【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及光伏發(fā)電，特別是涉及一種電池制備方法及電池結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、太陽能電池是一種能將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件，較低的度電成本一直是太陽能電池工業(yè)追求的目標(biāo)。
2、目前的太陽能電池將topcon技術(shù)與ibc技術(shù)相結(jié)合，通過將ibc技術(shù)的高短路電流和topcon技術(shù)的優(yōu)異鈍化接觸特性相結(jié)合，使得太陽能電池在背面形成了叉指狀的圖形化結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)可以通過良好的鈍化結(jié)構(gòu)提高電池的轉(zhuǎn)化效率。但目前太陽能電池的背面鈍化效果欠佳，導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)化效率受限。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對目前太陽能電池的背面鈍化效果欠佳，導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)化效率受限的問題，提供一種電池制備方法及電池結(jié)構(gòu)。
2、一種電池制備方法，所述電池制備方法包括如下步驟：
3、提供n型硅基底；
4、于所述n型硅基底的背面形成間隔設(shè)置的第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)和第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)，以獲得第一形態(tài)體；
5、對所述第一形態(tài)體進(jìn)行制絨，在制絨過程的烘干工序中通入濕臭氧或濕氧氣，以于所述第一形態(tài)體的正面和背面形成氧化硅形式的第一鈍化膜；
6、于所述第一鈍化膜遠(yuǎn)離所述n型硅基底的一側(cè)形成電極組件。
7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述濕臭氧或所述濕氧氣中的濕度占比為30%-70%。
8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述烘干工序的溫度范圍在90°-200°。
9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述“對所述第一形態(tài)體進(jìn)行制絨，在制絨過程的烘干工序中通入濕臭
10、在所述第一鈍化膜的表面形成第二鈍化膜。
11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二鈍化膜包括氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。
12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述“對所述第一形態(tài)體進(jìn)行制絨，在制絨過程的烘干工序中通入濕臭氧或濕氧氣，以于所述第一形態(tài)體的正面和背面形成氧化硅形式的第一鈍化膜”中，具體包括如下步驟：
13、對所述第一形態(tài)體的正面進(jìn)行酸刻，以暴露出所述n型硅基底的正面形貌；
14、對所述第一形態(tài)體進(jìn)行正面制絨，同時(shí)刻蝕所述第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)和所述第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)之間的間隔區(qū)域，以在所述間隔區(qū)域內(nèi)也形成金字塔絨面；
15、對制絨后的所述第一形態(tài)體進(jìn)行清洗及烘干，以獲得所述第一鈍化膜；
16、在所述第一鈍化膜的表面形成第二鈍化膜，以獲得半成品。
17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述“對制絨后的所述第一形態(tài)體進(jìn)行清洗及烘干，以獲得所述第一鈍化膜”中，具體包括如下步驟：
18、純水洗去所述第一形態(tài)體上的化學(xué)殘留；
19、對所述第一形態(tài)體用純水進(jìn)行慢提拉，以保證所述第一形態(tài)體的表面干凈；
20、通過烘干裝置對干凈的所述第一形態(tài)體烘干，并在烘干過程中或烘干所述第一形態(tài)體后通入濕臭氧或濕氧氣以在所述第一形態(tài)體的正面和背面形成氧化硅形式的所述第一鈍化膜。
21、在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述“于所述n型硅基底的背面形成間隔設(shè)置的第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)和第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)，以獲得第一形態(tài)體”中，具體包括如下步驟：
22、對所述n型硅基底的背面依次進(jìn)行第一隧穿氧化層和第一多晶硅層的沉積；
23、對所述第一多晶硅層進(jìn)行硼擴(kuò)散，并于所述第一多晶硅層上形成硼硅玻璃層；
24、通過第一圖形化處理以去除部分所述硼硅玻璃層，且被去除所述硼硅玻璃層的區(qū)域?yàn)閚區(qū)域；
25、刻蝕所述n區(qū)域，以暴露出所述n區(qū)域?qū)?yīng)的所述n型硅基底的形貌，從而獲得初始形態(tài)體。
26、在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述“刻蝕所述n區(qū)域，以暴露出所述n區(qū)域?qū)?yīng)的所述n型硅基底的形貌，從而獲得初始形態(tài)體”之后，還包括如下步驟：
