【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及電氣，尤其涉及一種核電廠用的過(guò)電壓吸收電路、方法及其過(guò)電壓吸收系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、對(duì)于核電站用充電器設(shè)備，實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)使用工況存在輸入核級(jí)電氣設(shè)備(forsmark)效應(yīng)，即交流輸入側(cè)發(fā)生故障產(chǎn)生低電壓，故障清除后又恢復(fù)高電壓時(shí)，充電器的輸出電壓不應(yīng)超過(guò)后級(jí)設(shè)備的保護(hù)電壓，避免設(shè)備損壞。針對(duì)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，其具體要求為充電器設(shè)備輸入電壓在80％的低電壓下工作至少5秒后，在半波內(nèi)(10ms)由80％跳變至155％，充電器直流輸出瞬態(tài)最高電壓不能超過(guò)直流電(direct?current，dc)276v，以避免后級(jí)逆變器停機(jī)。當(dāng)輸入側(cè)發(fā)生forsmark效應(yīng)時(shí)，此時(shí)由于晶閘管為半控器件無(wú)法及時(shí)關(guān)斷，且輸入變化時(shí)間較快，在10ms內(nèi)由額定電壓的80％突變到155％，此時(shí)軟件控制晶閘管導(dǎo)通角無(wú)法滿足在如此快速變化情況下將導(dǎo)通角減小，故此時(shí)會(huì)導(dǎo)致輸出直流電壓突漲，存在導(dǎo)致后級(jí)負(fù)載損壞或保護(hù)的風(fēng)險(xiǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決現(xiàn)有存在的技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種核電廠用的過(guò)電壓吸收電路、方法及其過(guò)電壓吸收系統(tǒng)。
2、為達(dá)到上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
3、本申請(qǐng)實(shí)施例的提供一種核電廠用的過(guò)電壓吸收電路，應(yīng)用于核級(jí)電氣設(shè)備forsmark效應(yīng)的場(chǎng)景；所述電路包括交流模塊、整流模塊、負(fù)載模塊和電壓吸收模塊：所述整流模塊包括可控硅整流器(silicon?controlled?rectifier，scr)；所述整流模塊的輸入端與所述交流模塊連接；所述整流
4、所述電路還包括與所述整流模塊連接的控制組件，用于采集所述輸出端的電壓參數(shù)；在所述電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；在所述電壓參數(shù)的值降到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)；所述第一閾值大于所述第二閾值。
5、在上述方案中，所述電壓參數(shù)包括第一電壓參數(shù)和第二電壓參數(shù)；所述控制組件至少包括第一控制模塊和第二控制模塊；所述第一控制模塊與所述第二控制模塊連接；所述整流模塊至少包括并聯(lián)連接的第一整流模塊和第二整流模塊；所述第一整流模塊與所述第一控制模塊連接；所述第二整流模塊與所述第二控制模塊連接；
6、所述第一控制模塊，用于采集所述輸出端的第一電壓參數(shù)；在所述第一電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；在所述第一電壓參數(shù)的值減到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)；
7、所述第二控制模塊，用于采集所述輸出端的第二電壓參數(shù)；在所述第二電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；在所述第二電壓參數(shù)的值降到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)。
8、在上述方案中，所述第一控制模塊包括第一檢測(cè)電路和第一采樣電路；所述第一檢測(cè)電路與所述第一采樣電路連接；
9、所述第一采樣電路，用于采集所述輸出端的第一電壓參數(shù)；
10、所述第一檢測(cè)電路，用于在所述第一電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；在所述第一電壓參數(shù)的值降到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)。
11、在上述方案中，所述第二控制模塊包括第二檢測(cè)電路和第二采樣電路；所述第二檢測(cè)電路與所述第二采樣電路連接；
12、所述第二采樣電路，用于采集所述輸出端的第二電壓參數(shù)；
13、所述第二檢測(cè)電路，用于在所述第二電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；在所述第二電壓參數(shù)的值降到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)。
14、在上述方案中，所述igbt模塊中igbt的數(shù)量與所述核級(jí)電氣設(shè)備的功率有關(guān)。
15、在上述方案中，在所述核級(jí)電氣設(shè)備的功率大于第三閾值的情況下，所述igbt的數(shù)量為n，n為大于1的正整數(shù)；所述n個(gè)igbt并聯(lián)與所述igbt模塊中。
16、在上述方案中，在所述核級(jí)電氣設(shè)備的功率小于第四閾值的情況下，所述igbt的數(shù)量為一個(gè)。
17、本申請(qǐng)實(shí)施例的提供一種控制方法，應(yīng)用于上述所述核電廠用的過(guò)電壓吸收電路中；所述方法包括：
18、采集整流模塊的輸出端的電壓參數(shù)；
19、在所述電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；
20、在所述電壓參數(shù)的值降到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)；所述第一閾值大于所述第二閾值。
21、在上述方案中，所述電壓參數(shù)至少包括第一電壓參數(shù)；所述方法還包括:
22、采集所述集整流模塊的輸出端的第一電壓參數(shù)；
23、在所述第一電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；
