【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池，尤其涉及一種topcon太陽能電池背鈍化膜層結構及其制備方法。
技術介紹
1、晶硅電池生產中，電池片背鈍化是一種減少電池片背面電荷復合損失的技術。電池表面存在大量缺陷，會與少數載流子發生復合，導致載流子損失，降低電性能，通過在電池表面形成鈍化層，可以減少表面缺陷，降低表面復合速率，提高硅片少子壽命。
2、隨著電池表面技術的不斷提升，電池效率已有了較大幅度的提高，但是電池背表面較為嚴重的光學和電學損失已成為制約電池效率進一步提升的瓶頸。目前常見的背鈍化技術為sinx背鈍化鍍膜，采用氮化硅鈍化的背鈍化電池不僅可以大幅降低背表面電學復合速率，還可以形成良好的內部光學背反射機制，其中良好的背鈍化膜層結構設計，是提升背鈍化電池轉換效率的有效途徑之一。隨著對sinx的使用，電池背面鈍化優化已經進入瓶頸階段，為了增加背面光吸收，提高電池片轉換效率，亟需結合siox鈍化材料形成新的背鈍化結構。
3、因此，提供一種提高電性能的topcon太陽能電池背鈍化膜層結構及其制備方法，具有重要的意義。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于為了克服現有技術的不足而提供一種topcon太陽能電池背鈍化膜層結構及其制備方法，主要優化膜厚和折射率，調整膜層結構，實現多層背鈍化膜的膜層優化設計，提高太陽能電池的轉換效率。
2、為了實現上述專利技術目的，本專利技術提供以下技術方案：
3、本專利技術提供了一種topcon太陽能電池背鈍化膜層結構，背
4、作為優選，所述背鈍化膜層結構順次包含底層氮化硅膜、第二層氮化硅膜、第三層氮化硅膜、第四層氮化硅膜和第五層氧化硅膜；底層氮化硅膜的厚度為40～100nm，折射率為2.20～2.40；第二層氮化硅膜的厚度為30～
5、100nm，折射率為2.10～2.20；第三層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.10～2.20；第四層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.00～2.10；第五層氧化硅膜的厚度為10～30nm，折射率為1.45～1.50。
6、本專利技術還提供了所述的topcon太陽能電池背鈍化膜層結構的制備方法，包含如下步驟：
7、在topcon太陽能電池的背表面順次沉積底層氮化硅膜、第二層氮化硅膜、第三層氮化硅膜、第四層氮化硅膜、第五層氧化硅膜，得到topcon太陽能電池背鈍化膜層結構。
8、作為優選，沉積底層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為12000～16000w，通入的sih4與nh3的流量比為1：2～5，壓力為1500～1700mtorr。
9、作為優選，沉積第二層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為12000～16000w，通入的sih4與nh3的流量比為1：5～10，壓力為1500～1700mtorr。
10、作為優選，沉積第三層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為15000～18000w，通入的sih4與nh3的流量比為1：5～10，壓力為1600～1800mtorr。
11、作為優選，沉積第四層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為15000～18000w，通入的sih4與nh3的流量比為1：5～15，壓力為1600～1800mtorr。
12、作為優選，沉積第五層氧化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為10000～15000w，通入的sih4與n20的流量比為1：10～25，壓力為1500～1700mtorr。
13、作為優選，沉積底層氮化硅膜的過程中，sih4的流量為1000～3000sccm，nh3的流量為5000～10000sccm；沉積第二層氮化硅膜的過程中，sih4的流量為1000～2000sccm，nh3的流量為3000～9000sccm，沉積第三層氮化硅膜的過程中，sih4的流量為500～1000sccm，nh3的流量為5000～10000sccm，沉積第四層氮化硅膜的過程中，sih4的流量為500～1000sccm，nh3的流量為5000～10000sccm，沉積第五層氧化硅膜的過程中，sih4的流量為500～1000sccm，n20的流量為5000～15000sccm。
14、本專利技術的有益效果包括以下幾點：
15、1)本專利技術主要從光學、鈍化方面進行疊層背鈍化膜膜層設計，通過優化各層膜厚和折射率，提升太陽能電池背鈍化膜層結構的鈍化效果，進而提高轉換效率。本專利技術通過優化背鈍化電池的背鈍化膜層結構，有效提升了光吸收，同時提升背表面鈍化效果，提高了電池片效率。
16、2)本專利技術的太陽能電池背鈍化膜層結構(sinx/siox膜層結構)比常規sinx膜層結構的電性能都有所提升，使得背鈍化電池的轉換效率百分比絕對值提升0.05％以上，從光學反射率看，sinx/siox膜層結構的反射率在波長800～1000nm范圍內比sinx膜層結構有優勢。
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1.一種Topcon太陽能電池背鈍化膜層結構，其特征在于，背鈍化膜層結構為多層背鈍化疊層結構，順次包含氮化硅膜、氧化硅膜；氮化硅膜的層數為1～4層，氧化硅膜的層數為1層。
