【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板的均一性提升方法、顯示面板及顯示裝置。
技術(shù)介紹
1、oled(organ顯示驅(qū)動(dòng)芯片light-emitting?diode)，即有機(jī)發(fā)光二極管。oled通過(guò)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，無(wú)需背光燈，當(dāng)通過(guò)電流時(shí)，其中有機(jī)半導(dǎo)體材料和發(fā)光材料通過(guò)過(guò)載流子注入和復(fù)合后就會(huì)發(fā)光。采用oled制作的oled顯示屏幕可以做得更輕更薄，可視角度更大，并且能夠顯著的節(jié)省耗電量，使得oled技術(shù)在當(dāng)今電視、電腦顯示器、手機(jī)、平板等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
2、隨著oled顯示面板頻率越做越低，均一性越來(lái)越差，而用戶(hù)對(duì)低灰階顯示品味要求越來(lái)越低，如何提升屏體品味是面板重要競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)之一。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)的技術(shù)目的在于提供一種顯示面板的均一性提升方法、顯示面板及顯示裝置，以提高顯示面板的均一性。
2、為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本申請(qǐng)采用以下技術(shù)方案。
3、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N顯示面板的均一性提升方法,用于對(duì)所述顯示面板的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行電壓補(bǔ)償，所述顯示面板包括像素單元陣列，所述像素單元陣列包括n行×m列的若干像素單元，m為大于等于2的整數(shù)，n為大于等于2的整數(shù)；各個(gè)所述像素單元分別與所述像素驅(qū)動(dòng)電路對(duì)應(yīng)連接；
4、所述方法包括：在數(shù)據(jù)寫(xiě)入階段，所述像素驅(qū)動(dòng)電路利用像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan控制數(shù)據(jù)寫(xiě)入；
5、其中，分別設(shè)置各行所述像素驅(qū)動(dòng)電路中所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓，以補(bǔ)償所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入
6、在一些實(shí)施方式中，所述像素驅(qū)動(dòng)電路連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片，以接收像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan，所述方法包括：
7、根據(jù)各行所述像素驅(qū)動(dòng)電路與所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的距離，設(shè)置各行所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓；距離越大，設(shè)置所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓越低。
8、在一些實(shí)施方式中，從距離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片最近的第一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路，至遠(yuǎn)離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的最后一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)應(yīng)的所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓按照設(shè)定電壓步長(zhǎng)依次降低。
9、在一些實(shí)施方式中，所述設(shè)定電壓步長(zhǎng)為0.01v。
10、在一些實(shí)施方式中，所述像素驅(qū)動(dòng)電路連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片，以接收柵復(fù)位信號(hào)vi_gate完成復(fù)位；所述方法包括：
11、調(diào)整所述柵復(fù)位信號(hào)vi_gate電壓，以補(bǔ)償所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的延遲時(shí)間導(dǎo)致的亮度差異。
12、在一些實(shí)施方式中，根據(jù)各行所述像素驅(qū)動(dòng)電路與所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的距離，設(shè)置各行所述像素驅(qū)動(dòng)電路中的所述柵復(fù)位信號(hào)vi_gate電壓；距離越大，設(shè)置所述柵復(fù)位信號(hào)vi_gate電壓越高。
13、在一些實(shí)施方式中，設(shè)定所述電壓步長(zhǎng)的方法包括：
14、對(duì)距離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片最近的第一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)定對(duì)應(yīng)的所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓上限值v1；
15、對(duì)遠(yuǎn)離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的最遠(yuǎn)一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)定對(duì)應(yīng)的所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓下限值v2；
16、確定所述低電平電壓上限值v1和所述低電平電壓下限值v2的差值；
17、將所述差值除以所述像素單元陣列的總行數(shù)，得到所述電壓步長(zhǎng)。
18、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N顯示面板，所述顯示面板包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和像素單元陣列，所述像素單元陣列包括n行×m列的若干像素單元，m為大于等于2的整數(shù)，n為大于等于2的整數(shù)；各個(gè)所述像素單元分別與所述像素驅(qū)動(dòng)電路對(duì)應(yīng)連接；
19、所述像素驅(qū)動(dòng)電路連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片，以接收像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan；
20、所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片用于執(zhí)行如以上所述的顯示面板均一性提升方法。
21、在一些實(shí)施方式中，顯示面板包括多條掃描線、多條像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)線和多條數(shù)據(jù)線；
22、所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)根據(jù)所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線以及所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)線驅(qū)動(dòng)所述像素單元發(fā)光。
23、在一些實(shí)施方式中，所述像素驅(qū)動(dòng)電路具有柵復(fù)位端；