24、在所述第一電壓參數(shù)的值降到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)。
25、在上述方案中，所述電壓參數(shù)至少包括第二電壓參數(shù)；所述方法還包括:
26、采集所述集整流模塊的輸出端的第二電壓參數(shù)；
27、在所述第二電壓參數(shù)的值增到第一閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第一控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；
28、在所述第二電壓參數(shù)的值降到第二閾值的情況下，向所述電壓吸收模塊發(fā)送第二控制信號(hào)，以使所述igbt模塊處于關(guān)斷狀態(tài)。
29、本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種過(guò)電壓吸收系統(tǒng)，所述過(guò)電壓吸收系統(tǒng)包括上述任一所述裝置。
30、本申請(qǐng)還提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序在被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述所述方法的任一步驟。
31、本申請(qǐng)還提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述所述方法的任一步驟。
32、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種核電廠用的過(guò)電壓吸收電路、方法及其過(guò)電壓吸收系統(tǒng)，所述電路包括交流模塊、整流模塊、負(fù)載模塊和電壓吸收模塊：所述整流模塊包括可控硅整流器scr；所述整流模塊的輸入端與所述交流模塊連接；所述整流模塊的輸出端與所述負(fù)載本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種核電廠用的過(guò)電壓吸收電路，其特征在于，應(yīng)用于核級(jí)電氣設(shè)備FORSMARK效應(yīng)的場(chǎng)景；所述電路包括交流模塊、整流模塊、負(fù)載模塊和電壓吸收模塊：所述整流模塊包括可控硅整流器SCR；所述整流模塊的輸入端與所述交流模塊連接；所述整流模塊的輸出端與所述負(fù)載模塊連接；所述電壓吸收模塊并聯(lián)于所述整流模塊的輸出端；所述電壓吸收模塊包括串聯(lián)連接的絕緣柵雙極型晶體管IGBT模塊和電阻；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電壓參數(shù)包括第一電壓參數(shù)和第二電壓參數(shù)；所述控制組件至少包括第一控制模塊和第二控制模塊；所述第一控制模塊與所述第二控制模塊連接；所述整流模塊至少包括并聯(lián)連接的第一整流模塊和第二整流模塊；所述第一整流模塊與所述第一控制模塊連接；所述第二整流模塊與所述第二控制模塊連接；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述第一控制模塊包括第一檢測(cè)電路和第一采樣電路；所述第一檢測(cè)電路與所述第一采樣電路連接；
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述第二控制模塊包括第二檢測(cè)電路和第二采樣電路；所述第二檢測(cè)電路與所述第二采樣電路連接；p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述IGBT模塊中IGBT的數(shù)量與所述核級(jí)電氣設(shè)備的功率有關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，在所述核級(jí)電氣設(shè)備的功率大于第三閾值的情況下，所述IGBT的數(shù)量為N，N為大于1的正整數(shù)；所述N個(gè)IGBT并聯(lián)與所述IGBT模塊中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，在所述核級(jí)電氣設(shè)備的功率小于第四閾值的情況下，所述IGBT的數(shù)量為一個(gè)。
8.一種控制方法，其特征在于，應(yīng)用于權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的基于FORSMARK效應(yīng)的輸出過(guò)電壓吸收；所述方法包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述電壓參數(shù)至少包括第一電壓參數(shù)；所述方法還包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述電壓參數(shù)至少包括第二電壓參數(shù)；所述方法還包括:
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種核電廠用的過(guò)電壓吸收電路，其特征在于，應(yīng)用于核級(jí)電氣設(shè)備forsmark效應(yīng)的場(chǎng)景；所述電路包括交流模塊、整流模塊、負(fù)載模塊和電壓吸收模塊：所述整流模塊包括可控硅整流器scr；所述整流模塊的輸入端與所述交流模塊連接；所述整流模塊的輸出端與所述負(fù)載模塊連接；所述電壓吸收模塊并聯(lián)于所述整流模塊的輸出端；所述電壓吸收模塊包括串聯(lián)連接的絕緣柵雙極型晶體管igbt模塊和電阻；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電壓參數(shù)包括第一電壓參數(shù)和第二電壓參數(shù)；所述控制組件至少包括第一控制模塊和第二控制模塊；所述第一控制模塊與所述第二控制模塊連接；所述整流模塊至少包括并聯(lián)連接的第一整流模塊和第二整流模塊；所述第一整流模塊與所述第一控制模塊連接；所述第二整流模塊與所述第二控制模塊連接；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述第一控制模塊包括第一檢測(cè)電路和第一采樣電路；所述第一檢測(cè)電路與所述第一采樣電路連接；
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：賴作坤，陳致偉，陳郁鈴，林明智，楊文泉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：科華數(shù)據(jù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒(méi)有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。