【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管及發(fā)光二極管制備方法。
技術(shù)介紹
1、發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體器件，具有節(jié)能、高亮度、耐久性高、壽命長(zhǎng)和重量輕等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)在照明和顯示等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
2、相關(guān)技術(shù)提供了一種發(fā)光二極管，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括圖形化襯底、外延結(jié)構(gòu)、絕緣結(jié)構(gòu)和電極結(jié)構(gòu)。
3、然而，上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管可能存在出光效率問題，需要進(jìn)一步優(yōu)化。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管及發(fā)光二極管制備方法，能夠明顯改善在隔離槽中形成于圖形化襯底上的絕緣結(jié)構(gòu)也會(huì)出現(xiàn)不平整，導(dǎo)致絕緣結(jié)構(gòu)的反射效果差的問題。所述技術(shù)方案如下：
2、一方面，提供了一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括：圖形化襯底、外延結(jié)構(gòu)、絕緣結(jié)構(gòu)、電極結(jié)構(gòu)和平坦層。
3、所述外延結(jié)構(gòu)位于所述圖形化襯底上，所述外延結(jié)構(gòu)開設(shè)有臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面位于所述外延結(jié)構(gòu)內(nèi)；所述外延結(jié)構(gòu)還開設(shè)有隔離槽，所述隔離槽底部位于所述圖形化襯底表面；所述平坦層位于所述隔離槽的底部；所述絕緣結(jié)構(gòu)包覆所述隔離槽底部的所述平坦層和所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電極結(jié)構(gòu)穿過所述絕緣結(jié)構(gòu)與所述外延結(jié)構(gòu)連接。
4、可選地，所述外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層依次層疊在所述圖形化襯底上；所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面位于所述第一半導(dǎo)體層；所述平坦層的厚度與所述臺(tái)階面
5、可選地，所述平坦層為離子注入工藝處理后的第一半導(dǎo)體層。
6、可選地，所述平坦層為有機(jī)絕緣材料層。
7、可選地，所述絕緣結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層為dbr層。
8、另一方面，提供了一種發(fā)光二極管制備方法，所述方法包括：
9、在圖形化襯底上形成外延結(jié)構(gòu)；
10、對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理，形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)和隔離槽，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面位于所述外延結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述隔離槽底部位于所述外延結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述隔離槽底部形成有平坦層；
11、制作絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)包覆所述隔離槽底部的所述平坦層和所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)；
12、制作電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)穿過所述絕緣結(jié)構(gòu)與所述外延結(jié)構(gòu)連接。
13、可選地，所述外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層依次層疊在所述圖形化襯底上；
14、所述對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理，形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)和隔離槽，包括：
15、對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理，形成所述臺(tái)階面位于所述第一半導(dǎo)體層的所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)和底部位于所述第一半導(dǎo)體層的刻蝕槽；
16、形成光刻膠掩膜，露出所述刻蝕槽；
17、對(duì)所述刻蝕槽處的所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行離子注入處理，使所述第一半導(dǎo)體層改性形成絕緣的所述平坦層，并使所述刻蝕槽底部延伸到所述圖形化襯底表面形成所述隔離槽。可選地，所述對(duì)所述刻蝕槽處的所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)行離子注入處理，包括：
18、利用離子注入機(jī)，向刻蝕槽處的第一半導(dǎo)體層注入he、ar、n、c、b、si中的一種元素離子。
19、可選地，所述外延結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層依次層疊在所述圖形化襯底上；
20、所述對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理，形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)和隔離槽，包括：
21、對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理，形成所述臺(tái)階面位于所述第一半導(dǎo)體層的所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)和底部位于所述圖形化襯底的所述隔離槽；
22、沉積平坦化薄膜；
23、對(duì)所述平坦化薄膜進(jìn)行圖形化處理得到所述平坦層。
24、可選地，所述平坦層的厚度與所述臺(tái)階面處所述第一半導(dǎo)體層的厚度相同。
25、本公開實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
26、在隔離槽的底部設(shè)置平坦層，使得圖形化襯底表面的凸起結(jié)構(gòu)被平坦層隔離，這樣在平坦層上形成的絕緣層沒有凸起，反射性能更好，能夠提高發(fā)光效率。
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1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括：圖形化襯底(101)、外延結(jié)構(gòu)(10)、絕緣結(jié)構(gòu)(30)、電極結(jié)構(gòu)(40)和平坦層(118)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)(10)包括第一半導(dǎo)體層(102)、有源層(103)和第二半導(dǎo)體層(104)，所述第一半導(dǎo)體層(102)、所述有源層(103)和所述第二半導(dǎo)體層(104)依次層疊在所述圖形化襯底(101)上；所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)(117)的臺(tái)階面位于所述第一半導(dǎo)體層(102)；所述平坦層(118)的厚度與所述臺(tái)階面處的所述第一半導(dǎo)體層(102)的厚度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述平坦層(118)為離子注入工藝處理后的第一半導(dǎo)體層(102)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述平坦層(118)為有機(jī)絕緣材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述絕緣結(jié)構(gòu)(30)包括第一絕緣層(109)和第二絕緣層(110)，所述第一絕緣層(109)和所述第二絕緣層(110)為DBR層。
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