2.根據權利要求1所述的Topcon太陽能電池背鈍化膜層結構，其特征在于，所述背鈍化膜層結構順次包含底層氮化硅膜、第二層氮化硅膜、第三層氮化硅膜、第四層氮化硅膜和第五層氧化硅膜；底層氮化硅膜的厚度為40～100nm，折射率為2.20～2.40；第二層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.10～2.20；第三層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.10～2.20；第四層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.00～2.10；第五層氧化硅膜的厚度為10～30nm，折射率為1.45～1.50。
3.權利要求2所述的Topcon太陽能電池背鈍化膜層結構的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，沉積底層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為12000～16000W，通入的SiH4與NH3的流量比為1：2～5
5.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，沉積第二層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為12000～16000W，通入的SiH4與NH3的流量比為1：5～10，壓力為1500～1700mtorr。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，沉積第三層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為15000～18000W，通入的SiH4與NH3的流量比為1：5～10，壓力為1600～1800mtorr。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，沉積第四層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為15000～18000W，通入的SiH4與NH3的流量比為1：5～15，壓力為1600～1800mtorr。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，沉積第五層氧化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為10000～15000W，通入的SiH4與N20的流量比為1：10～25，壓力為1500～1700mtorr。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，沉積底層氮化硅膜的過程中，SiH4的流量為1000～3000sccm，NH3的流量為5000～10000sccm；沉積第二層氮化硅膜的過程中，SiH4的流量為1000～2000sccm，NH3的流量為3000～9000sccm，沉積第三層氮化硅膜的過程中，SiH4的流量為500～1000sccm，NH3的流量為5000～10000sccm，沉積第四層氮化硅膜的過程中，SiH4的流量為500～1000sccm，NH3的流量為5000～10000sccm，沉積第五層氧化硅膜的過程中，SiH4的流量為500～1000sccm，N20的流量為5000～15000sccm。
...【技術特征摘要】
1.一種topcon太陽能電池背鈍化膜層結構，其特征在于，背鈍化膜層結構為多層背鈍化疊層結構，順次包含氮化硅膜、氧化硅膜；氮化硅膜的層數為1～4層，氧化硅膜的層數為1層。
2.根據權利要求1所述的topcon太陽能電池背鈍化膜層結構，其特征在于，所述背鈍化膜層結構順次包含底層氮化硅膜、第二層氮化硅膜、第三層氮化硅膜、第四層氮化硅膜和第五層氧化硅膜；底層氮化硅膜的厚度為40～100nm，折射率為2.20～2.40；第二層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.10～2.20；第三層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.10～2.20；第四層氮化硅膜的厚度為30～100nm，折射率為2.00～2.10；第五層氧化硅膜的厚度為10～30nm，折射率為1.45～1.50。
3.權利要求2所述的topcon太陽能電池背鈍化膜層結構的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，沉積底層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為12000～16000w，通入的sih4與nh3的流量比為1：2～5，壓力為1500～1700mtorr。
5.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，沉積第二層氮化硅膜的過程中，溫度為420～550℃，射頻功率為12000～16000w，通入的sih4與nh3的流量比為1：5～10，壓力為1500～1700mtorr。
6.根據權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：歐文凱，
申請(專利權)人：江門普樂開瑞太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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