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    裝置和方法制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):44174441 閱讀:15 留言:0更新日期:2025-02-06 18:20
    目的在于提供用于以非侵襲的方式對(duì)電解槽具有的電極中包含的稀有金屬的殘留量進(jìn)行評(píng)價(jià)的裝置和方法。一種裝置,其具有管理部,該管理部基于具備一個(gè)或多個(gè)電解單元的電解槽的運(yùn)轉(zhuǎn)歷史信息,來(lái)記錄所述電解單元具有的電極的使用歷史信息。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】

    本專利技術(shù)涉及裝置和方法。


    技術(shù)介紹

    1、在電分解(電解)中主要利用使用了具備離子交換膜的電解槽的離子交換膜法,能量消耗量的削減、即電解電壓的降低是較大的課題。例如,通過(guò)使用專利文獻(xiàn)1所示的電解槽,能夠大幅地抑制使用電力。

    2、此外,近年來(lái),為了解決二氧化碳等溫室效應(yīng)氣體導(dǎo)致的全球變暖、化石燃料的儲(chǔ)量減少等問(wèn)題,正在持續(xù)開(kāi)發(fā)以削減消耗電力為目的的技術(shù)。

    3、例如,當(dāng)關(guān)注電解用的電極時(shí),正在進(jìn)行促進(jìn)陽(yáng)極反應(yīng)或陰極反應(yīng)的電極涂層組成的開(kāi)發(fā)、電極形狀等的研究。(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。

    4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

    5、專利文獻(xiàn)

    6、專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2021-172867號(hào)公報(bào)

    7、專利文獻(xiàn)2:日本專利第6670948號(hào)公報(bào)


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、專利技術(shù)要解決的問(wèn)題

    2、然而,近來(lái),根據(jù)降低環(huán)境負(fù)荷等可持續(xù)性的觀點(diǎn),正在為了延長(zhǎng)設(shè)備的壽命并更有效地利用而進(jìn)行研究。當(dāng)電解槽的電極老化時(shí),性能降低,最終達(dá)到壽命,但是,如果進(jìn)行與電極的使用歷史相應(yīng)的適當(dāng)?shù)男扪a(bǔ),則能夠恢復(fù)電極的性能,更長(zhǎng)時(shí)間地進(jìn)行使用。關(guān)于對(duì)電極的使用歷史、修補(bǔ)歷史等進(jìn)行管理并將其用于設(shè)備的長(zhǎng)壽化從而實(shí)現(xiàn)稀有資源的進(jìn)一步利用和可持續(xù)性的提高,基本沒(méi)有進(jìn)行研究。

    3、本專利技術(shù)是鑒于上述課題而完成的,其目的在于提供如下的裝置和方法:通過(guò)對(duì)電解槽的電極的使用歷史進(jìn)行管理,進(jìn)而適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)電極的壽命,有助于更長(zhǎng)時(shí)間地使用電極。

    4、用于解決問(wèn)題的手段

    5、即,本專利技術(shù)如下。

    6、〔1〕

    7、一種裝置,其具有管理部,該管理部基于具備一個(gè)或多個(gè)電解單元的電解槽的運(yùn)轉(zhuǎn)歷史信息,來(lái)記錄所述電解單元具有的電極的使用歷史信息。

    8、〔2〕

    9、根據(jù)〔1〕所述的裝置,其中,

    10、所述電極的所述使用歷史信息包含電極的修補(bǔ)歷史。

    11、〔3〕

    12、根據(jù)〔1〕或〔2〕所述的裝置,其中,

    13、所述管理部記錄所述電極的金屬量評(píng)價(jià)值作為所述使用歷史信息。

    14、〔4〕

    15、根據(jù)〔3〕所述的裝置,其中,

    16、所述金屬量評(píng)價(jià)值包含從由釕、銠、鈀、鋨、銥和鉑構(gòu)成的組中選擇出的貴金屬的涂層殘量。

    17、〔5〕

    18、根據(jù)〔1〕~〔4〕中的任意一項(xiàng)所述的裝置,其中,

    19、所述管理部記錄所述電解單元具有的所述電極的熒光x射線分析數(shù)據(jù)、電感耦合等離子體發(fā)射光分析數(shù)據(jù)、x射線衍射數(shù)據(jù)、或x射線光電子能譜分析數(shù)據(jù)。

