【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體集成電路制造領域，特別涉及一種半導體器件及其制造方法。
技術介紹
1、soi(semiconductor-on-insulator,絕緣體上半導體)襯底包括下層襯底、絕緣埋層和半導體層，下層襯底和半導體層由絕緣埋層隔開。soi襯底廣泛用于制造半導體器件，這種襯底形成的集成電路與僅由單晶硅形成的常規襯底上形成的類似電路相比具有相當大的優勢，這些優勢包括，更快的開關速度，更強的抗噪聲能力，更小的損耗電流，減少寄生電容，更強的抗輻射效應等。
2、soi襯底中的半導體層通常具有相同的材質或相同的晶面取向，在soi襯底上制備不同的器件時，同一材質或同一晶面取向的半導體層不能滿足不同器件的要求。
3、因此，如何根據實際需求，在soi襯底中形成不同材質或不同晶面取向的半導體層是目前亟需解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種半導體器件及其制造方法，使得能夠在同一soi襯底上制作不同的器件區域。
2、為實現上述目的，本專利技術提供了一種半導體器件的制造方法，包括：
3、形成第一襯底，所述第一襯底包括第一基底和形成于所述第一基底上的第一半導體層和第二半導體層；
4、形成第二襯底，所述第二襯底包括第二基底和形成于所述第二基底上的絕緣層；
5、將所述第一半導體層和所述第二半導體層遠離所述第一基底的一面與所述絕緣層遠離所述第二基底的一面鍵合；
6、去除所述第一基底，以形成soi襯底，
7、可選地，形成所述第一襯底的步驟包括：
8、提供第一基底，形成第一半導體層于所述第一基底上；
9、刻蝕所述第一半導體層，以形成暴露出所述第一基底部分表面的第一溝槽；
10、形成第二半導體層于所述第一溝槽中；或者，
11、提供基底；
12、刻蝕所述基底，在基底中形成第一溝槽；
13、形成第二半導體層于所述第一溝槽中，所述基底中與所述第二半導體層的頂面和底面齊平的區域為第一半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層下方的所述基底為第一基底；
14、其中，所述第一基底、所述第一半導體層和所述第二半導體層的晶面取向相同，所述第一半導體層和所述第二半導體層的材質不同。
15、可選地，形成所述第一襯底的步驟包括：
16、提供犧牲soi襯底，所述犧牲soi襯底包括自下向上的犧牲下層襯底、犧牲絕緣埋層和第一半導體層；
17、刻蝕所述第一半導體層和所述犧牲絕緣埋層，以形成暴露出所述犧牲下層襯底的第二溝槽；
18、形成半導體材料層于所述第二溝槽中，所述第一半導體層高度范圍內的所述半導體材料層作為所述第二半導體層，所述犧牲下層襯底、所述第二溝槽外圍的所述犧牲絕緣埋層以及所述犧牲絕緣埋層高度范圍內的所述半導體材料層作為所述第一基底。
19、可選地，所述半導體材料層與所述犧牲下層襯底的晶面取向相同，所述犧牲下層襯底與所述第一半導體層的晶面取向不同，和/或，所述半導體材料層與所述第一半導體層的材質不同。
20、可選地，所述第一器件區的所述半導體層與所述第二器件區的所述半導體層的晶面取向和/或材質不同。
21、可選地，所述第一半導體層與所述第二半導體層的頂面齊平。
22、可選地，所述第一半導體層和所述第二半導體層為單晶。
23、本專利技術還提供一種半導體器件，包括soi襯底，所述soi襯底包括自下向上的下層襯底、絕緣埋層和半導體層，所述soi襯底包括第一器件區和第二器件區，所述第一器件區的所述半導體層與所述第二器件區的所述半導體層的晶面取向和/或材質不同。
24、可選地，所述第一器件區的所述半導體層頂面與所述第二器件區的所述半導體層頂面齊平。
25、可選地，所述第一器件區的所述半導體層與所述第二器件區的所述半導體層為單晶。
26、與現有技術相比，本專利技術的技術方案具有以下有益效果：
27、1、本專利技術的半導體器件的制造方法，由于包括：形成第一襯底，所述第一襯底包括第一基底和形成于所述第一基底上的第一半導體層和第二半導體層；形成第二襯底，所述第二襯底包括第二基底和形成于所述第二基底上的絕緣層；將所述第一半導體層和所述第二半導體層遠離所述第一基底的一面與所述絕緣層遠離所述第二基底的一面鍵合；去除所述第一基底，以形成soi襯底，所述soi襯底包括自下向上的下層襯底、絕緣埋層和半導體層，所述soi襯底包括第一器件區和第二器件區，所述第二基底作為所述下層襯底，所述絕緣層作為所述絕緣埋層，所述第一半導體層作為所述第一器件區的所述半導體層，所述第二半導體層作為所述第二器件區的所述半導體層，使得能夠在同一soi襯底上制作不同的器件區域。
28、2、本專利技術的半導體器件，由于包括：soi襯底，所述soi襯底包括自下向上的下層襯底、絕緣埋層和半導體層，所述soi襯底包括第一器件區和第二器件區，所述第一器件區的所述半導體層與所述第二器件區的所述半導體層的晶面取向和/或材質不同，使得能夠在同一soi襯底上制作不同的器件區域。
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1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一襯底的步驟包括：
3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一襯底的步驟包括：
4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體材料層與所述犧牲下層襯底的晶面取向相同，所述犧牲下層襯底與所述第一半導體層的晶面取向不同，和/或，所述半導體材料層與所述第一半導體層的材質不同。
5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一器件區的所述半導體層與所述第二器件區的所述半導體層的晶面取向和/或材質不同。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一半導體層與所述第二半導體層的頂面齊平。
7.如權利要求1-6任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一半導體層和所述第二半導體層為單晶。
8.一種半導體器件，其特征在于，包括SOI襯底，所述SOI襯底包括自下向上的下層襯底、絕緣埋層和半導體層，所述SOI襯底
9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一器件區的所述半導體層頂面與所述第二器件區的所述半導體層頂面齊平。
10.如權利要求8或9所述的半導體器件，其特征在于，所述第一器件區的所述半導體層與所述第二器件區的所述半導體層為單晶。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一襯底的步驟包括：
3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一襯底的步驟包括：
4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體材料層與所述犧牲下層襯底的晶面取向相同，所述犧牲下層襯底與所述第一半導體層的晶面取向不同，和/或，所述半導體材料層與所述第一半導體層的材質不同。
5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一器件區的所述半導體層與所述第二器件區的所述半導體層的晶面取向和/或材質不同。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征...
【專利技術屬性】
技術研發人員：田國軍，張偉光，王同信，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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