【技術實現步驟摘要】
本技術涉及電子，尤其涉及一種功率模塊的過流保護電路。
技術介紹
1、當功率模塊發生短路故障時，導通電流會急劇增加，產生退飽和現象，需要使功率模塊的導通電流回到安全工作區。市面上大多數驅動芯片都具有退飽和檢測及保護功能，在檢測到電壓過高時對功率模塊進行關斷。但是，該保護功能存在檢測速度慢，存在消隱時間，影響模塊最大電壓利用率，保護效力低，存在誤觸發等弊端。
2、同時，自帶電流傳感接口的功率模塊越來越普及，需要一種通過功率模塊自帶電流傳感接口的信號觸發驅動芯片的退飽和保護功能的方法。
技術實現思路
1、為了克服上述技術缺陷，本技術的目的在于提供一種功率模塊的過流保護電路，使無法直接檢測功率模塊過流信號的驅動芯片也能實現對功率模塊的快速過流保護。
2、本技術公開了一種功率模塊的過流保護電路，包括電壓傳感單元、比較器、mos管、驅動芯片、參考供電單元、驅動供電端；
3、所述電壓傳感單元包括功率模塊的電流傳感接口和第一電阻，所述第一電阻的第一端分別連接所述功率模塊的電流傳感接口與所述比較器的第一輸入接口，所述第一電阻的第二端接地；
4、所述比較器的第二輸入接口連接所述參考供電單元，所述比較器的輸出接口連接所述mos管的控制端；
5、所述mos管的第一端連接所述驅動芯片的退飽和保護接口，所述mos管的第二端接地；
6、所述驅動供電端分別連接所述驅動芯片的退飽和保護接口以及所述mos管的第一端；
7、所述比較器用
8、優選地，所述功率模塊的電流傳感接口為所述功率模塊的電流鏡接口。
9、優選地，所述比較器的第一輸入接口與所述電壓傳感單元之間還連接有濾波單元，所述濾波單元包括第二電阻與第一電容；
10、所述第二電阻的第一端分別連接所述功率模塊的電流傳感接口與所述第一電阻的第一端，所述第二電阻的第二端連接所述比較器的第一輸入接口，所述第一電容的第一端連接所述第二電阻的第二端，所述第一電容的第二端接地。
11、優選地，所述mos管為n溝道mos管，所述比較器的第一輸入接口為負輸入接口，所述比較器的第二輸入接口為正輸入接口；
12、所述mos管的漏極連接所述驅動芯片的退飽和保護接口，所述mos管的源極接地，所述比較器的輸出接口連接所述mos管的柵極。
13、優選地，所述參考供電單元包括參考供電端、第三電阻、第四電阻及第二電容；
14、所述第三電阻的第一端連接所述參考供電端，所述第三電阻的第二端連接所述第四電阻；
15、所述第四電阻的第一端分別連接所述比較器的正輸入接口與所述第三電阻的第二端，所述第四電阻的第二端接地；
16、所述第二電容的第一端分別連接所述比較器的正輸入接口與所述第四電阻的第一端，所述第二電容的第二端接地；
17、所述比較器的外接電壓接口連接所述參考供電端，所述比較器的接地接口接地。
18、優選地，所述比較器的輸出接口與所述mos管的控制端之間還連接有第五電阻，所述第五電阻的第一端連接所述比較器的輸出接口，所述第五電阻的第二端連接所述mos管的控制端。
19、優選地，所述驅動供電端與所述mos管的第一端之間還連接有第六電阻，所述第六電阻的第一端連接所述驅動供電端，所述第六電阻的第二端連接所述mos管的第一端。
20、優選地，所述驅動供電端與所述驅動芯片的退飽和保護接口之間還連接有第三電容，所述第三電容的第一端分別連接所述驅動供電端與所述驅動芯片的退飽和保護接口，所述第三電容的第二端接地。
21、采用了上述技術方案后，與現有技術相比，具有以下有益效果：通過功率模塊自帶電流傳感接口的信號觸發驅動芯片的退飽和保護功能，能夠快速實現對功率模塊的過流保護。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種功率模塊的過流保護電路，其特征在于，包括電壓傳感單元、比較器、MOS管、驅動芯片、參考供電單元、驅動供電端；
2.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述功率模塊的電流傳感接口為所述功率模塊的電流鏡接口。
3.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入接口與所述電壓傳感單元之間還連接有濾波單元，所述濾波單元包括第二電阻與第一電容；
4.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述MOS管為N溝道MOS管，所述比較器的第一輸入接口為負輸入接口，所述比較器的第二輸入接口為正輸入接口；所述MOS管的漏極連接所述驅動芯片的退飽和保護接口，所述MOS管的源極接地，所述比較器的輸出接口連接所述MOS管的柵極。
5.根據權利要求4所述的過流保護電路，其特征在于，所述參考供電單元包括參考供電端、第三電阻、第四電阻及第二電容；
6.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述比較器的輸出接口與所述MOS管的控制端之間還連接有第五電阻，所述第五電阻的第一端連接所述比較器的輸出接口，所述第
7.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述驅動供電端與所述MOS管的第一端之間還連接有第六電阻，所述第六電阻的第一端連接所述驅動供電端，所述第六電阻的第二端連接所述MOS管的第一端。
8.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述驅動供電端與所述驅動芯片的退飽和保護接口之間還連接有第三電容，所述第三電容的第一端分別連接所述驅動供電端與所述驅動芯片的退飽和保護接口，所述第三電容的第二端接地。
...【技術特征摘要】
1.一種功率模塊的過流保護電路，其特征在于，包括電壓傳感單元、比較器、mos管、驅動芯片、參考供電單元、驅動供電端；
2.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述功率模塊的電流傳感接口為所述功率模塊的電流鏡接口。
3.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入接口與所述電壓傳感單元之間還連接有濾波單元，所述濾波單元包括第二電阻與第一電容；
4.根據權利要求1所述的過流保護電路，其特征在于，所述mos管為n溝道mos管，所述比較器的第一輸入接口為負輸入接口，所述比較器的第二輸入接口為正輸入接口；所述mos管的漏極連接所述驅動芯片的退飽和保護接口，所述mos管的源極接地，所述比較器的輸出接口連接所述mos管的柵極。
5.根據權利要求4所述的過流保護電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：任康樂，黃磊，
申請(專利權)人：臻驅科技上海股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。