24、所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片用于輸出柵復(fù)位信號(hào)vi_gate至各所述像素驅(qū)動(dòng)電路的柵復(fù)位端，其中，所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片用于調(diào)整所述柵復(fù)位信號(hào)vi_gate電壓，以補(bǔ)償所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的延遲時(shí)間導(dǎo)致的亮度差異。
25、在一些實(shí)施方式中，所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片具體用于根據(jù)各行所述像素驅(qū)動(dòng)電路與所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的距離，設(shè)置各行所述像素驅(qū)動(dòng)電路中的所述柵復(fù)位信號(hào)vi_gate電壓；距離越大，設(shè)置所述柵復(fù)位信號(hào)vi_gate電壓越高。
26、在一些實(shí)施方式中，所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片用于根據(jù)各行所述像素驅(qū)動(dòng)電路與所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片的距離，設(shè)置各行所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓；距離越大，設(shè)置所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓越低。
27、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝孙@示裝置，所述顯示裝置包括如以上所述的顯示面板。
28、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)對(duì)每一行像素驅(qū)動(dòng)電路的pvgl(像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓)進(jìn)行差異化設(shè)計(jì)，補(bǔ)償pscan?delay導(dǎo)致的亮度差異，實(shí)現(xiàn)了顯示面板的均一性提升。
29、由于遠(yuǎn)顯示驅(qū)動(dòng)芯片端pscan?delay較大，本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)升高vi_gate電壓去補(bǔ)償delay增加導(dǎo)致的ic遠(yuǎn)端亮度偏高問(wèn)題，從而改善屏體亮度均一性。
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1.一種顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，用于對(duì)顯示面板(100)的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路(20)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，所述顯示面板(100)包括像素單元陣列，所述像素單元陣列包括N行×M列的若干像素單元，M為大于等于2的整數(shù)，N為大于等于2的整數(shù)；各個(gè)所述像素單元分別與所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)對(duì)應(yīng)連接；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片(30)，以接收像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)Pscan，所述方法包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，從距離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片(30)最近的第一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)，至遠(yuǎn)離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片(30)的最后一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)，對(duì)應(yīng)的所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)Pscan的低電平電壓按照設(shè)定電壓步長(zhǎng)依次降低。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，所述設(shè)定電壓步長(zhǎng)為0.01V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，設(shè)定所述電壓步長(zhǎng)的方法包括：
8.一種顯示面板(100)，其特征在于，所述顯示面板(100)包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路(20)和像素單元陣列，所述像素單元陣列包括N行×M列的若干像素單元，M為大于等于2的整數(shù)，N為大于等于2的整數(shù)；各個(gè)所述像素單元分別與所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)對(duì)應(yīng)連接；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種顯示面板(100)，其特征在于，所述顯示面板(100)包括多條掃描線、多條像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)線和多條數(shù)據(jù)線；
10.顯示裝置(200)，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求8所述的顯示面板(100)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，用于對(duì)顯示面板(100)的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路(20)進(jìn)行電壓補(bǔ)償，所述顯示面板(100)包括像素單元陣列，所述像素單元陣列包括n行×m列的若干像素單元，m為大于等于2的整數(shù)，n為大于等于2的整數(shù)；各個(gè)所述像素單元分別與所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)對(duì)應(yīng)連接；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)連接顯示驅(qū)動(dòng)芯片(30)，以接收像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan，所述方法包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，從距離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片(30)最近的第一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)，至遠(yuǎn)離所述顯示驅(qū)動(dòng)芯片(30)的最后一行所述像素驅(qū)動(dòng)電路(20)，對(duì)應(yīng)的所述像素?cái)?shù)據(jù)寫(xiě)入控制信號(hào)pscan的低電平電壓按照設(shè)定電壓步長(zhǎng)依次降低。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板(100)的均一性提升方法,其特征在于，所述設(shè)定電壓步長(zhǎng)為0.01v。
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫飛翔，馬維威，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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