【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種堆疊式存儲器及其穩壓電容器的設定方法。
技術介紹
1、圖1繪示堆疊式存儲器(stacked?memory，也稱之為“堆棧存儲器”)的堆疊方式示意圖。堆疊式存儲器一般是通過堆疊晶圓(wafer?on?wafer，wow)技術將邏輯芯片20a(或20b)以面對面的方式貼合到存儲器芯片10a(或10b)，其中存儲器芯片10a(或10b)可以包括一或多個存儲器塊元(tile)。
2、一般而言，在將存儲器芯片10a(或10b)與邏輯芯片20a(或20b)貼合的情況，存儲器芯片10a(或10b)的大小必須與邏輯芯片的大小相等。因此，在對堆疊前，會先從存儲器晶圓1切出與邏輯芯片20a(或20b)的大小相應的存儲器芯片10a(或10b)。但是，這會發生切割出來的存儲器芯片10a(或10b)中有一部分的塊元(tile)是沒有被使用的情況，如圖1所示的存儲器芯片10a(或10b)中的斜線部分的塊元是表示沒有被使用的塊元。這些未使用存儲器塊元會使得存儲器的價格變高。另一方面，為了讓邏輯芯片的電壓具備操作穩定性，也必須在邏輯芯片20a(或20b)內配置穩壓電容器。但是，這也會導致邏輯芯片20a(或20b)的尺寸變大。
3、因此，如何將這些未使用存儲器塊元進行適當的利用是一個課題。本專利技術提出一種架構，可以將未使用存儲器塊元作為邏輯芯片的穩壓電容器，以有效利用這些未使用存儲器塊元。
技術實現思路
1、基于上述說明，根據本專利技術一實施方式，一種具有可調式穩壓電容器
2、根據本專利技術一實施方式，在上述堆疊式存儲器中，所述第一電容器電壓為存儲器板電壓，所述第二電容器電壓為提供到各所述位線的電壓。所述未使用存儲器塊元在第一操作電壓與第二操作電壓下進行運作，第一操作電壓為高于第二操作電壓的高電平電壓，第二操作電壓為低電平電壓。
3、根據本專利技術一實施方式，在上述堆疊式存儲器中，所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第一操作電壓而被致能，以提供預充電電壓、所述第二操作電壓與固定電壓的其中一個至所述各位線，以作為所述第二電容器電壓。所述多個感測放大器通過所述第二操作電壓而被禁能。由此所述穩壓電容器被架構為兩端電壓為所述存儲器板電壓與所述預充電電壓、所述存儲器板電壓與所述第二操作電壓以及所述存儲器板電壓與固定電壓的電容器的其中一種并聯配置。
4、根據本專利技術一實施方式，在上述堆疊式存儲器中，所述多個感測放大器以及所述多個位線均衡與預充電電路均通過所述第二操作電壓而被禁能。各所述位線施加所述第二操作電壓或固定電壓。由此所述穩壓電容器被架構為兩端電壓為所述存儲器板電壓與第二操作電壓，或所述存儲器板電壓與所述固定電壓的電容器的并聯配置。
5、根據本專利技術一實施方式，在上述堆疊式存儲器中，所述多個感測放大器通過所述第一操作電壓而被致能，且所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第二操作電壓被禁能。由此所述穩壓電容器被架構為兩端電壓為所述存儲器板電壓與各所述多個感測放大器的感測電壓的電容器以及兩端電壓為所述存儲器板電壓與第二操作電壓的電容器的串聯配置。
6、根據本專利技術一實施方式，在上述堆疊式存儲器中，所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第一操作電壓被致能，且所述多個感測放大器通過所述第二操作電壓而被禁能。所述多個位線均衡與預充電電路的接收預充電電壓的端子為開路。所述第一電容器電壓還包括至少第一存儲器板電壓與第二存儲器板電壓。所述多個電容器的一部分的所述一端耦接到所述第一存儲器板電壓，所述多個電容器的其余部分的所述一端耦接到所述第二存儲器板電壓。由此所述穩壓電容器被架構為兩端電壓為所述第一存儲器板電壓與所述第二存儲器板電壓的串聯配置。
7、根據本專利技術一實施方式，在上述堆疊式存儲器中，所述第一連接路徑與所述第二連接路徑是從所述邏輯芯片以繞線方式連接到所述未使用存儲器塊元上的第一探針接墊與第二探針接墊來連接。
8、根據本專利技術一實施方式，在上述堆疊式存儲器中，所述第一連接路徑與所述第二連接路徑是從所述邏輯芯片以硅穿孔方式連接到所述未使用存儲器塊元。
9、根據本專利技術另一實施方式，提供一種堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法。所述堆疊式存儲器邏輯芯片；以及存儲器芯片，與所述邏輯芯片的大小一致，具有多個塊元，其中所述多個塊元的至少一個為未使用存儲器塊元，其中所述未使用存儲器塊元包括存儲器陣列，所述存儲器陣列包括多條字線、多條位線、多個存儲器胞分別形成在所述多條字線與多條位線的交叉處的多個存儲器胞、多個位線均衡與預充電電路以及多個感測放大器。所述多個存儲器胞的每一個包括晶體管與電容器。所述設定方法包括：將所述多條字線全部致能；將所述電容器的一端耦接到第一電容器電壓，另一端經由所述晶體管耦接到提供給各所述位線的第二電容器電壓；將所述第一電容器電壓與所述第二電容器電壓分別經由第一連接路徑與第二連接路徑，與所述邏輯芯片連接；通過控制所述第一電容器電壓與所述第二電容器電壓，以形成所述邏輯芯片的穩壓電容器。
10、根據本專利技術一實施方式，在上述設定方法中，所述第一電容器電壓為存儲器板電壓，所述第二電容器電壓為提供到各所述位線的電壓。此外，以第一操作電壓與第二操作電壓下運作所述未使用存儲器塊元，其中第一操作電壓為高于第二操作電壓的高電平電壓，第二操作電壓為低電平電壓。
11、根據本專利技術一實施方式，上述設定方法還包括：以所述第一操作電壓，將所述多個位線均衡與預充電電路致能，以提供預充電電壓、所述第二操作電壓與固定電壓的其中一個至所述各位線，以作為所述第二電容器電壓；以所述第二操作電壓，將所述多個感測放大器禁能；以及由此所述穩壓電容器被架構為兩端電壓為所述存儲器板電壓與所述預充電電壓、所述存儲器板電壓與所述第二操作電壓以及所述存儲器板電壓與固定電壓的電容器的其中一種并聯配置。