27、對所述初始形態(tài)體的外層依次進(jìn)行第二隧穿氧化層、第二多晶硅層的沉積；
28、對所述第二多晶硅層進(jìn)行磷擴(kuò)散，并于所述第二多晶硅層上形成磷硅玻璃層；
29、對所述第一隧穿氧化層、所述第一多晶硅層、所述第二隧穿氧化層和所述第二多晶硅層進(jìn)行第二圖形化處理，以形成間隔設(shè)置的所述第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)和所述第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)。
30、上述電池制備方法，通過摻雜工序、制絨鈍化工序及金屬化制備工序以完成電池的制備。且通過在制絨鈍化工序中的烘干步驟中通入濕臭氧或濕氧氣以在第一形態(tài)體的正面和背面形成氧化硅形式的第一鈍化膜，有效降低制絨后n型硅基底的表面缺陷密度，增強(qiáng)n型硅基底的表面鈍化效果，進(jìn)而得到更高的電池轉(zhuǎn)換效率。
31、本申請還提供了一種采用上述任一實(shí)施例所述的電池制備方法制備的電池結(jié)構(gòu)，所述電池結(jié)構(gòu)包括：
32、n型硅基底，具有相對設(shè)置的正面和背面，所述n型硅基底的背面分布有摻雜層，所述摻雜層包括第一沉積區(qū)、第二沉積區(qū)及于二者之間的間隔區(qū)域；
33、金字塔絨面，形成于所述n型硅基底的正面及所述間隔區(qū)域；
34、鈍化層，包括覆蓋所述金字塔絨面及所述摻雜層的第一鈍化膜，所述第一鈍化膜為氧化硅；
35、電極組件，包括第一電極和第二電極，所述第一電極穿過位于背面的所述鈍化層與所述第一沉積區(qū)相接觸，所述第二電極穿過位于背面的所述鈍化層與所述第二沉積區(qū)相接觸。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種電池制備方法，其特征在于，所述電池制備方法包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，所述濕臭氧或所述濕氧氣中的濕度占比為30%-70%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，所述烘干工序的溫度范圍在90°-200°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，在所述“對所述第一形態(tài)體進(jìn)行制絨，在制絨過程的烘干工序中通入濕臭氧或濕氧氣，以于所述第一形態(tài)體的正面和背面形成氧化硅形式的第一鈍化膜”之后，且在所述“于所述第一鈍化膜遠(yuǎn)離所述N型硅基底的一側(cè)形成電極組件”之前，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電池制備方法，其特征在于，所述第二鈍化膜包括氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，在所述“對所述第一形態(tài)體進(jìn)行制絨，在制絨過程的烘干工序中通入濕臭氧或濕氧氣，以于所述第一形態(tài)體的正面和背面形成氧化硅形式的第一鈍化膜”中，具體包括如下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電池制備方法，其特征在于，在所述“對制絨后的所述
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，在所述“于所述N型硅基底的背面形成間隔設(shè)置的第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)和第二鈍化接觸結(jié)構(gòu)，以獲得第一形態(tài)體”中，具體包括如下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電池制備方法，其特征在于，在所述“刻蝕所述N區(qū)域，以暴露出所述N區(qū)域?qū)?yīng)的所述N型硅基底的形貌，從而獲得初始形態(tài)體”之后，還包括如下步驟：
10.一種采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的電池制備方法制備的電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電池結(jié)構(gòu)包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種電池制備方法，其特征在于，所述電池制備方法包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，所述濕臭氧或所述濕氧氣中的濕度占比為30%-70%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，所述烘干工序的溫度范圍在90°-200°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，在所述“對所述第一形態(tài)體進(jìn)行制絨，在制絨過程的烘干工序中通入濕臭氧或濕氧氣，以于所述第一形態(tài)體的正面和背面形成氧化硅形式的第一鈍化膜”之后，且在所述“于所述第一鈍化膜遠(yuǎn)離所述n型硅基底的一側(cè)形成電極組件”之前，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電池制備方法，其特征在于，所述第二鈍化膜包括氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池制備方法，其特征在于，在所述“對所述第...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王文睿，張曉攀，于琨，趙丹，邱圓圓，黃紀(jì)德，劉長明，張昕宇，金浩，
申請(專利權(quán))人：晶科能源股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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