【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電子器件，特別涉及一種封裝內置變壓器及其生產方法。
技術介紹
1、變壓器是一種利用電磁感應原理改變電壓的裝置，是電路中的常用的器件。市面上的變壓器基本都是初次級做成一個整體，其形式上通常有基于電路板載體的平面變壓器、基于電路板載體的平面變壓器和基于陶瓷燒結的變壓器，其中基于電路板載體的平面變壓器，采用銅箔和半固化片壓合而成，初次級繞組一次成型，可以加工形成多層繞組層數，但是由于絕緣強度較低，上萬伏情景無法滿足，即使可以滿足也需要很厚的介質；基于晶圓的片上變壓器采用類似于再布線的技術，初次級線圈通過pi介質隔離，變壓器繞組層數依賴于再布線技術，無法加工形成多層繞組層數；另外隔離強度也取決于晶圓工藝，pi層無法做太厚，故耐壓上限較低；基于陶瓷燒結的變壓器則采用生瓷片和鎢導體燒結而成，耐壓高，但加工周期長，成本高。因此，現有變壓器存在耐壓性能低、多層繞組加工便利性較差、繞組匝數比固定不變以及加工周期長的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的是提出一種封裝內置變壓器及其生產方法，旨在解決現有變壓器存在耐壓性能低、多層繞組加工便利性較差、繞組匝數比固定不變以及加工周期長的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提出的封裝內置變壓器，包括：
3、初級繞組，包括第一線圈和第一絕緣封裝體，所述第一線圈設于所述第一絕緣封裝體內；
4、次級繞組，包括第二線圈和第二絕緣封裝體，所述第二線圈設于所述第二絕緣封裝體內；
5、絕緣介質層，設于
6、封裝框架，與所述初級繞組或所述次級繞組遠離所述絕緣介質層的一側連接；所述封裝框架與所述初級繞組或所述次級繞組電性連接。
7、在一實施例中，所述框架包括第一基島和第二基島，所述第一基島的一側與所述初級繞組或所述次級繞組連接，所述第二基島的一側與所述初級繞組或所述次級繞組連接，所述第一基島和所述第二基島分別設于所述初級繞組或所述次級繞組的兩端。
8、在一實施例中，所述封裝內置變壓器還包括第三絕緣封裝體，所述初級繞組、所述次級繞組、所述封裝框架設于所述第三絕緣封裝體內，所述框架引腳至少部分延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成管腳引出結構。
9、在一實施例中，所述第一基島遠離所述初級繞組或所述次級繞組的一側延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成第一引腳；所述第二基島的引腳遠離所述初級繞組或所述次級繞組的一側延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成第二引腳，所述引腳結構包括所述第一引腳和所述第二引腳。
10、在一實施例中，所述第一絕緣封裝體、所述第二絕緣封裝體和第三絕緣封裝體采用環氧樹脂或聚酯樹脂或丙烯酸樹脂或聚酰亞胺材料制作而成；和/或，
11、所述第三絕緣封裝體與所述封裝框架平行的相對兩側均設有平面。
12、在一實施例中，所述封裝內置變壓器還包括連接線，所述初級繞組或所述次級繞組通過所述連接線與所述封裝框架電性連接。
13、在一實施例中，所述封裝內置變壓器還包括第一磁體和第二磁體，所述第一磁體設于所述初級繞組遠離所述絕緣介質層的一側；所述第二磁體設于所述次級繞組遠離所述絕緣介質層的一側，所述第二磁體位于所述第一基板和所述第二基板之間。
14、在一實施例中，所述初級繞組和所述絕緣介質層粘接；和/或，
15、所述次級繞組與所述絕緣介質層粘接；和/或，
16、所述初級繞組或所述次級繞組與所述封裝框架粘接。
17、在一實施例中，所述絕緣介質層采用石英、聚四氟乙烯、環氧樹脂、云母、石棉、納米復合絕緣中的一種或多種材料材料制作而成。
18、本專利技術還提出一種封裝內置變壓器生產方法，包括以下步驟：
19、根據預設的輸入輸出性能選擇適配的第一線圈和第二線圈；
20、將熔融封裝材料與第一線圈結合，固化后形成初級繞組；
21、將熔融封裝材料與第二線圈結合，固化后形成次級繞組；
22、將初級繞組和次級繞組粘接于絕緣介質層的兩側；
23、將初級繞組或次級繞組與封裝框架粘接形成封裝內置變壓器。
24、本專利技術的技術方案通過在初級繞組和次級繞組之間加入絕緣介質層，并使初級繞組和次級繞組與框架電性連接，再通過框架引腳與外部電性連接；增設絕緣介質層可以增加初級繞組和次級繞組之間的物理距離，能有效降低整體的電場強度；且絕緣介質層可以使電場更均勻地分散，減少電場集中的區域，從而降低電壓器出現局部放電和擊穿的風險；因此，增設絕緣介質層能降低電場強度，同時使得電場分布更均勻，從而提高了封裝內置變壓器的耐壓性能。其次，初級繞組包括第一線圈和第一絕緣封裝體，次級繞組包括第二線圈和第二絕緣封裝體，便于初級繞組和次級繞組進行獨立制造和預組裝；也可以根據不同輸入輸出的需求，選擇不同性能的初級繞組和次級繞組進行組合，從而提高了封裝內置變壓器的加工靈活性和加工便利性；且由于初級繞組和次級繞組可以獨立和并行制造，從而縮短電壓器整體的加工周期，提高生產的效率。
