【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本技術涉及多晶硅沉積層形貌加工的，特別是涉及一種多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置。
技術介紹
1、多晶硅是一種硅的晶體形態(tài)，其中晶格由多個晶粒組成，而不是單一晶體。多晶硅是硅材料的一種常見形式，用于制造太陽能電池、集成電路等各種電子器件。多晶硅沉積層是指通過一系列工藝步驟將多晶硅材料沉積在基底表面形成的一層薄膜。這種薄膜可以用于制造集成電路中的各種元件，多晶硅沉積層形貌保持的關鍵步驟是保證基板的表面清潔和均勻性，以提高多晶硅的沉積附著穩(wěn)定性，因此需要對基板進行酸洗加工，現(xiàn)有的酸洗加工設備在使用時自動化程度較低，在轉(zhuǎn)運瀝水籃和工件時，需要工人使用挑棒搬抬進行移動，導致工作效率低下，導致使用便利性較差。
技術實現(xiàn)思路
1、為解決上述技術問題，本技術提供一種通過轉(zhuǎn)運機構自動對酸洗筐以及工件進行轉(zhuǎn)運，無需人員使用挑棍手動抬起酸洗筐轉(zhuǎn)運工件，提高工作效率，防止酸洗液飛濺至人身上，提高使用便利性的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置。
2、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，包括支撐架、酸洗箱、隔板和轉(zhuǎn)運機構，所述酸洗箱固定安裝在支撐架上，所述酸洗箱內(nèi)部固定安裝有隔板，所述隔板將酸洗箱內(nèi)部分隔為酸洗腔和瀝水腔，所述轉(zhuǎn)運機構固定安裝在酸洗箱外側壁上；
3、所述轉(zhuǎn)運機構包括轉(zhuǎn)運支板、電機安裝座、第一電機、第一螺桿、升降螺套、聯(lián)動板、升降滑板、第一導軌、第一滑塊、水平支架、第二導軌、水平滑板、第二滑塊、第二螺桿、第二電機和酸洗筐，所述轉(zhuǎn)運支板固定安裝在酸洗箱外側壁上，
4、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，還包括油管、進油閥和出油閥，所述油管盤繞鋪裝在瀝水腔底端，所述油管上設置有進水管口和出水管口，所述油管進水管口連通固定安裝有進油閥，所述油管出水管口連通固定安裝有出油閥，所述進油閥與出油閥與外置循環(huán)泵連通。
5、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，還包括液位計，所述液位計固定安裝在酸洗箱側壁上，所述液位計設置在酸洗腔一側。
6、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，還包括防滑墊腳，所述支撐架底端設置有若干組防滑墊腳。
7、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，還包括緊固螺栓和壓條，所述瀝水腔底端四角上螺紋插裝有四組緊固螺栓，每組所述緊固螺栓上緊固套裝有一組壓條，所述壓條底端與油管貼緊。
8、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，所述第一導軌端部設置有限位板。
9、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，所述第二導軌兩端設置有兩組限位片。
10、本技術的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，所述油管采用不銹鋼材質(zhì)制成。
11、與現(xiàn)有技術相比本技術的有益效果為：
12、將基板放置在酸洗筐內(nèi)部，之后控制酸洗筐進入酸洗腔中進行酸洗加工，待酸洗完成后，啟動第一電機，第一電機輸出端帶動第一螺桿轉(zhuǎn)動，然后轉(zhuǎn)動的第一螺桿與升降螺套螺紋配合使升降螺套上移，之后上移的升降螺套通過聯(lián)動板帶動升降滑板上移，然后通過升降滑板帶動水平支架整體上移，進而帶動酸洗筐上移，待酸洗筐底端高于酸洗箱頂端時，啟動第二電機，第二電機輸出端帶動第二螺桿轉(zhuǎn)動，之后轉(zhuǎn)動的第二螺桿與水平滑板的螺紋套配合使螺紋套帶動水平滑板平移，然后水平滑板通過第二滑塊在兩組第二導軌上平穩(wěn)滑動，使水平滑板平移，之后通過水平滑板帶動酸洗筐平移，直至酸洗筐移動至瀝水腔上側，然后啟動第一電機控制酸洗筐下降，使酸洗筐進入瀝水腔中，瀝干酸洗筐內(nèi)部工件上粘連的液體，通過轉(zhuǎn)運機構自動對酸洗筐以及工件進行轉(zhuǎn)運，無需人員使用挑棍手動抬起酸洗筐轉(zhuǎn)運工件，提高工作效率，防止酸洗液飛濺至人身上，提高使用便利性。
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1.一種多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，包括支撐架（1）、酸洗箱（2）、隔板（3）和轉(zhuǎn)運機構，所述酸洗箱（2）固定安裝在支撐架（1）上，所述酸洗箱（2）內(nèi)部固定安裝有隔板（3），所述隔板（3）將酸洗箱（2）內(nèi)部分隔為酸洗腔和瀝水腔，所述轉(zhuǎn)運機構固定安裝在酸洗箱（2）外側壁上；
2.如權利要求1所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，還包括油管（20）、進油閥（21）和出油閥（22），所述油管（20）盤繞鋪裝在瀝水腔底端，所述油管（20）上設置有進水管口和出水管口，所述油管（20）進水管口連通固定安裝有進油閥（21），所述油管（20）出水管口連通固定安裝有出油閥（22），所述進油閥（21）與出油閥（22）與外置循環(huán)泵連通。
3.如權利要求1所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，還包括液位計（23），所述液位計（23）固定安裝在酸洗箱（2）側壁上，所述液位計（23）設置在酸洗腔一側。
4.如權利要求1所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，還包括防滑墊腳（24），所述支撐架（1）底端設置有
5.如權利要求2所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，還包括緊固螺栓（25）和壓條（26），所述瀝水腔底端四角上螺紋插裝有四組緊固螺栓（25），每組所述緊固螺栓（25）上緊固套裝有一組壓條（26），所述壓條（26）底端與油管（20）貼緊。
6.如權利要求1所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，所述第一導軌（11）端部設置有限位板。
7.如權利要求1所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，所述第二導軌（14）兩端設置有兩組限位片。
8.如權利要求2所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，所述油管（20）采用不銹鋼材質(zhì)制成。
...【技術特征摘要】
1.一種多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，包括支撐架（1）、酸洗箱（2）、隔板（3）和轉(zhuǎn)運機構，所述酸洗箱（2）固定安裝在支撐架（1）上，所述酸洗箱（2）內(nèi)部固定安裝有隔板（3），所述隔板（3）將酸洗箱（2）內(nèi)部分隔為酸洗腔和瀝水腔，所述轉(zhuǎn)運機構固定安裝在酸洗箱（2）外側壁上；
2.如權利要求1所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，還包括油管（20）、進油閥（21）和出油閥（22），所述油管（20）盤繞鋪裝在瀝水腔底端，所述油管（20）上設置有進水管口和出水管口，所述油管（20）進水管口連通固定安裝有進油閥（21），所述油管（20）出水管口連通固定安裝有出油閥（22），所述進油閥（21）與出油閥（22）與外置循環(huán)泵連通。
3.如權利要求1所述的多晶硅沉積層形貌保持用基板酸洗裝置，其特征在于，還包括液位計（23），所述液位計（23）固定安裝在酸洗箱（2）側壁上，所述...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：神干，周建威，李波，武玉可，趙巖巖，
申請(專利權)人：江蘇鑫華半導體科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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