【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及光電，尤其涉及一種復(fù)合材料及其制備方法、發(fā)光器件及顯示裝置。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體材料中有兩種載流子，分別為價帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子。根據(jù)半導(dǎo)體材料中電子和空穴的濃度差別，分為n型半導(dǎo)體材料和p型半導(dǎo)體材料。其中，n型半導(dǎo)體材料也被稱為電子型半導(dǎo)體，自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體材料也被稱為空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體，或者說是空穴濃度遠大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
2、n型半導(dǎo)體材料由于較好的電子注入性能而被廣泛用作電子傳輸和注入材料，但其成膜性較差等一定程度上制約了其應(yīng)用。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N復(fù)合材料及其制備方法、發(fā)光器件及顯示裝置，旨在改善成膜性的同時，使復(fù)合材料具有較好的電子注入性能。
2、本申請實施例是這樣實現(xiàn)的：
3、第一方面，提供一種復(fù)合材料，包括第一金屬氧化物摻雜的n型金屬氧化物，其中，所述n型金屬氧化物的表面連接有帶負電性的有機基團，其中，所述有機基團包括如下結(jié)構(gòu)中的一種或多種：
4、
5、其中，r1、r3、r4獨立地選自h、d、取代或未取代的c1～c30的鏈烷基、取代或未取代的c3～c30的環(huán)烷基、取代或未取代的c2～c30的鏈烯基、取代或未取代的c3～c30的環(huán)烯基、取代或未取代的c2～c30的鏈炔基、取代或未取代的c6～c30的環(huán)炔基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6～30的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～30的雜芳基中的一種或
6、r2、r5選自h、d、鹵素、硝基、氰基、取代或未取代的c1～c30的鏈烷基、取代或未取代的c3～c30的環(huán)烷基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的烷硫基、取代或未取代的c2～c30的鏈烯基、取代或未取代的c3～c30的環(huán)烯基、取代或未取代的c2～c30的鏈炔基、取代或未取代的c6～c30的環(huán)炔基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～30的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～30的雜芳基中的一種或多種的組合；
7、所述的取代基選自鹵素、硝基、氰基、羧基、羥基、c1～c10的烷氧基羰基、c1～c10的鏈烷基、c3～c10的環(huán)烷基中的一種或多種的組合；
8、n為0～4的整數(shù)，m為0～6的整數(shù)。
9、第二方面，本申請實施例還提供一種復(fù)合材料的制備方法，包括：提供第一混合物，所述第一混合物中包括n型金屬氧化物和第一溶劑，其中，所述第一溶劑中包括空穴犧牲劑；
10、對所述第一混合物進行第一次光照處理后，向所述第一混合物中加入有機第一金屬鹽，并繼續(xù)進行第二次光照處理，得到復(fù)合材料。
11、第三方面，本申請實施例還提供一種發(fā)光器件，包括：相對設(shè)置的第一電極和第二電極；發(fā)光層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間；電子功能層，設(shè)置在所述第二電極與所述發(fā)光層之間；其中，所述電子功能層的材料包括如上述的復(fù)合材料，或者，包括上述的復(fù)合材料的制備方法制得的復(fù)合材料。
12、第四方面，本申請實施例還提供一種顯示裝置，包括如上述的發(fā)光器件，或者包括由上述的制備方法制備得到的發(fā)光器件。
13、本申請的復(fù)合材料，包括第一金屬氧化物摻雜的n型金屬氧化物，其中，所述n型金屬氧化物的表面連接有帶負電性的有機基團，有機基團可以和n型金屬氧化物表面的大量氧缺陷結(jié)合，可以增加n型金屬氧化物的分散性、提高所述復(fù)合材料的成膜性、以及其可以進一步提升所述復(fù)合材料的電子注入性能。
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1.一種復(fù)合材料，其特征在于，包括第一金屬氧化物摻雜的n型金屬氧化物，其中，所述n型金屬氧化物的表面連接有帶負電性的有機基團，其中，所述有機基團包括如下結(jié)構(gòu)中的一種或多種：
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合材料，其特征在于，
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的復(fù)合材料，其特征在于，
5.一種復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，
7.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，
8.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其特征在于，
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8～9任一項所述的發(fā)光器件。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種復(fù)合材料，其特征在于，包括第一金屬氧化物摻雜的n型金屬氧化物，其中，所述n型金屬氧化物的表面連接有帶負電性的有機基團，其中，所述有機基團包括如下結(jié)構(gòu)中的一種或多種：
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合材料，其特征在于，
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的復(fù)合材料，其特征在于，
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：田鹍飛，
申請(專利權(quán))人：TCL科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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