【技術實現步驟摘要】
本
技術實現思路
是關于一種光電組件模塊及其制造方法。
技術介紹
1、矩陣型光電組件模塊有各種應用。舉例來說，主動矩陣有機發光二極管(active-matrix?organic?light-emitting?diode,amoled)為目前的主流顯示技術，主要由發光組件與驅動電路所構成。類似應用亦可用于傳感器用途，例如將驅動電路改變為讀出電路(readout?circuit,roic)，再組合roic與感光二極管形成影像傳感器，例如cmos影像傳感器、指紋掃描儀或數字x射線顯像裝置。
2、為了提升光二極管的性能(例如光電轉換效率、靈敏度、發光波長范圍及/或感光波長范圍)及降低光二極管的成本，目前已開發出許多可應用于光二極管的新材料。然而，這些材料可能無法直接應用于目前基于硅的影像傳感器制造中。舉例來說，工藝的高溫或真空鍍膜時的物理性沖擊可能會損傷這些材料的性質。
技術實現思路
1、本
技術實現思路
提供一種光電組件模塊，其包括電路模塊和光電轉換模塊。電路模塊包括第一電極。光電轉換模塊設置于電路模塊上，其中光電轉換模塊包括第二電極、光活性層、透光電極及透光基板。第二電極電性連接第一電極。光活性層設置于第二電極上。透光電極設置于光活性層上。透光基板設置于透光電極上。
2、在一些實施方式中，第一電極直接接觸第二電極。
3、在一些實施方式中，第一電極及第二電極形成奧姆接面。
4、在一些實施方式中，透光基板允許可見光、近紅外光或短波紅外(short-w
5、在一些實施方式中，透光基板的材料包括聚酰亞胺(polyimide,pi)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene?terephthalate,pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,pen)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、硅(si)或其組合。
6、在一些實施方式中，光電組件模塊更包括光學功能層，其中光學功能層設置于透光基板上或設置于透光電極與透光基板之間。
7、在一些實施方式中，光電組件模塊更包括導電塊，其中第一電極通過導電塊電性連接第二電極。
8、在一些實施方式中，光電組件模塊更包括設置于透光電極與光活性層之間的第一載子傳輸層及設置于光活性層與第二電極之間的第二載子傳輸層。
9、在一些實施方式中，第二電極覆蓋第二載子傳輸層的下表面及側面、光活性層的側面及第一載子傳輸層的側面。
10、在一些實施方式中，電路模塊更包括第三電極，第三電極通過導電塊電性連接透光電極。
11、在一些實施方式中，光電組件模塊更包括密封劑(sealant)，其中密封劑設置于光電轉換模塊的邊緣及電路模塊的邊緣之間，密封劑、光電轉換模塊及電路模塊環繞密閉腔室。
12、在一些實施方式中，光活性層包括有機半導體、無機半導體、量子點、鈣鈦礦(perovskite)或其組合。
13、本
技術實現思路
提供一種制造光電組件模塊的方法，其包括以下操作。接收電路模塊，其中電路模塊包括第一電極。形成光電轉換模塊，其包括：形成透光電極于透光基板上、形成光活性層于透光電極上，以及形成第二電極于光活性層上。接合電路模塊及光電轉換模塊，以使第二電極電性連接第一電極。
14、在一些實施方式中，接合電路模塊及光電轉換模塊是通過貼合、黏合或焊接來執行。
15、在一些實施方式中，方法更包括：在形成透光電極于透光基板上之前，形成光學功能層覆蓋透光基板的上表面。
16、在一些實施方式中，方法更包括：在形成透光電極于透光基板上之前或之后，形成光學功能層覆蓋透光基板的下表面。
17、在一些實施方式中，方法更包括：設置密封劑于光電轉換模塊的邊緣及電路模塊的邊緣之間，以形成被密封劑、光電轉換模塊及電路模塊環繞的密閉腔室。
18、在一些實施方式中，方法更包括：在形成光活性層于透光電極上之前，形成第一載子傳輸層于透光電極上；以及在形成第二電極于光活性層上之前，形成第二載子傳輸層于光活性層上。
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1.一種光電組件模塊，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該第一電極直接接觸該第二電極。
3.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該第一電極及該第二電極形成一奧姆接面。
4.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該透光基板允許可見光、近紅外光或短波紅外光穿透。
5.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該透光基板的材料包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅或其組合。
6.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，更包括光學功能層，其中該光學功能層設置于該透光基板上或設置于該透光電極與該透光基板的間。
7.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，更包括導電塊，其中該第一電極通過該導電塊電性連接該第二電極。
8.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，更包括：
9.如權利要求8所述的光電組件模塊，其特征在于，該第二電極覆蓋該第二載子傳輸層的下表面及側面、該光活性層的側面及該第一載子傳輸層的側面。>
10.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該電路模塊更包括第三電極，該第三電極通過導電塊電性連接該透光電極。
11.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，更包括密封劑，其中該密封劑設置于該光電轉換模塊的邊緣及該電路模塊的邊緣之間，該密封劑、該光電轉換模塊及該電路模塊環繞密閉腔室。
12.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該光活性層包括有機半導體、無機半導體、量子點、鈣鈦礦或其組合。
13.一種制造光電組件模塊的方法，其特征在于，包括：
14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，接合該電路模塊及該光電轉換模塊是通過貼合、黏合或焊接來執行。
15.如權利要求13所述的方法，其特征在于，更包括：在形成該透光電極于該透光基板上之前，形成光學功能層覆蓋該透光基板的上表面。
16.如權利要求13所述的方法，其特征在于，更包括：在形成該透光電極于該透光基板上之前或之后，形成光學功能層覆蓋該透光基板的下表面。
17.如權利要求13所述的方法，其特征在于，更包括：設置密封劑于該光電轉換模塊的邊緣及該電路模塊的邊緣之間，以形成被該密封劑、該光電轉換模塊及該電路模塊環繞的密閉腔室。
18.如權利要求13所述的方法，其特征在于，更包括：
...【技術特征摘要】
1.一種光電組件模塊，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該第一電極直接接觸該第二電極。
3.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該第一電極及該第二電極形成一奧姆接面。
4.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該透光基板允許可見光、近紅外光或短波紅外光穿透。
5.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該透光基板的材料包括聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅或其組合。
6.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，更包括光學功能層，其中該光學功能層設置于該透光基板上或設置于該透光電極與該透光基板的間。
7.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，更包括導電塊，其中該第一電極通過該導電塊電性連接該第二電極。
8.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，更包括：
9.如權利要求8所述的光電組件模塊，其特征在于，該第二電極覆蓋該第二載子傳輸層的下表面及側面、該光活性層的側面及該第一載子傳輸層的側面。
10.如權利要求1所述的光電組件模塊，其特征在于，該電路模塊更包括第三電極...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張怡鳴，蔡承恩，許崇維，
申請(專利權)人：天光材料科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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