    20、〔6〕

    21、根據(jù)〔1〕~〔5〕中的任意一項(xiàng)所述的裝置,其中,

    22、所述裝置具有評(píng)價(jià)部,該評(píng)價(jià)部基于所述電極的所述使用歷史信息,來(lái)評(píng)價(jià)所述電極將來(lái)的性能。

    23、〔7〕

    24、根據(jù)〔6〕所述的裝置,其中,

    25、所述評(píng)價(jià)部對(duì)所述金屬量評(píng)價(jià)值和雜質(zhì)評(píng)價(jià)值的大小進(jìn)行評(píng)價(jià),基于評(píng)價(jià)結(jié)果輸出最能夠延續(xù)性能或暫時(shí)最能夠提高性能的修補(bǔ)內(nèi)容。

    26、〔8〕

    27、根據(jù)〔1〕~〔7〕中的任意一項(xiàng)所述的裝置,其中,

    28、所述裝置還具有建議所述電解槽的運(yùn)轉(zhuǎn)條件的運(yùn)轉(zhuǎn)建議部,

    29、所述運(yùn)轉(zhuǎn)建議部基于所述使用歷史信息,建議用于進(jìn)一步提高電流效率的所述運(yùn)轉(zhuǎn)條件,

    30、所述運(yùn)轉(zhuǎn)條件包含電壓條件和電解液的流量條件。

    31、〔9〕

    32、根據(jù)〔1〕~〔8〕中的任意一項(xiàng)所述的裝置,其中,

    33、所述裝置還具有建議所述電解槽的停止條件的停止建議部,

    34、所述停止建議部基于所述使用歷史信息,建議電極的金屬量不容易減少的所述停止條件,

    35、所述停止條件包含電流的衰減條件和/或電解液的流量的增加條件。

    36、〔10〕

    37、根據(jù)〔1〕~〔9〕中的任意一項(xiàng)所述的裝置,其中,

    38、所述電解槽具備多個(gè)所述電解單元,

    39、所述裝置還具有位置變更建議部,該位置變更建議部基于所述使用歷史信息,建議變更所述電極的金屬量或雜質(zhì)量相對(duì)高的所述電解單元與所述電極的金屬量或雜質(zhì)量相對(duì)低的所述電解單元在所述電解槽中的位置。

    40、〔11〕

    41、根據(jù)〔6〕所述的裝置,其中,

    42、所述評(píng)價(jià)部基于所述電極的所述使用歷史信息以及預(yù)定進(jìn)行的修補(bǔ)方法,來(lái)評(píng)價(jià)修補(bǔ)后的所述電極將來(lái)的性能。

    43、〔12〕

    44、一種方法,其中,

    45、裝置執(zhí)行如下處理:

    46、基于具備一個(gè)或多個(gè)電解單元的電解槽的運(yùn)轉(zhuǎn)歷史信息,來(lái)記錄所述電解單元具有的電極的使用歷史信息。

    47、〔13〕

    48、一種程序,其中,

    49、所述程序使裝置執(zhí)行如下處理:

    50、基于具備一個(gè)或多個(gè)電解單元的電解槽的運(yùn)轉(zhuǎn)歷史信息,來(lái)記錄所述電解單元具有的電極的使用歷史信息。

    51、專利技術(shù)的效果

    52、根據(jù)本專利技術(shù),能夠提供如下的裝置和方法:通過(guò)對(duì)電解槽的電極的使用歷史進(jìn)行管理,進(jìn)而適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)電極的壽命,有助于更長(zhǎng)時(shí)間地使用電極。

    本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種裝置,其具有管理部,該管理部基于具備一個(gè)或多個(gè)電解單元的電解槽的運(yùn)轉(zhuǎn)歷史信息,來(lái)記錄所述電解單元具有的電極的使用歷史信息。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中,

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中,

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中,

    12.一種方法,其中,

    13.一種程序,其中,

    【技術(shù)特征摘要】
    【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】

    1.一種裝置,其具有管理部,該管理部基于具備一個(gè)或多個(gè)電解單元的電解槽的運(yùn)轉(zhuǎn)歷史信息,來(lái)記錄所述電解單元具有的電極的使用歷史信息。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中,

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,

    6.根據(jù)權(quán)...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:和田義史川井智美,船川明恭,角佳典,
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:旭化成株式會(huì)社,
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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