【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
技術(shù)介紹
1、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dram)是一種半導(dǎo)體存儲器，其中存儲器單元陣列將數(shù)字值存儲為電壓電平。存儲器單元包括電容器，該電容器可以被充電或放電以表示“位”，即邏輯1或0。電容器可以選擇性地連接到“位線”，使得在被充電時相對較高的跨電容器的電壓可以被感測以讀取存儲位。電容器上的電荷會泄漏，并且因此必須周期性地刷新以防止存儲數(shù)據(jù)丟失。刷新事務(wù)感測跨存儲器單元的電容器的電壓，解釋由此表示的位值，并且將該值作為完整的刷新單元電壓寫回電容器。刷新事務(wù)會干擾訪問事務(wù)，并且從而限制dram的持續(xù)帶寬。
技術(shù)實現(xiàn)思路
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種用于訪問和刷新動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中的存儲器單元的方法，所述DRAM包括選擇性地連接到第一位線的第一存儲器單元和選擇性地連接到所述第一位線的第二存儲器單元，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中感測來自所述第一存儲器單元的所述第一電荷包括將訪問感測放大器連接到所述第一位線和所述第二位線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中感測來自所述第二存儲器單元的所述第二電荷包括將刷新感測放大器連接到所述第一位線和所述第二位線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括在所述第二感測時段期間接收第二訪問請求并且解碼所述第二訪問請求。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括在所述電荷恢復(fù)時段期間評估所述刷新請求。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括響應(yīng)于所述第二訪問請求：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述第二感測時段之后開始將所述第二電荷恢復(fù)到所述第二存儲器單元，并且在所述第二電荷響應(yīng)于所述第二訪問請求而被恢復(fù)之前，中斷所述將所述第二電荷恢復(fù)到所述第二存儲器單元。
8.根據(jù)權(quán)利
9.一種存儲器設(shè)備，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，所述控制電路系統(tǒng)接收訪問請求，并且響應(yīng)于所述訪問請求，在所述刷新感測放大器刷新所述存儲器單元之前，通過所述刷新感測放大器的所述斷開連接來中斷刷新事務(wù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，所述訪問感測放大器在訪問事務(wù)期間連接到所述位線，所述控制電路系統(tǒng)還等待所述訪問事務(wù)的完成，控制所述刷新感測放大器重新連接到所述位線，以將所述位線向所述刷新電壓充電。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述控制電路系統(tǒng)要生成刷新請求并且接收相對于所述刷新請求異步的訪問請求。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器設(shè)備，其中所述控制電路系統(tǒng)要響應(yīng)于所述刷新請求而發(fā)起對所述刷新感測放大器的所述控制，并且響應(yīng)于所述訪問請求而將所述刷新感測放大器與所述位線斷開連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述控制電路系統(tǒng)要生成刷新請求，所述刷新請求發(fā)起對所述刷新感測放大器的所述控制以連接到所述位線。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器設(shè)備，其中所述控制電路系統(tǒng)要在生成所述刷新請求之后接收訪問請求，響應(yīng)于所述訪問請求而發(fā)起訪問事務(wù)，并且延遲將所述刷新感測放大器連接到所述位線，直到所述訪問事務(wù)之后。
16.一種用于訪問和刷新動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中的存儲器單元的方法，所述存儲器單元選擇性地連接到位線，所述方法包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：在所述刷新時段內(nèi)響應(yīng)于對所述位線的所述感測而存儲表示位值的電壓，等待所述第二訪問事務(wù)的結(jié)束，并且將表示所述位值的所述電壓寫入選擇性地連接到所述位線的存儲器單元。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括感測所述第一訪問事務(wù)的關(guān)閉，并且將所述刷新感測時段定時到所述關(guān)閉。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中感測所述關(guān)閉包括感測字線信號。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：將所述位線上的所述電壓放大到表示位的位電壓，存儲表示所述位的所述電壓，接收針對所述位線的讀取訪問請求，以及響應(yīng)于所述讀取訪問請求而讀取表示所述位的所述位電壓。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種用于訪問和刷新動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dram)中的存儲器單元的方法，所述dram包括選擇性地連接到第一位線的第一存儲器單元和選擇性地連接到所述第一位線的第二存儲器單元，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中感測來自所述第一存儲器單元的所述第一電荷包括將訪問感測放大器連接到所述第一位線和所述第二位線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中感測來自所述第二存儲器單元的所述第二電荷包括將刷新感測放大器連接到所述第一位線和所述第二位線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括在所述第二感測時段期間接收第二訪問請求并且解碼所述第二訪問請求。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括在所述電荷恢復(fù)時段期間評估所述刷新請求。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括響應(yīng)于所述第二訪問請求：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述第二感測時段之后開始將所述第二電荷恢復(fù)到所述第二存儲器單元，并且在所述第二電荷響應(yīng)于所述第二訪問請求而被恢復(fù)之前，中斷所述將所述第二電荷恢復(fù)到所述第二存儲器單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在將所述第三電荷恢復(fù)到所述第三存儲器單元之后，重新開始所述將所述第二電荷恢復(fù)到所述第二存儲器單元。
9.一種存儲器設(shè)備，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，所述控制電路系統(tǒng)接收訪問請求，并且響應(yīng)于所述訪問請求，在所述刷新感測放大器刷新所述存儲器單元之前，通過所述刷新感測放大器的所述斷開連接來中斷刷新事務(wù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，所述訪問感測放大器在訪問事務(wù)期間連接到所述位線，所述控制電路系統(tǒng)還等待所述訪問事務(wù)的完成，控制所述刷新感測放大器重新連接到所述位線，以...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：T·沃吉爾桑，T·帕爾奇，A·J·貝希爾，
申請(專利權(quán))人：拉姆伯斯公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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