【技術實現步驟摘要】
本公開總體上涉及一種存儲器設備和存儲器設備的制造方法，并且更具體地涉及一種包括位于連接區域中的放電接觸件的存儲器設備和該存儲器設備的制造方法。
技術介紹
1、存儲器設備可以包括存儲器單元陣列、外圍電路、以及控制電路，在存儲器單元陣列中存儲數據，外圍電路被配置為執行存儲器單元陣列的編程、讀取或擦除操作，控制電路被配置為控制外圍電路。
2、存儲器單元陣列可以包括多個存儲器塊。當存儲器塊以三維結構被形成時，存儲器塊可以通過狹縫區域彼此分離。
3、以三維結構形成的存儲器塊可以包括堆疊結構，在該堆疊結構中，存儲器單元從襯底開始在豎直方向上堆疊。堆疊結構可以包括交替堆疊的多個柵極線和多個絕緣層。存儲器塊可以位于存儲器設備的單元區域中。
4、在單元區域的兩端可以指定有連接區域。
5、用于去除在存儲器設備的制造過程中可能生成的偽離子的放電接觸件可以位于連接區域中。源極線可以位于放電接觸件的外圍，并且源極線和放電接觸件可以彼此間隔開。支撐圖案可以位于源極線的頂部上。支撐圖案可以對應于支撐構成存儲器塊的堆疊結構的結構。
6、放電接觸件可以由導電材料形成，以釋放偽離子。因此，放電接觸件應當與源極線間隔開。當源極線與放電接觸件之間的距離與參考距離相比過短時，在存儲器設備的制造過程中，在源極線與放電接觸件之間可能發生電橋。當源極線與放電接觸件之間的距離與參考距離相比過長時，存儲器設備的尺寸可能增大。
技術實現思路
1、根據本公開的一個方面，提供了一
2、根據本公開的另一方面，提供了一種存儲器設備，該存儲器設備包括：在第一方向上延伸的源極線的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分被布置為彼此平行；位于源極線的第一部分與第二部分之間的放電接觸件；位于放電接觸件與源極線的第一部分之間的第一蝕刻停止圖案；位于放電接觸件與源極線的第二部分之間的第二蝕刻停止圖案；位于以下區域上的第一子支撐圖案：在該區域中，彼此面對的源極線的第一部分與第一蝕刻停止圖案相鄰并且間隔開；以及位于以下區域上的第二子支撐圖案：在該區域中，彼此面對的源極線的第二部分與第二蝕刻停止圖案相鄰并且間隔開。
3、根據本公開的又一方面，提供了一種制造存儲器設備的方法，該方法包括：在外圍結構上形成與源極線相對應的第一部分和第二部分并且在第一部分與第二部分之間形成開放區域絕緣層；在開放區域絕緣層中形成與第一部分相鄰的第一蝕刻停止圖案和與第二部分相鄰的第二蝕刻停止圖案；在第一蝕刻停止圖案與第二蝕刻停止圖案之間形成穿透開放區域絕緣層的放電接觸件；在第一部分和第二部分、第一蝕刻停止圖案和第二蝕刻停止圖案、開放區域絕緣層和放電接觸件上形成預堆疊結構；執行蝕刻工藝以形成第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽在穿透預堆疊結構的同時暴露第一蝕刻停止圖案的一部分和第一部分的一部分，并且第二溝槽在穿透預堆疊結構的同時暴露第二蝕刻停止圖案的一部分和第二部分的一部分；以及在第一溝槽中形成第一子支撐圖案并且在第二溝槽中形成第二子支撐圖案。
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1.一種存儲器設備，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器設備，
3.根據權利要求2所述的存儲器設備，
4.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案由與所述源極線相同的材料形成。
5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案由導電材料形成。
6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案由多晶硅、鎢或鎳形成。
7.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述放電接觸件由導電層形成。
8.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括：
9.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括狹縫結構，所述狹縫結構位于所述源極線上，所述狹縫結構與所述子支撐圖案間隔開。
10.根據權利要求9所述的存儲器設備，其中所述狹縫結構由絕緣材料或導電材料形成。
11.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括開放區域絕緣層，所述開放區域絕緣層填充所述源極線與所述放電接觸件之間的空間。
12.根據權利要求11所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案位于所述開放區域
13.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述子支撐圖案與所述蝕刻停止圖案之間的接觸面積大于所述子支撐圖案與所述源極線之間的接觸面積。
14.一種存儲器設備，包括：
15.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案在所述第一方向上延伸，并且被布置為彼此平行。
16.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案中的每個被浮置。
17.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案或所述第二蝕刻停止圖案與所述放電接觸件之間的寬度大于所述第一蝕刻停止圖案或所述第二蝕刻停止圖案與所述源極線的相應的所述第一部分或所述第二部分之間的寬度。
18.根據權利要求14所述的存儲器設備，
19.根據權利要求18所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案與相應的所述第一子支撐圖案和所述第二子支撐圖案之間的接觸面積大于所述源極線的所述第一部分和所述第二部分與相應的所述第一子支撐圖案和所述第二子支撐圖案之間的接觸面積。
20.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案由與接觸所述第一子支撐圖案和所述第二子支撐圖案的所述源極線相同的材料形成。
21.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案由多晶硅、鎢或鎳形成。
22.一種制造存儲器設備的方法，所述方法包括：
23.根據權利要求22所述的方法，其中在所述外圍結構上形成所述第一部分和所述第二部分并且在所述第一部分與所述第二部分之間形成所述開放區域絕緣層包括：
24.根據權利要求23所述的方法，其中形成所述結構包括：在所述外圍結構上順序堆疊第一源極層、第一緩沖層、犧牲層、第二緩沖層和第二源極層。
25.根據權利要求22所述的方法，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案由與所述第一部分和所述第二部分中所包括的層中位于最上端的層相同的材料形成。
26.根據權利要求24所述的方法，其中當所述第一部分、所述第二部分、所述第一蝕刻停止圖案或所述第二蝕刻停止圖案被暴露時，所述蝕刻工藝停止。
...【技術特征摘要】
1.一種存儲器設備，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器設備，
3.根據權利要求2所述的存儲器設備，
4.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案由與所述源極線相同的材料形成。
5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案由導電材料形成。
6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案由多晶硅、鎢或鎳形成。
7.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述放電接觸件由導電層形成。
8.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括：
9.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括狹縫結構，所述狹縫結構位于所述源極線上，所述狹縫結構與所述子支撐圖案間隔開。
10.根據權利要求9所述的存儲器設備，其中所述狹縫結構由絕緣材料或導電材料形成。
11.根據權利要求1所述的存儲器設備，還包括開放區域絕緣層，所述開放區域絕緣層填充所述源極線與所述放電接觸件之間的空間。
12.根據權利要求11所述的存儲器設備，其中所述蝕刻停止圖案位于所述開放區域絕緣層中。
13.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述子支撐圖案與所述蝕刻停止圖案之間的接觸面積大于所述子支撐圖案與所述源極線之間的接觸面積。
14.一種存儲器設備，包括：
15.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案在所述第一方向上延伸，并且被布置為彼此平行。
16.根據權利要求14所述的存儲器設備，其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第二蝕刻停止圖案中的每個被浮置。
17.根據權利要求14所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：申智賢，邊多英，
申請(專利權)人：愛思開海力士有限公司，
類型：發明
國別省市：
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