【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開涉及顯示裝置和電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、近來已經(jīng)開發(fā)了使用電致發(fā)光(el)元件作為發(fā)光元件的顯示裝置。例如，這種顯示裝置包括多個(gè)發(fā)光元件，包括下部電極、堆疊在下部電極上的發(fā)光層、以及堆疊在發(fā)光層上的上部電極。除了上述發(fā)光元件之外，顯示裝置還包括用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路。
2、引用列表
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1：jp?2020-154323?a
5、專利文獻(xiàn)2：jp?2021-9401a
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、技術(shù)問題
2、隨著發(fā)光元件的小型化，考慮到包括在驅(qū)動(dòng)電路中的各種晶體管所需的耐壓和特性變化范圍，要求顯示裝置減小驅(qū)動(dòng)電路的布局尺寸。然而，存在在滿足期望的耐受電壓的同時(shí)減小包括在驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管的尺寸的限制，并且因此也存在減小驅(qū)動(dòng)電路的布局尺寸的限制。
3、本公開提出了一種能夠減小驅(qū)動(dòng)電路的布局尺寸的顯示裝置和電子設(shè)備。
4、問題的解決方案
5、根據(jù)本公開，提供了一種顯示裝置，包括堆疊結(jié)構(gòu)體，該堆疊結(jié)構(gòu)體包括：發(fā)光元件，發(fā)光元件的亮度根據(jù)提供的電流而變化；電流源晶體管，與電流源和發(fā)光元件電連接，并且電流源晶體管將與信號電壓對應(yīng)的電流提供至發(fā)光元件；電容器，與電流源晶體管的控制端子連接；以及選擇晶體管，與電流源晶體管的控制端子連接，并且選擇晶體管經(jīng)由電容器將信號電壓提供至電流源晶體管，其中，堆疊結(jié)構(gòu)體包括：半導(dǎo)體基板，在半導(dǎo)體基板上設(shè)置有電流源晶體管；布線層，堆疊在半導(dǎo)體基板
6、根據(jù)本公開，還提供了一種配備有顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括堆疊結(jié)構(gòu)體，該堆疊結(jié)構(gòu)體包括：發(fā)光元件，發(fā)光元件的亮度根據(jù)提供的電流而變化；電流源晶體管，與電流源和發(fā)光元件電連接，并且電流源晶體管將與信號電壓對應(yīng)的電流提供至發(fā)光元件；電容器，與電流源晶體管的控制端子連接；以及選擇晶體管，與電流源晶體管的控制端子連接，并且選擇晶體管經(jīng)由電容器將信號電壓提供至電流源晶體管，其中，堆疊結(jié)構(gòu)體包括：半導(dǎo)體基板，在半導(dǎo)體基板上設(shè)置有電流源晶體管；布線層，堆疊在半導(dǎo)體基板上，并且布線層包括由薄膜晶體管形成的電容器和選擇晶體管；并且發(fā)光元件堆疊在布線層上。
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1.一種顯示裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述選擇晶體管是N溝道晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述開關(guān)晶體管為N溝道晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，在所述堆疊結(jié)構(gòu)體中，多個(gè)所述薄膜晶體管沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)體的堆疊方向堆疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述薄膜晶體管包括含有選自由硅、鋁、銦、鎵和鋅組成的組中的至少一種元素的薄膜半導(dǎo)體層作為溝道。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述堆疊結(jié)構(gòu)體中，所述薄膜晶體管具有頂柵結(jié)構(gòu)、底柵結(jié)構(gòu)或雙柵結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電容器具有MIM結(jié)構(gòu)，所述MIM結(jié)構(gòu)由一對金屬膜沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)體的堆疊方向從上下方向夾住絕緣膜而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述絕緣膜由氮化硅膜構(gòu)
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述絕緣膜由包含從由硅、鉿、氧化鋯、鉭、釔構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的氧化膜構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電容器具有MIM結(jié)構(gòu)，所述MIM結(jié)構(gòu)由金屬膜從垂直于所述堆疊結(jié)構(gòu)體的堆疊方向的平面方向夾住絕緣膜而形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電流源晶體管是P溝道晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電流源晶體管是N溝道晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體基板具有對接接觸結(jié)構(gòu)，在所述對接接觸結(jié)構(gòu)中，所述電流源晶體管的源極觸點(diǎn)和所述半導(dǎo)體基板的阱區(qū)域的觸點(diǎn)電連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光元件是OLED。
20.一種配備有顯示裝置的電子設(shè)備，
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種顯示裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述選擇晶體管是n溝道晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述開關(guān)晶體管為n溝道晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，在所述堆疊結(jié)構(gòu)體中，多個(gè)所述薄膜晶體管沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)體的堆疊方向堆疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述薄膜晶體管包括含有選自由硅、鋁、銦、鎵和鋅組成的組中的至少一種元素的薄膜半導(dǎo)體層作為溝道。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述堆疊結(jié)構(gòu)體中，所述薄膜晶體管具有頂柵結(jié)構(gòu)、底柵結(jié)構(gòu)或雙柵結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電容器具有mim結(jié)構(gòu)，所述mim結(jié)構(gòu)由一對金屬膜沿著所述堆疊結(jié)構(gòu)體的堆疊方向從上下方向夾住絕緣膜而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：木村圭，
申請(專利權(quán))人：索尼集團(tuán)公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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