【技術實現步驟摘要】
本公開涉及電子設備測試，尤其涉及一種光耦繼電器性能檢測方法、裝置、存儲介質及電子設備。
技術介紹
1、光耦繼電器是一種將輸入信號與輸出部分電氣隔離的器件。它由光電耦合器件和繼電器組成。光電耦合器件通常是一個光電二極管和一個光電晶體管，通過輸入端的光信號來控制輸出端的電信號。光耦繼電器的作用是將輸入端的光信號轉換為輸出端的電信號，實現輸入和輸出之間的電氣隔離。通過光電二極管將光信號轉換為電信號，然后由光電晶體管來控制繼電器的開關狀態。
2、光耦繼電器作為變電系統電平隔離的關鍵組件，其穩定性對整個系統的平穩運行起著至關重要的作用。因此，有必要對光耦的退化機理與壽命進行研究，以便明確光耦繼電器運行狀態，從而分析其老化情況，為制定運維措施及設備的全生命周期管理提供技術支撐。
技術實現思路
1、為克服相關技術中存在的問題，本公開提供一種光耦繼電器性能檢測方法、裝置、存儲介質及電子設備。
2、根據本公開實施例的第一方面，提供一種光耦繼電器性能檢測方法，所述方法包括：
3、確定初始狀態下通過預設輸入電流，觸發待測光耦繼電器開啟時，所述待測光耦繼電器兩端對應開啟電壓的第一參數；
4、在多個設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，在所述偏置檢測試驗期限內，對所述待測光耦繼電器的開啟電壓進行持續檢測，生成在所述檢測期限內，所述多個設定檢測條件下所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化情況的過程變化參數；
5、獲取所述偏置檢測試驗結束后
6、將所述第一參數和所述第二參數進行參數對比，確定所述待測光耦繼電器對應初始參數與結果參數之間的參數差值；獲取所述待測光耦繼電器的失效變化常數，所述失效變化常數用于指示所述待測光耦繼電器對應失效速率的變化趨勢；
7、根據所述參數差值、所述失效變化常數和所述過程變化參數，確定所述待測光耦繼電器的失效變化速率，根據所述第一參數和所述失效變化速率，生成所述待測光耦繼電器的性能檢測結果，所述性能檢測結果包括所述待測光耦繼電器在所述預設輸入電流下的性能失效時長。
8、可選地，所述根據所述參數差值、所述失效變化常數和所述過程變化參數，確定所述待測光耦繼電器的失效變化速率，包括：
9、將所述過程變化參數轉化為所述待測光耦繼電器在加電偏置試驗狀態下開啟電壓的參考變化曲線；基于余弦相似度對所述參考變化曲線與設定變化曲線之間的相似程度進行評估，生成所述參考變化曲線的目標相似度系數；
10、確定當前狀態下的相似度系數閾值；
11、根據所述目標相似度系數與所述相似度系數閾值之間的大小關系，確定所述失效變化速率的目標計算方式；
12、根據所述目標計算方式、所述失效變化常數和所述過程變化參數，確定所述失效變化速率。
13、可選地，所述確定當前狀態下的相似度系數閾值，包括：
14、獲取所述待測光耦繼電器的開啟電壓對應開啟電壓變化情況與設定變化情況之間的歷史相似度信息；
15、根據所述歷史相似度信息，確定指數平滑預測的霍爾特預測項；
16、根據所述霍爾特預測項和設定基準閾值，確定當前狀態下的所述相似度系數閾值。
17、可選地，所述根據所述目標相似度系數與所述相似度系數閾值之間的大小關系，確定所述失效變化速率的目標計算方式，包括：
18、若所述目標相似度系數小于所述相似度系數閾值，則確定所述目標計算方式為第一設定計算方式，其中，所述第一設定計算方式包括：
19、
20、其中，所述為失效變化速率，所述為所述參數差值，所述為所述失效變化常數，所述為所述第二參數對應的時間點，所述為所述第一參數對應的時間點；
21、若所述目標相似度系數大于所述相似度系數閾值，則確定所述目標計算方式為第二設定計算方式，其中所述第二設定計算方式包括：
22、
23、其中，所述為所述參數差值，所述為所述第二參數對應的時間點，所述為所述第一參數對應的時間點，所述為所述失效變化常數。
24、可選地，所述在多個設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，在所述偏置檢測試驗期限內，對所述待測光耦繼電器的開啟電壓進行持續檢測，生成在所述檢測期限內，所述多個設定檢測條件下所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化情況的過程變化參數，包括：
25、在溫度為30℃、相對濕度為40%的設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，生成所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化情況的第一變化參數；
