【技術實現步驟摘要】
本公開屬于半導體，具體涉及一種晶圓載片、晶圓載片制備方法和晶圓處理方法。
技術介紹
1、在半導體器件制造中，對晶圓的加工包括光刻、刻蝕、離子注入、金屬沉積和封裝等工藝；在諸多工藝中，通常需要將晶圓固定在反應腔室內的靜電吸附盤上對晶圓進行加工。
2、靜電吸附盤(electrostatic?chuck，簡稱esc或e-chuck)是一種利用靜電力固定晶圓的卡盤結構，具體吸附原理為：當esc的電極被接通高壓電源后，電介質的表面會產生極化電荷，分布在晶圓背面的極化電荷與分布在吸盤上面的極化電荷極性相反，晶圓被靜電吸附達到固定在esc上的目的；另外，以關閉作用于esc電極上的高壓電源來釋放固定在esc上的晶圓。
3、晶圓放置在esc上進行離子注入摻雜離子時，摻雜離子通常為正離子，使晶圓帶有正電荷。關閉作用于esc電極上的高壓電源來釋放晶圓時，接地針從大地中導入電子到晶圓來中和晶圓表面存在的正電荷，由于晶圓表面的電荷釋放較慢，殘留在晶圓表面的電荷會使晶圓與esc存在一定的靜電力，如果此時通過esc上的升降銷托舉晶圓或者通過機械手臂取走晶圓時，殘留靜電力使晶圓與esc發生粘接現象，從而出現取片失敗或者滑片的問題。
4、可見，如何提高在靜電吸附中晶圓表面的電荷釋放效率是當前亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本申請提供一種晶圓載片、晶圓載片制備方法和晶圓處理方法，解決了現有技術在靜電吸附中晶圓表面的電荷釋放效率低的問題，通過將晶圓與晶圓載片鍵合成鍵合體再放置于靜
2、第一方面，本申請提供一種晶圓載片，應用于晶圓的靜電吸附，所述載片包括：載片本體，所述載片本體具有相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于與晶圓貼合，所述第二表面用于被靜電吸附盤吸附；至少一個第一導電部件，沿所述第一表面和所述第二表面的相對方向貫穿設置在所述載片本體中，且每個所述第一導電部件的位置分別與所述靜電吸附盤中接地針的位置相對應。
3、可選地，所述載片還包括：至少一個第二導電部件，設置在所述載片本體的第一表面，所述第二導電部件具有相對設置的第一端和第二端，所述第二導電部件的第一端與任意一個第一導電部件的一端連接。
4、可選地，所述第二導電部件設置有多個，且任意所述第二導電部件的第二端相互間隔設置。
5、可選地，所述載片還包括：第三導電部件，環形設置在所述載片本體的第一表面，并與至少一個所述第二導電部件連接。
6、可選地，所述第三導電部件環形設置在所述第一表面的邊緣，且與每個所述第二導電部件的第二端連接。
7、可選地，所述第二導電部件遠離所述第二表面的一面與所述第一表面平齊；或/和，所述第三導電部件遠離所述第二表面的一面與所述第一表面平齊。
8、可選地，所述第一導電部件的導電材料包括：碳化鎢和石墨中的至少一種；或/和，所述第二導電部件的導電材料包括：碳化鎢和石墨中的至少一種；或/和，所述第三導電部件的導電材料包括：碳化鎢和石墨中的至少一種。
9、可選地，所述載片本體為硅片、玻璃載片、有機基板和陶瓷基板中的任意一種。
10、第二方面，本申請提供一種晶圓載片制備方法，所述制備方法包括：提供一載片本體，所述載片本體具有相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于與晶圓貼合，所述第二表面用于被靜電吸附盤吸附；根據靜電吸附盤中接地針的位置，在所述載片本體上制作至少一個沿所述第一表面和所述第二表面的相對方向貫穿所述載片本體的通孔；在所述通孔中鑲嵌導電材料，得到第一導電部件；其中，所述第一導電部件具有相對設置的第一端和第二端，所述第一導電部件的第一端與所述第一表面平齊，所述第一導電部件的第二端與所述第二表面平齊。
11、可選地，在所述載片本體上制作至少一個沿所述第一表面和所述第二表面的相對方向貫穿所述載片本體的通孔之后，所述制備方法還包括：根據所述至少一個通孔的位置，在所述載片本體的第一表面制作至少一個凹槽，使每個凹槽的一端連接任意一個通孔的第一端。
12、可選地，在所述載片本體的第一表面制作至少一個凹槽之后，所述制備方法還包括：根據至少一個凹槽的位置，在所述載片本體的第一表面制作環形開口槽，使所述環形開口槽與至少一個凹槽連通。
13、可選地，在所述至少一個通孔中鑲嵌導電材料之后，所述制備方法還包括：在所述凹槽中鑲嵌導電材料，得到第二導電部件；或，在所述凹槽和所述環形開口槽中鑲嵌導電材料，得到第二導電部件和第三導電部件。
