【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種存儲(chǔ)，尤其涉及一種存儲(chǔ)器控制方法以及存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置。
技術(shù)介紹
1、近年來，隨著電子產(chǎn)品技術(shù)的迅猛進(jìn)步，消費(fèi)者對于電子存儲(chǔ)產(chǎn)品的體驗(yàn)要求日益提升，市場對更高速度與更便捷存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增長。nand閃存(flash)憑借其數(shù)據(jù)非易失性、低功耗、緊湊設(shè)計(jì)、無運(yùn)動(dòng)部件以及快速讀寫速度等特點(diǎn)，在手機(jī)及智能傳感設(shè)備等移動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)了卓越的優(yōu)勢。
2、伴隨著閃存技術(shù)的快速演進(jìn)，nand閃存經(jīng)歷了從二維(2d)向三維(3d)的轉(zhuǎn)變，并且在存儲(chǔ)單元上，也從單一層數(shù)存儲(chǔ)單元(slc)逐步進(jìn)化至三層(tlc)乃至四層(qlc)存儲(chǔ)單元，這一系列的技術(shù)革新極大地提升了nand閃存的存儲(chǔ)密度，同時(shí)降低了每單位容量的成本。然而，隨著閃存存儲(chǔ)器內(nèi)部氧化層厚度的不斷減薄，擦寫操作對存儲(chǔ)介質(zhì)的影響變得更加顯著，從而影響了閃存存儲(chǔ)器的耐用性和可靠性。
3、鑒于此，如何有效管理nand閃存，成為了當(dāng)前業(yè)內(nèi)工程師們關(guān)注的核心課題之一。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的范例實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器控制方法以及存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，可在保證數(shù)據(jù)可靠性的基礎(chǔ)上，延長存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置的使用壽命，還能進(jìn)一步提高系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性，確保用戶獲得更加流暢和可靠的使用體驗(yàn)。
2、本專利技術(shù)的范例實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器控制方法，用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)實(shí)體單元，且所述多個(gè)實(shí)體單元分別被標(biāo)記為第一類型、第二類型、第三類型或第四類型。所述存
3、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中所述第一預(yù)設(shè)條件包括：所述目標(biāo)操作不為讀取操作，或所述目標(biāo)操作為所述讀取操作且所述執(zhí)行次數(shù)不大于讀取閾值，其中所述執(zhí)行次數(shù)為讀取次數(shù)。
4、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中所述第二預(yù)設(shè)條件包括：所述執(zhí)行次數(shù)不大于抹除閾值，其中所述執(zhí)行次數(shù)為抹除次數(shù)。
5、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中在獲取所述第一實(shí)體單元的所述執(zhí)行次數(shù)的步驟之前，還包括：判斷對應(yīng)于所述目標(biāo)操作的操作溫度或操作電壓是否異常；以及若所述操作溫度以及所述操作電壓的至少其中之一異常，暫不標(biāo)記所述第一實(shí)體單元。
6、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：若所述執(zhí)行次數(shù)及所述目標(biāo)操作的所述操作類型指示所述第一實(shí)體單元不滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，暫不標(biāo)記所述第一實(shí)體單元。
7、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：若所述第一實(shí)體單元為所述第三類型，將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第四類型。
8、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：若所述第一實(shí)體單元不為所述第三類型且所述執(zhí)行次數(shù)指示所述第一實(shí)體單元不滿足所述第二預(yù)設(shè)條件，將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型。
9、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型的步驟包括：判斷所述目標(biāo)操作是否為讀取操作；若所述目標(biāo)操作為讀取操作，則將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型。
10、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：若所述目標(biāo)操作不為讀取操作，則將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第四類型。
11、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：若所述第一實(shí)體單元為所述第二類型，將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型。
12、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：在閑置狀態(tài)下，基于被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元的存取模式，對被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元執(zhí)行目標(biāo)測試操作；以及若是所述目標(biāo)測試操作為成功，將被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元重新標(biāo)記為所述第一類型。
13、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：若是所述目標(biāo)測試操作為失敗且所述存取模式為單階存儲(chǔ)單元存取模式，將被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第四類型。
14、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器控制方法還包括：若是所述目標(biāo)測試操作為失敗且所述存取模式不為所述單階存儲(chǔ)單元存取模式，將被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型。
15、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中所述所述操作類型用以表征所述目標(biāo)操作為抹除操作、寫入操作或讀取操作。
16、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中所述多個(gè)實(shí)體單元初始皆為所述第一類型。
17、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中被標(biāo)記為所述第三類型的所述第一實(shí)體單元僅可用于單階存儲(chǔ)單元存取模式。
18、本專利技術(shù)的范例實(shí)施例另提供一種存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其包括連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊以及存儲(chǔ)器控制電路單元。所述存儲(chǔ)器控制電路單元耦接至所述連接接口單元與所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊。所述連接接口單元用以耦接至主機(jī)系統(tǒng)。所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)實(shí)體單元，且所述多個(gè)實(shí)體單元分別被標(biāo)記為第一類型、第二類型、第三類型或第四類型。當(dāng)針對第一實(shí)體單元所執(zhí)行的目標(biāo)操作發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，所述存儲(chǔ)器控制電路單元用以獲取所述第一實(shí)體單元的執(zhí)行次數(shù)。若所述執(zhí)行次數(shù)及所述目標(biāo)操作的操作類型指示所述第一實(shí)體單元滿足第一預(yù)設(shè)條件，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷所述第一實(shí)體單元是否為所述第三類型。若所述第一實(shí)體單元不為所述第三類型且所述執(zhí)行次數(shù)指示所述第一實(shí)體單元滿足第二預(yù)設(shè)條件，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷所述第一實(shí)體單元是否為所述第二類型。若所述第一實(shí)體單元不為所述第二類型，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第二類型。
