【技術實現步驟摘要】
本申請涉及存儲器，特別是涉及一種閾值選通器件設計方法、閾值選通器件及動態存儲器。
技術介紹
1、雙向閾值轉換器件ots(ovonic?threshold?switch)可以在外加電學信號的控制下實現閾值轉變，其具體流程如下：當施加電學信號于選通器件單元并超過閾值電壓時，材料由高阻態向低阻態轉變，此時器件處于開啟狀態；此時再減小施加的電學信號，當信號小于保持電壓時，材料又由低阻態轉變成高阻態，器件處于關閉狀態。如果將dram中的晶體管用閾值轉換器件代替，由于閾值轉換器件是兩端口器件，外圍電路消耗較少，且易于三維堆疊，可以大幅提升存儲密度。閾值選通器件的保持電壓會決定dram的寫操作窗口，但是一直以來學術界都認為保持電壓是閾值選通器件的固有特性，沒有辦法對其進行調節，因此限制了dram性能的提升。
技術實現思路
1、本申請的目的是提供一種閾值選通器件設計方法、閾值選通器件、動態存儲器，可設計出滿足不同保持電壓的閾值選通器件。
2、為實現上述目的，本申請提供了如下方案：
3、第一方面，本申請提供了一種閾值選通器件設計方法，包括：
4、測試閾值選通功能層的保持電壓、低阻態電阻和閾值電壓；
5、根據所述閾值電壓確定閾值選通器件的目標保持電壓；
6、根據所述閾值選通功能層的保持電壓、低阻態電阻和所述閾值選通器件的目標保持電壓確定所述閾值選通器件的上電極和下電極的電阻之和；
7、根據所述閾值選通器件的上電極和下電極的電阻之和
8、可選地，所述閾值選通器件的目標保持電壓小于等于閾值選通功能層的閾值電壓。
9、可選地，確定所述閾值選通器件的上電極和下電極的電阻之和的表達式為：
10、r＝(vhold-vhold)*r_low/vhold；
11、式中，r為上電極和下電極的電阻之和；vhold為閾值選通器件的目標保持電壓；vhold為閾值選通功能層的保持電壓；r_low為閾值選通功能層的低阻態電阻。
12、可選地，所述上電極和所述下電極的材料包括c、al、co、ni、pt、au、ag、cu、wu、pd中至少一種。
13、第二方面，本申請提供了基于上述的閾值選通器件設計方法設計的閾值選通器件，包括：閾值選通功能層、上電極和下電極；閾值選通功能層的一端與上電極相連，閾值選通功能層的另一端與下電極相連；
14、所述閾值選通功能層具有高阻態與低阻態兩種狀態；當閾值選通功能層的兩端電壓超過閾值選通功能層的閾值電壓時，閾值選通功能層由高阻態切換到低阻態；當處于低阻態的閾值選通功能層的兩端電壓低于閾值選通功能層的保持電壓時，閾值選通功能層由低阻態切換到高阻態。
15、可選地，當閾值選通功能層處于高阻態時，閾值選通器件的閾值電壓與閾值選通功能層的閾值電壓相同。
16、可選地，所述閾值選通功能層的材料包括ots類材料、導電橋型材料和金屬絕緣體轉變型材料。
17、可選地，所述ots類材料包括：基于se的化合物體系、基于te的化合物體系和基于s的化合物體系。
18、第三方面，本申請提供了一種動態存儲器，包括：串聯連接的閾值選通器件和電容；所述閾值選通器件是上述的閾值選通器件；所述閾值選通器件未與電容連接的一端為動態存儲器的輸入端；所述電容未與閾值選通器件連接的一端為動態存儲器的輸出端。
19、可選地，動態存儲器的寫操作窗口的下限為閾值選通器件的閾值電壓，上限為閾值選通器件的閾值電壓與目標保持電壓之和。
20、根據本申請提供的具體實施例，本申請公開了以下技術效果：
