【技術實現步驟摘要】
本申請涉及光電器件，尤其涉及一種復合材料的制備方法、復合材料、光電器件和顯示裝置。
技術介紹
1、目前廣泛使用的光電器件為有機發光器件(oled)和量子點發光器件(qled)。oled由于其具有自發光、結構簡單、超輕薄、相應速度快、寬視角、低功耗、可柔性顯示等十分優異的顯示性能，已成為顯示
中的主流技術。qled具有出射光顏色飽、波長可調、啟亮電壓低、溶液加工性好、量子點易于精細控制等優點，而且光致、電致發光量子產率高，近年來成了oled的有力競爭著。
2、傳統的oled和qled器件結構一般包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。在電場的作用下，光電器件的陽極產生的空穴和陰極產生的電子發生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，最終遷移到發光層，當二者在發光層相遇時，產生能量激子，從而激發發光分子最終產生可見光。
3、zno/mxene復合材料因具有較好的電子傳輸性能而被用于電子傳輸層中。
4、然而，現有技術制備得到的zno/mxene復合材料的穩定性較差，有待進一步提高。
技術實現思路
1、第一方面，本申請提供一種復合材料的制備方法，包括如下步驟：
2、提供前驅體溶液，所述前驅體溶液中包括mxene、金屬陽離子源和第一溶劑；
3、水熱處理，得到無機半導體粒子/mxene復合材料溶液；
4、對所述無機半導體粒子/mxene復合材料溶液進行微波處理，得到復合材料，所述復合材
5、第二方面，本申請還提供一種復合材料，所述復合材料包括無機半導體粒子和mxene量子點，所述無機半導體粒子摻雜在所述mxene量子點中。
6、第三方面，本申請還提供一種光電器件，包括相對設置的第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間的電子傳輸層，所述電子傳輸層的材料包括上述復合材料。
7、第四方面，本申請還提供一種顯示裝置，包括上述光電器件。
8、本申請所述的復合材料的制備方法，可使無機半導體粒子與mxene量子點之間具有較強的電場穩定性，進而使包含其的光電器件具有較好的發光性能。
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1.一種復合材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Mxene包括Ti3C2Tx、Ti2CTx、TiNbCTx、Ti3CNTx、Ta4C3Tx、Nb2CTx、Nb4C3Tx、V2CTx、Mo2CTx和Ti4N3Tx中的一種或多種，其中，0<x≤2。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬陽離子源包括鋅源、鈦源、錫源、鋯源和鉭源中的一種或多種。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，
8.如權利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，所述前驅體溶液中還添加有摻雜元素源，所述摻雜元素源包括鎂鹽、鋰鹽、錳鹽、釔鹽、鑭鹽、銅鹽、鎳鹽、鋯鹽、鈰鹽、銦鹽、鎵鹽和錫鹽中的一種或多種。
9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜元素源與所述金屬陽離子源的摩爾比大于0且小于等于0.3
10.一種復合材料，其特征在于，所述復合材料包括無機半導體粒子和Mxene量子點，所述無機半導體粒子摻雜在所述Mxene量子點中。
11.如權利要求10所述的復合材料，其特征在于，
12.一種光電器件，包括相對設置的第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間的電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層的材料包括權利要求1～9任意一項所述的制備方法制備得到的復合材料，或者包括權利要求10～11任意一項所述的復合材料。
13.如權利要求12所述的光電器件，其特征在于，
14.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求12～13任意一項所述的光電器件。
...【技術特征摘要】
1.一種復合材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述mxene包括ti3c2tx、ti2ctx、tinbctx、ti3cntx、ta4c3tx、nb2ctx、nb4c3tx、v2ctx、mo2ctx和ti4n3tx中的一種或多種，其中，0<x≤2。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬陽離子源包括鋅源、鈦源、錫源、鋯源和鉭源中的一種或多種。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，
8.如權利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，所述前驅體溶液中還添加有摻雜元素源，所述摻雜元素源包括鎂鹽、鋰鹽、錳鹽、釔...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉銘恕，
申請(專利權)人：TCL科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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