12、根據本專利技術一實施方式，上述設定方法還包括：以所述第二操作電壓，將所述多個感測放大器以及所述多個位線均衡與預充電電路進行禁能；對各所述位線施加所述第二操作電壓或固定電壓；以及由此所述穩壓電容器被架構為兩端電壓為所述存儲器板電壓與第二操作電壓，或所述存儲器板電壓與所述固定電壓的電容器的并聯配置。
13、根據本發本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，包括：
2.如權利要求1所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述第一電容器電壓為存儲器板電壓，所述第二電容器電壓為提供到各所述位線的電壓，及
3.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第一操作電壓而被致能，以提供預充電電壓、所述第二操作電壓與固定電壓的其中一個至所述各位線，以作為所述第二電容器電壓，及
4.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個感測放大器以及所述多個位線均衡與預充電電路均通過所述第二操作電壓而被禁能，
5.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個感測放大器通過所述第一操作電壓而被致能，且所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第二操作電壓被禁能，及
6.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第一操作電壓被致能，且所述多個感測放大器通過所述第二操作電壓而被禁能，
7.如權利要求1所述
8.如權利要求1所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述第一連接路徑與所述第二連接路徑是從所述邏輯芯片以硅穿孔方式連接到所述未使用存儲器塊元。
9.一種堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，所述堆疊式存儲器邏輯芯片；以及存儲器芯片，與所述邏輯芯片的大小一致，具有多個塊元，其中所述多個塊元的至少一個為未使用存儲器塊元，其中所述未使用存儲器塊元包括存儲器陣列，所述存儲器陣列包括多條字線、多條位線、多個存儲器胞分別形成在所述多條字線與多條位線的交叉處的多個存儲器胞、多個位線均衡與預充電電路以及多個感測放大器，所述多個存儲器胞的每一個包括晶體管與電容器，
10.如權利要求9所述的堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，其中所述第一電容器電壓為存儲器板電壓，所述第二電容器電壓為提供到各所述位線的電壓，及
11.如權利要求10所述的堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，還包括：
12.如權利要求10所述的堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，還包括：
13.如權利要求10所述的堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，還包括：
14.如權利要求10所述的堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，還包括：
15.如權利要求9所述的堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，其中所述第一連接路徑與所述第二連接路徑是從所述邏輯芯片以繞線方式連接到所述未使用存儲器塊元上的第一探針接墊與第二探針接墊來連接。
16.如權利要求9所述的堆疊式存儲器的穩壓電容器的設定方法，其中所述第一連接路徑與所述第二連接路徑是從所述邏輯芯片以硅穿孔方式連接到所述未使用存儲器塊元。
...【技術特征摘要】
1.一種具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，包括：
2.如權利要求1所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述第一電容器電壓為存儲器板電壓，所述第二電容器電壓為提供到各所述位線的電壓，及
3.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第一操作電壓而被致能，以提供預充電電壓、所述第二操作電壓與固定電壓的其中一個至所述各位線，以作為所述第二電容器電壓，及
4.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個感測放大器以及所述多個位線均衡與預充電電路均通過所述第二操作電壓而被禁能，
5.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個感測放大器通過所述第一操作電壓而被致能，且所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第二操作電壓被禁能，及
6.如權利要求2所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述多個位線均衡與預充電電路通過所述第一操作電壓被致能，且所述多個感測放大器通過所述第二操作電壓而被禁能，
7.如權利要求1所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述第一連接路徑與所述第二連接路徑是從所述邏輯芯片以繞線方式連接到所述未使用存儲器塊元上的第一探針接墊與第二探針接墊來連接。
8.如權利要求1所述的具有可調式穩壓電容器的堆疊式存儲器，其中所述第一連接路徑與所述第二連接路徑是從所述邏輯芯片以硅穿孔方式連接到所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：瀬戶川潤，
申請(專利權)人：力晶積成電子制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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