21、本申請提供了一種閾值選通器件設計方法、閾值選通器件及動態存儲器，其中，測試閾值選通功能層的保持電壓、低阻態電阻和閾值電壓；根據閾值電壓確定閾值選通器件的目標保持電壓；根據閾值選通功能層的保持電壓、低阻態電阻和閾值選通器件的目標保持電壓確定閾值選通器件的上電極和下電極的電阻之和；根據閾值選通器件的上電極和下電極的電阻之和選取上電極和下電極的材料和薄膜參數以設計滿足所述目標保持電壓的閾值選通器件。本專利技術可以預先確定閾值選通器件所需的目標保持電壓，之后結合閾值選通功能層的保持電壓和低阻態電阻計算滿足相應目標保持電壓的閾值選通器件，顯然，閾值選通器件不同的目標保持電壓可以通過不同的上下電極的電阻之和實現，那么，可以通過改變上下電極的電阻之和來調節閾值選通器件的目標保持電壓，設計出滿足不同保持電壓的閾值選通器件。
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1.一種閾值選通器件設計方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的閾值選通器件設計方法，其特征在于，所述閾值選通器件的目標保持電壓小于等于閾值選通功能層的閾值電壓。
3.根據權利要求1所述的閾值選通器件設計方法，其特征在于，確定所述閾值選通器件的上電極和下電極的電阻之和的表達式為：
4.根據權利要求1所述的閾值選通器件設計方法，其特征在于，所述上電極和所述下電極的材料包括C、Al、Co、Ni、Pt、Au、Ag、Cu、Wu、Pd中至少一種。
5.一種基于權利要求1至4任一項所述的閾值選通器件設計方法設計的閾值選通器件，其特征在于，包括：閾值選通功能層、上電極和下電極；閾值選通功能層的一端與上電極相連，閾值選通功能層的另一端與下電極相連；
6.根據權利要求5所述的閾值選通器件，其特征在于，當閾值選通功能層處于高阻態時，閾值選通器件的閾值電壓與閾值選通功能層的閾值電壓相同。
7.根據權利要求5所述的閾值選通器件，其特征在于，所述閾值選通功能層的材料包括OTS類材料、導電橋型材料和金屬絕緣體轉變型材料。>
8.根據權利要求7所述的閾值選通器件，其特征在于，所述OTS類材料包括：基于Se的化合物體系、基于Te的化合物體系和基于S的化合物體系。
9.一種動態存儲器，其特征在于，包括：串聯連接的閾值選通器件和電容；所述閾值選通器件是權利要求5至8任一項所述的閾值選通器件；所述閾值選通器件未與電容連接的一端為動態存儲器的輸入端；所述電容未與閾值選通器件連接的一端為動態存儲器的輸出端。
10.根據權利要求9所述的動態存儲器，其特征在于，動態存儲器的寫操作窗口的下限為閾值選通器件的閾值電壓，上限為閾值選通器件的閾值電壓與目標保持電壓之和。
...【技術特征摘要】
1.一種閾值選通器件設計方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的閾值選通器件設計方法，其特征在于，所述閾值選通器件的目標保持電壓小于等于閾值選通功能層的閾值電壓。
3.根據權利要求1所述的閾值選通器件設計方法，其特征在于，確定所述閾值選通器件的上電極和下電極的電阻之和的表達式為：
4.根據權利要求1所述的閾值選通器件設計方法，其特征在于，所述上電極和所述下電極的材料包括c、al、co、ni、pt、au、ag、cu、wu、pd中至少一種。
5.一種基于權利要求1至4任一項所述的閾值選通器件設計方法設計的閾值選通器件，其特征在于，包括：閾值選通功能層、上電極和下電極；閾值選通功能層的一端與上電極相連，閾值選通功能層的另一端與下電極相連；
6.根據權利要求5所述的閾值選通器件，其特征在于，當閾值選通功能層...
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