【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體存儲器件以及包括該半導體存儲器件的電子系統。
技術介紹
1、需要用于在需要數據存儲的電子系統中存儲高容量數據的半導體器件。因此，已經研究了用于增加半導體器件的數據存儲容量的措施。例如，作為增加半導體器件的數據存儲容量的一種方法，已經提出了包括三維布置的存儲單元(而不是二維布置的存儲單元)的半導體器件。
技術實現思路
1、本公開的目的是提供具有改進的可靠性和集成度的半導體器件。
2、本公開的目的是提供包括具有改進的可靠性的半導體器件的電子系統。
3、本公開所要解決的問題并不限于上述問題，本領域技術人員從下面的描述中將清楚地理解未提及的其他問題。
4、根據本公開的一些實施例的半導體存儲器件包括：外圍電路結構，包括外圍電路；堆疊結構，在外圍電路結構上，并且包括交替堆疊的第一電極層和第一電極間絕緣層；第一豎直圖案，延伸到堆疊結構中；堆疊結構上的第一絕緣層、第一絕緣層上的第二電極層、以及第二電極層上的第二絕緣層；線分離圖案，延伸到第二絕緣層、第二電極層和第一絕緣層中；以及第二豎直圖案，延伸到第二絕緣層、第二電極層和第一絕緣層中，其中，第二豎直圖案電連接到第一豎直圖案。
5、根據本公開的一些實施例的半導體存儲器件包括：襯底；外圍電路結構，包括在襯底上的外圍電路，外圍電路結構包括電連接到外圍電路的第一接合焊盤；以及單元陣列結構，包括電連接到第一接合焊盤的第二接合焊盤，其中，單元陣列結構包括：堆疊結構，包括交替堆疊的第一電極層和第一電
6、根據本公開的一些實施例的電子系統包括：半導體存儲器件，包括襯底、襯底上的外圍電路結構、以及外圍電路結構上的單元陣列結構；以及控制器，通過輸入/輸出焊盤電連接到半導體存儲器件，并且被配置為控制半導體存儲器件，其中，單元陣列結構包括；堆疊結構，在外圍電路結構上，并且包括交替堆疊的第一電極層和第一電極間絕緣層；第一豎直圖案，延伸到堆疊結構中；堆疊結構上的第一絕緣層、第一絕緣層上的第二電極層、以及第二電極層上的第二絕緣層；線分離圖案，延伸到第二絕緣層、第二電極層和第一絕緣層中；以及第二豎直圖案，延伸到第二絕緣層、第二電極層和第一絕緣層中，其中，第二豎直圖案電連接到第一豎直圖案。
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1.一種半導體存儲器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括多個線分離圖案，其中，所述多個線分離圖案將所述第二電極層分離成多條地選擇線。
3.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述多個線分離圖案包括第一線分離圖案和第二線分離圖案，
4.根據權利要求3所述的半導體存儲器件，其中：
5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述線分離圖案的上表面和所述第二豎直圖案的上表面與所述第二絕緣層的上表面共面。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括在所述第二絕緣層上和在所述第二豎直圖案上的源極層。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括在所述第二絕緣層上的至少一個第三電極層，其中，所述第二豎直圖案延伸到所述至少一個第三電極層中。
8.根據權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述至少一個第三電極層的一部分與所述第二電極層相鄰，并且
9.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中：
10.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：
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