【技術實現步驟摘要】
本申請涉及光電，尤其涉及一種光電器件及其制備方法及顯示裝置。
技術介紹
1、光電器件是指根據光電效應制作的器件，包括發光器件、光電池、光電管等。光電器件通常包括陽極、陰極以及設于陽極和陰極之間的功能層，功能層可以包括電子傳輸層等。
2、氧化鋅具有較高電子遷移率，是電子傳輸層常規使用的材料之一，但氧化鋅納米顆粒薄膜表面存在大量缺陷，且其在長期老化階段容易氧化陰極，影響器件的使用壽命。
技術實現思路
1、鑒于此，本申請提供一種光電器件及其制備方法及顯示裝置，旨在延長光電器件的使用壽命。
2、本申請實施例是這樣實現的：
3、第一方面，本申請提供一種光電器件的制備方法，包括以下步驟：
4、提供預制器件，所述預制器件包括層疊的陰極和金屬層；
5、在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層；以及，
6、在所述氧化鋅層背離所述金屬層的一側設置陽極，得到所述光電器件；
7、其中，所述氧化鋅層的材料包括氧化鋅或摻雜態氧化鋅；
8、所述金屬層的材料包括金和/或鉑。
9、可選的，在本申請的一些實施例中，在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟包括：
10、提供氧化鋅前驅體；
11、在含氧氣氛中，通過化學氣相沉積法，在所述金屬層背離所述陰極的一側設置所述氧化鋅前驅體，形成薄膜，然后用電子束掃描所述薄膜，得到氧化鋅層。
12、可選的，在本申請的一些實施例中，
13、所述含氧氣氛包括氧氣、臭氧、二氧化氮中的一種或多種；和/或，
14、所述含氧氣氛中，氣壓小于等于1×10-6mbar。
15、可選的，在本申請的一些實施例中，所述電子束的電壓為400～500v；和/或，
16、所述電子束的電流為1.4～1.8ma。
17、可選的，在本申請的一些實施例中，在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟之后，還包括：
18、將所述氧化鋅層浸泡在第一溶劑中，靜置后取出，進行第一退火處理；
19、其中，所述第一溶劑包括甲醇胺、乙醇胺、2-n-二丁氨基乙醇、n,n-二乙基乙醇胺中的一種或多種。
20、可選的，在本申請的一些實施例中，所述靜置的時間為30～60min；和/或，
21、所述第一退火處理的溫度為200～250℃；和/或，
22、所述第一退火處理的時間為15～20min。
23、可選的，在本申請的一些實施例中，所述金屬層的厚度小于等于5nm；和/或，
24、所述摻雜態氧化鋅包括化學式為znxm1-xo的化合物，其中，m包括al、mg、li、in、ga、cd、cs、cu中的一種或多種，0<x<1；和/或，
25、所述提供預制器件的步驟之后，所述在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟之前，還包括：用ar+離子流轟擊所述金屬層背離所述陰極的一側，然后對所述金屬層進行第二退火處理。
26、可選的，在本申請的一些實施例中，所述對所述金屬層進行第二退火處理的步驟包括：在800～1000k下對所述金屬層進行第一次退火，第一次退火的時間為5～10min，然后在500～600k下對所述金屬層進行第二次退火，第二次退火的時間大于等于2h。
27、可選的，在本申請的一些實施例中，所述在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟之后，所述形成陽極的步驟之前，還包括：
28、形成功能層，所述功能層包括發光層、空穴功能層中的至少一個，所述空穴功能層包括空穴傳輸層和空穴注入層中的一層或兩層。
29、第二方面，本申請還提出一種光電器件，包括層疊的陰極、金屬層、氧化鋅層和陽極，其中，所述金屬層的材料包括金、鉑中的一種或兩種，所述氧化鋅層的材料包括氧化鋅或摻雜態氧化鋅，且所述氧化鋅層為二維納米結構。
30、可選的，在本申請的一些實施例中，所述金屬層的厚度小于等于5nm；和/或，
31、所述陰極和所述陽極各自獨立的選自摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復合電極選自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns，所述金屬電極的材料選自ag、al、cu、mo、au、pt、si、ca、mg及ba中的一種或多種。
32、可選的，在本申請的一些實施例中，所述光電器件還包括設于所述氧化鋅層和所述陽極之間的發光層，所述發光層的材料包括有機發光材料及量子點發光材料中的一種或多種，所述有機發光材料選自4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯苯:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、熱活化延遲材料、含有b-n共價鍵合的聚合物、雜化局域電荷轉移激發態材料、激基復合物發光材料中的一種或多種，所述量子點發光材料選自單一結構量子點、核殼結構量子點及鈣鈦礦型半導體材料中的至少一種；所述單一結構量子點的材料、核殼結構量子點的核材料及核殼結構量子點的殼層材料分別選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種；所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一種；所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一種；所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種光電器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟包括：
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅前驅體包括鋅粉；和/或，
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟之后，還包括：
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述靜置的時間為30～60min；和/或，
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚度小于等于5nm；和/或，
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述對所述金屬層進行第二退火處理的步驟包括：在800～1000K下對所述金屬層進行第一次退火，第一次退火的時間為5～10min，然后在500～600K下對所述金屬層進行第二次退火，第二次退火的時間大于等于2h。
8.一種光電器件，其特征在于，包括層疊的陰極、金屬層、氧化鋅層和陽極，其中，所述金屬層的材料包括金、鉑中的一種或兩種，所述氧
9.根據權利要求8所述的光電器件，其特征在于，所述金屬層的厚度小于等于5nm；和/或，
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8或9所述的光電器件，或者由權利要求1至7任一項所述的制備方法制得的光電器件。
...【技術特征摘要】
1.一種光電器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟包括：
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅前驅體包括鋅粉；和/或，
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述金屬層背離所述陰極的一側設置氧化鋅層的步驟之后，還包括：
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述靜置的時間為30～60min；和/或，
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚度小于等于5nm；和/或，
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張天朔，
申請(專利權)人：TCL科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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