【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于電致變色產品，涉及一種透明導電基層的制備方法及電致變色組件。
技術介紹
1、隨著電致變色產品尺寸越來越大，變色響應時間要求越來越短，便對底層透明導電薄膜的方阻穩定性要求越來越高，既要保證方阻穩定也需要保證方阻在一定的膜厚基礎上越低越好，所以底層導電層穩定且較低的方阻是解決電致變色產品以上高要求的關鍵。
2、現有技術方案公開了一種制造具結晶結構的透明導電薄膜的方法，方法包括下列步驟：基板進入真空腔體后，基板溫度維持室溫或不超過50℃；利用磁控濺鍍方式在基板一表面沉積一層透明導電薄膜；利用磁控濺鍍方式在沉積的透明導電薄膜上再沉積另一不同成分的透明導電薄膜；將鍍有透明導電薄膜的基板進行溫度低于160℃的加熱處理。
3、現有技術方案公開了一種具p型非晶質硅及透明導電氧化物薄膜的基板及制備方法，該方法包括齊備一具有透明導電氧化物薄膜的基板；于該具有透明導電氧化物薄膜的基板的表面形成紋理，得到一具有紋理表面結構的具有透明導電氧化物薄膜的基板；以及使用物理氣相沉積法在該具有紋理表面結構的具有透明導電氧化物薄膜的基板上形成一非晶質硅p型層，得到一具備p型非晶質硅及透明導電氧化物薄膜的基板。
4、現有技術方案公開了一種新型的復合透明導電氧化物薄膜，尤其適用于薄膜太陽能電池技術，具體包括至少一層低壓化學氣相沉積或者金屬有機物化學氣相沉積方法制備的具有絨面結構的本征氧化鋅薄膜或摻雜氧化鋅薄膜和至少一層摻雜的透明導電氧化物薄膜，構成復合透明導電氧化物薄膜。
5、但是，現有技術還存在底部透明導
技術實現思路
1、針對現有技術存在的不足，本專利技術的目的在于提供一種透明導電基層的制備方法及電致變色組件，在本專利技術中，通過限定透明導電基層的制備方法和參數，在不改變透明導電薄膜厚度的前提下即可以保證方阻不會升高，甚至下降到更低水平，與氟摻雜氧化錫材料相比有更好的透過率及粗糙度，與傳統工藝的透明導電薄膜相比有更穩定、更低的方阻，極大提升了產品性能。
2、為達此目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、第一方面，本專利技術提供了一種透明導電基層的制備方法，所述制備方法包括：
4、基板的一側表面通過物理氣相沉積至少一層透明導電薄膜后，進行真空烘烤處理，得到所述透明導電基層；所述物理氣相沉積的溫度≤120℃，所述真空烘烤處理的溫度為200℃～400℃。
5、在本專利技術中，通過限定透明導電基層的制備方法和參數，在不改變透明導電薄膜厚度的前提下即可以保證方阻不會升高，甚至下降到更低水平，與氟摻雜氧化錫材料相比有更好的透過率及粗糙度，與傳統工藝的透明導電薄膜相比有更穩定、更低的方阻，極大提升了產品性能。
6、需要說明的是，本專利技術中物理氣相沉積的溫度≤120℃，例如可以是20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、119℃等，但并不僅限于所列舉的數值，該數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用；真空烘烤處理的溫度為200℃～400℃，例如可以是200℃、220℃、240℃、260℃、300℃、320℃、340℃、360℃、380℃、400℃等，但并不僅限于所列舉的數值，該數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
7、本專利技術物理氣相沉積的溫度≤120℃，是因為在此范圍內可以使得ito不會有微晶態產生，進一步選擇60℃～120℃，(本專利技術ito指的是透明導電薄膜)是因為可以更好的放寬ito?power的范圍；若不在此范圍內可能會導致ito真空退火后方阻效果不理想，這是因為ito結晶微觀結構發生了變化。
8、本專利技術真空烘烤處理的溫度為200℃～400℃，是因為在此范圍內可以使得ito方阻下降，進一步選擇260℃～380℃，是因為可以保證設備升降溫時間不會較長，也對設備壽命是一種保護；若不在此范圍內可能會導致破片或者ito方阻無法下降，這是因為溫度較低時退火效果達不到，溫度過高玻璃應力性破片。
9、作為本專利技術一種優選的技術方案，所述物理氣相沉積的溫度為60℃～120℃，例如可以是60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃等，但并不僅限于所列舉的數值，該數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
10、作為本專利技術一種優選的技術方案，所述物理氣相沉積的氧含量＜1.5％，例如可以是1.48％、1.4％、1.3％、1.2％、1％、0.9％、0.8％、0.6％、0.5％、0.3％、0.2％、0％等，但并不僅限于所列舉的數值，該數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
11、本專利技術物理氣相沉積的氧含量＜1.5％，是因為在此范圍內可以使得ito有較佳的氧空穴，若不在此范圍內可能會導致空穴與電子的比例失調，方阻降幅不理想，這是因為ito是n型半導體主要依靠空穴和電子導電。
12、作為本專利技術一種優選的技術方案，所述透明導電薄膜的厚度為120nm～800nm，例如可以是120nm、150nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm等，但并不僅限于所列舉的數值，該數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
13、本專利技術透明導電薄膜的厚度為120nm～800nm，是因為在此范圍內可以使得電致變色產品有較好的快速變色功能，若不在此范圍內可能會導致變色慢或者無法變色，這是因為電致變色施加的外部電壓較低，方阻較大時電流較小實現不了變色。
14、作為本專利技術一種優選的技術方案，所述真空烘烤處理的溫度為230℃～300℃，例如可以是230℃、240℃、250℃、260℃、270℃、280℃、290℃、300℃等，但并不僅限于所列舉的數值，該數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
15、作為本專利技術一種優選的技術方案，所述真空烘烤處理的壓力為0.0001pa～2000pa，例如可以是0.0001pa、0.1pa、1pa、10pa、100pa、1000pa、1200pa、1400pa、1600pa、1800pa、2000pa等，但并不僅限于所列舉的數值，該數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
16、作為本專利技術一種優選的技術方案，所述真空烘烤處理的壓力為0.0001pa～0.001pa，例如可以是0.0001pa、0.0003pa、pa、0.0006pa、0.0009pa、0.001pa等，但并不僅限于所列舉的數值本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種透明導電基層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積的溫度為60℃～120℃。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積的氧含量＜1.5％。
4.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述透明導電薄膜的厚度為120nm～800nm。
5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述真空烘烤處理的溫度為230℃～300℃。
6.根據權利要求1-5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述真空烘烤處理的壓力為0.0001Pa～2000Pa。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述真空烘烤處理的壓力為0.0001Pa～0.001Pa。
8.根據權利要求1-7任一項所述的制備方法，其特征在于，所述真空烘烤處理的時間為10min～120min。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述真空烘烤處理的時間為30min～90min。
10.一種電
...【技術特征摘要】
1.一種透明導電基層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積的溫度為60℃～120℃。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述物理氣相沉積的氧含量＜1.5％。
4.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述透明導電薄膜的厚度為120nm～800nm。
5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述真空烘烤處理的溫度為230℃～300℃。
6.根據權利要求1-5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述真空烘烤處理的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：姚力軍，姚舜，陸海波，王予叢，沈棟棟，
申請(專利權)人：浙江景昇薄膜科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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