26、在溫度為40℃、相對濕度為50%的設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，生成所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化情況的第二變化參數；
27、在溫度為50℃、相對濕度為60%的設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，生成所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化情況的第三變化參數；
28、根據所述第一變化參數、所述第二變化參數和所述第三變化參數，生成所述過程變化參數。
29、可選地，所述根據所述第一變化參數、所述第二變化參數和所述第三變化參數，生成所述過程變化參數，包括：
30、根據所述第一變化參數，生成第一變化曲線；根據所述第二變化參數，生成第二變化曲線；根據所述第三變化參數，生成第三變化曲線；
31、對所述第一變化曲線、所述第二變化曲線和所述第三變化曲線進行函數擬合，生成多個擬合函數；
32、確定所述多個擬合函數的平均值，生成所述過程變化參數。
33、根據本公開實施例的第二方面，提供一種光耦繼電器性能檢測裝置，包括：
34、第一確定模塊，用于確定初始狀態下通過預設輸入電流，觸發待測光耦繼電器開啟時，所述待測光耦繼電器兩端對應開啟電壓的第一參數；
35、檢測模塊，用于在多個設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，在所述偏置檢測試驗期限內，對所述待測光耦繼電器的開啟電壓進行持續檢測，生成在所述檢測期限內，所述多個設定檢測條件下所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化情況的過程變化參數；
36、獲取模塊，用于獲取所述偏置檢測試驗結束后，所述待測光耦繼電器在經過所述偏置檢測試驗后的第二參數，所述第二參數用于指示所述待測光耦繼電器對應開啟電壓的退化情況；
37、第二確定模塊，用于將所述第一參數和所述第二參數進行參數對比，確定所述待測光耦繼電器對應初始參數與結果參數之間的參數差值；獲取所述待測光耦繼電器的失效變化常數，所述失效變化常數用于指示所述待測光耦繼電器對應失效速率的變化趨勢；
38、執行模塊，用于根據所述參數差值、所述失效變化常數和所述過程變化參數，確定所述待測光耦繼電器的失效變化本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種光耦繼電器性能檢測方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的光耦繼電器性能檢測方法，其特征在于，所述確定當前狀態下的相似度系數閾值，包括：
3.根據權利要求1所述的光耦繼電器性能檢測方法，其特征在于，所述在多個設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，在所述偏置檢測試驗期限內，對所述待測光耦繼電器的開啟電壓進行持續檢測，生成在所述檢測期限內，所述多個設定檢測條件下所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化情況的過程變化參數，包括：
4.根據權利要求3所述的光耦繼電器性能檢測方法，其特征在于，所述根據所述第一變化參數、所述第二變化參數和所述第三變化參數，生成所述過程變化參數，包括：
5.一種光耦繼電器性能檢測裝置，其特征在于，包括：
6.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，該程序被處理器執行時實現權利要求1-4中任一項所述光耦繼電器性能檢測方法的步驟。
7.一種電子設備，其特征在于，包括：
【技術特征摘要】
1.一種光耦繼電器性能檢測方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的光耦繼電器性能檢測方法，其特征在于，所述確定當前狀態下的相似度系數閾值，包括：
3.根據權利要求1所述的光耦繼電器性能檢測方法，其特征在于，所述在多個設定檢測條件下，對所述待測光耦繼電器進行偏置檢測試驗，在所述偏置檢測試驗期限內，對所述待測光耦繼電器的開啟電壓進行持續檢測，生成在所述檢測期限內，所述多個設定檢測條件下所述待測光耦繼電器對應開啟電壓變化...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林欽，林玲，
申請(專利權)人：先進光半導體深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：
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