14、第三方面，本申請提供一種晶圓處理方法，所述方法包括：提供一晶圓和晶圓載片，在所述晶圓的正面覆蓋保護膜，并在所述晶圓載片的第一表面涂覆粘合劑；其中，所述晶圓的正面具有圖形；翻轉所述晶圓，將所述晶圓的正面與所述晶圓載片的第一表面鍵合；將所述晶圓載片的第二表面放置在靜電吸附盤上，在進行靜電吸附后對所述晶圓的背面進行預設工藝加工；在完成所述預設工藝加工后，對所述晶圓的正面與所述晶圓載片的第一表面解鍵合。
15、第四方面，本申請提供一種晶圓處理方法，所述方法包括：提供一晶圓和晶圓載片；在所述晶圓的正面第一次覆蓋保護膜，并在所述晶圓載片的第一表面涂覆粘合劑；其中，所述晶圓的正面具有圖形；將所述晶圓的背面與所述晶圓載片的第一表面鍵合；去除所述晶圓的正面上的保護膜后，對所述晶圓的正面進行預設工藝加工；在完成所述預設工藝加工后，在所述晶圓的正面第二次覆蓋保護膜；對所述晶圓的背面與所述晶圓載片的第一表面解鍵合，去除所述晶圓的正面上的光刻膠。
16、本申請提供的技術方案，至少具有以下有益效果：
17、通過將本申請的晶圓載片應用在晶圓的靜電吸附工藝流程中時，至少一個第一導電部件的一端與晶圓接觸，可以增加晶圓載片與靜電吸附盤接觸表面的電荷極化率，從而可以提高靜電吸附的貼合力；并且當去除作用于該靜電吸附盤上的高壓電源時，至少一個第一導電部件的一端與晶圓接觸，另一端與接地針接觸，增大了導電材料與晶圓的接觸面積，可以提高晶圓表面電荷的釋放效率，防止出現粘接的問題。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種晶圓載片，其特征在于，應用于晶圓的靜電吸附，所述載片包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓載片，其特征在于，所述載片還包括：
3.根據權利要求2所述的晶圓載片，其特征在于，所述第二導電部件設置有多個，且任意所述第二導電部件的第二端相互間隔設置。
4.根據權利要求2所述的晶圓載片，其特征在于，所述載片還包括：
5.根據權利要求4所述的晶圓載片，其特征在于，所述第三導電部件環形設置在所述第一表面的邊緣，且與每個所述第二導電部件的第二端連接。
6.根據權利要求5所述的晶圓載片，其特征在于，所述第二導電部件遠離所述第二表面的一面與所述第一表面平齊；
7.根據權利要求4所述的晶圓載片，其特征在于，
8.根據權利要求1-7任一項所述的晶圓載片，其特征在于，所述載片本體為硅片、玻璃載片、有機基板和陶瓷基板中的任意一種。
9.一種晶圓載片制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
10.根據權利要求9所述的晶圓載片制備方法，其特征在于，在所述載片本體上制作至少一個沿所述第一表面和所述第
11.根據權利要求10所述的晶圓載片制備方法，其特征在于，在所述載片本體的第一表面制作至少一個凹槽之后，所述制備方法還包括：
12.根據權利要求11所述的晶圓載片制備方法，其特征在于，在所述至少一個通孔中鑲嵌導電材料之后，所述制備方法還包括：
13.一種晶圓處理方法，其特征在于，所述方法包括：
14.一種晶圓處理方法，其特征在于，所述方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓載片，其特征在于，應用于晶圓的靜電吸附，所述載片包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓載片，其特征在于，所述載片還包括：
3.根據權利要求2所述的晶圓載片，其特征在于，所述第二導電部件設置有多個，且任意所述第二導電部件的第二端相互間隔設置。
4.根據權利要求2所述的晶圓載片，其特征在于，所述載片還包括：
5.根據權利要求4所述的晶圓載片，其特征在于，所述第三導電部件環形設置在所述第一表面的邊緣，且與每個所述第二導電部件的第二端連接。
6.根據權利要求5所述的晶圓載片，其特征在于，所述第二導電部件遠離所述第二表面的一面與所述第一表面平齊；
7.根據權利要求4所述的晶圓載片，其特征在于，
8.根據權利要求1-7任一項所述的晶圓載片...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊健，
申請(專利權)人：深圳市昇維旭技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。