所述輸出負載電路包括至少一個接地的匹配元件，所述匹配元件...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張文達，石憲青，龔杰，南嵐，倪建興，
申請(專利權)人：銳石創芯深圳科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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