19、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，在所述存儲(chǔ)器控制電路單元獲取所述第一實(shí)體單元的所述執(zhí)行次數(shù)的步驟之前，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷對應(yīng)于所述目標(biāo)操作的操作溫度或操作電壓是否異常。若所述操作溫度以及所述操作電壓的至少其中之一異常，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以暫不標(biāo)記所述第一實(shí)體單元。
20、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中若所述執(zhí)行次數(shù)及所述目標(biāo)操作的所述操作類型指示所述第一實(shí)體單元不滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以暫不標(biāo)記所述第一實(shí)體單元。
21、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中若所述第一實(shí)體單元為所述第三類型，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第四類型。
22、在本專利技術(shù)的范例實(shí)施例中，其中若所述第一實(shí)體單元不為所述第三類型且所述執(zhí)行次數(shù)指示所述第一實(shí)體單元不滿足所述第二預(yù)設(shè)條件，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于，用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)實(shí)體單元，且所述多個(gè)實(shí)體單元分別被標(biāo)記為第一類型、第二類型、第三類型或第四類型，所述存儲(chǔ)器控制方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述第二預(yù)設(shè)條件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，在獲取所述第一實(shí)體單元的所述執(zhí)行次數(shù)的步驟之前，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型的步驟，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
1
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述操作類型用以表征所述目標(biāo)操作為抹除操作、寫入操作或讀取操作。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述多個(gè)實(shí)體單元初始皆為所述第一類型。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，被標(biāo)記為所述第三類型的所述第一實(shí)體單元僅可用于單階存儲(chǔ)單元存取模式。
17.一種存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，所述第二預(yù)設(shè)條件包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，在所述存儲(chǔ)器控制電路單元獲取所述第一實(shí)體單元的所述執(zhí)行次數(shù)之前，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷對應(yīng)于所述目標(biāo)操作的操作溫度或操作電壓是否異常，并且
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若所述執(zhí)行次數(shù)及所述目標(biāo)操作的所述操作類型指示所述第一實(shí)體單元不滿足所述第一預(yù)設(shè)條件，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以暫不標(biāo)記所述第一實(shí)體單元。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若所述第一實(shí)體單元為所述第三類型，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第四類型。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若所述第一實(shí)體單元不為所述第三類型且所述執(zhí)行次數(shù)指示所述第一實(shí)體單元不滿足所述第二預(yù)設(shè)條件，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷所述目標(biāo)操作是否為讀取操作，
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若所述目標(biāo)操作不為讀取操作，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第四類型。
26.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若所述第一實(shí)體單元為所述第二類型，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型。
27.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，在空閑狀態(tài)下，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以基于被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元的存取模式，對被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元執(zhí)行目標(biāo)測試操作，并且
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若是所述目標(biāo)測試操作為失敗且所述存取模式為單階存儲(chǔ)單元存取模式，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第四類型。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若是所述目標(biāo)測試操作為失敗且所述存取模式不為單階存儲(chǔ)單元存取模式，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以將被標(biāo)記為所述第二類型的所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型。
30.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，所述操作類型用以表征所述目標(biāo)操作為抹除操作、寫入操作或讀取操作。
31.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，所述多個(gè)實(shí)體單元初始皆為所述第一類型。
32.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，被標(biāo)記為所述第三類型的所述第一實(shí)體單元僅可用于單階存儲(chǔ)單元存取模式。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于，用于可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊，其中所述可復(fù)寫式非易失性存儲(chǔ)器模塊包括多個(gè)實(shí)體單元，且所述多個(gè)實(shí)體單元分別被標(biāo)記為第一類型、第二類型、第三類型或第四類型，所述存儲(chǔ)器控制方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述第二預(yù)設(shè)條件包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，在獲取所述第一實(shí)體單元的所述執(zhí)行次數(shù)的步驟之前，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中將所述第一實(shí)體單元標(biāo)記為所述第三類型的步驟，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制方法，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述操作類型用以表征所述目標(biāo)操作為抹除操作、寫入操作或讀取操作。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，所述多個(gè)實(shí)體單元初始皆為所述第一類型。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器控制方法，其中，被標(biāo)記為所述第三類型的所述第一實(shí)體單元僅可用于單階存儲(chǔ)單元存取模式。
17.一種存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，所述第二預(yù)設(shè)條件包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，在所述存儲(chǔ)器控制電路單元獲取所述第一實(shí)體單元的所述執(zhí)行次數(shù)之前，所述存儲(chǔ)器控制電路單元還用以判斷對應(yīng)于所述目標(biāo)操作的操作溫度或操作電壓是否異常，并且
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置，其中，若所述執(zhí)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭燕，管冬生，王志，朱啟傲，吳宗霖，
申請(專利權(quán))人：合肥開夢科技有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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