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1.一種封裝內置變壓器，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述封裝框架組件包括第一基島和第二基島，所述第一基島的一側與所述初級繞組或所述次級繞組連接，所述第二基島的一側與所述初級繞組或所述次級繞組連接，所述第一基島和所述第二基島分別設于所述初級繞組或所述次級繞組的兩端。
3.如權利要求2所述的封裝內置變壓器，其特征在于，還包括第三絕緣封裝體，所述初級繞組、所述次級繞組、所述封裝框架設于所述第三絕緣封裝體內，所述封裝框架至少部分延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成引腳結構。
4.如權利要求3所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述第一基島的遠離所述初級繞組或所述次級繞組的一側延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成第一引腳；所述第二基島遠離所述初級繞組或所述次級繞組的一側延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成第二引腳，所述引腳結構包括所述第一引腳和所述第二引腳。
5.如權利要求4所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述第一絕緣封裝體、所述第二絕緣封裝體和第三絕緣封裝體采用環氧樹脂或聚酯樹脂或丙烯酸樹脂或聚酰亞胺材料
6.如權利要求1至5中任一項所述的封裝內置變壓器，其特征在于，還包括連接線，所述初級繞組或所述次級繞組通過所述連接線與所述封裝框架電性連接。
7.如權利要求2至5中任一項所述的封裝內置變壓器，其特征在于，還包括第一磁體和第二磁體，所述第一磁體設于所述初級繞組遠離所述絕緣介質層的一側；所述第二磁體設于所述次級繞組遠離所述絕緣介質層的一側，所述第二磁體位于所述第一基島和所述框架第二基島之間。
8.如權利要求1至5中任一項所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述初級繞組和所述絕緣介質層粘接；和/或，
9.如權利要求1至5中任一項所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述絕緣介質層用石英、聚四氟乙烯、環氧樹脂、云母、石棉、納米復合絕緣中的一種或多種材料制作而成。
10.一種封裝內置變壓器生產方法，其特征在于，包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種封裝內置變壓器，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述封裝框架組件包括第一基島和第二基島，所述第一基島的一側與所述初級繞組或所述次級繞組連接，所述第二基島的一側與所述初級繞組或所述次級繞組連接，所述第一基島和所述第二基島分別設于所述初級繞組或所述次級繞組的兩端。
3.如權利要求2所述的封裝內置變壓器，其特征在于，還包括第三絕緣封裝體，所述初級繞組、所述次級繞組、所述封裝框架設于所述第三絕緣封裝體內，所述封裝框架至少部分延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成引腳結構。
4.如權利要求3所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述第一基島的遠離所述初級繞組或所述次級繞組的一側延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成第一引腳；所述第二基島遠離所述初級繞組或所述次級繞組的一側延伸至所述第三絕緣封裝體的外部形成第二引腳，所述引腳結構包括所述第一引腳和所述第二引腳。
5.如權利要求4所述的封裝內置變壓器，其特征在于，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李成，馮毅，張亞運，
申請(專利權)人：德氪微電子深圳有限公司，
類型：發明
國別省市：
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