【技術實現步驟摘要】
本技術屬于半導體，具體地說是一種用于晶圓吸附的承片臺。
技術介紹
1、目前半導體行業使用的晶圓大多是有微小平槽或v槽的平片，但對于特殊工藝中的晶圓進行涂膠時，例如晶圓的中部上分布很多小孔的情況，采用正常的真空吸附方式是不可行的。因為設置小孔處若貼緊常規承片臺的真空吸附孔道處，會加劇該處小孔往下流液體的速度，會導致該處連接的真空管路出現被堵住或是腐蝕的情況。
技術實現思路
1、針對目前半導體行業內沒有對中部分布小孔的晶圓的專用承片臺的問題，本技術的目的在于提供一種用于晶圓吸附的承片臺。
2、本技術的目的是通過以下技術方案來實現的：
3、一種用于晶圓吸附的承片臺，包括連接在一起的臺面部及連接套部，所述連接套部的下端用于連接外接承片臺連接結構，所述連接套部的上端與所述臺面部的下表面連接。
4、所述臺面部的上表面凸設有若干個支撐凸臺，各所述支撐凸臺的設置位置分別與待承接吸附的晶圓的未開設小孔處相對應，各所述支撐凸臺的內側分別開設有若干個真空吸附孔道，每個所述真空吸附孔道均具有上下兩端開口，每個所述真空吸附孔道的上端開口位于對應的所述支撐凸臺的頂面上，每個所述真空吸附孔道的下端開口位于所述臺面部的下表面上、并分別與外接抽真空裝置連接。
5、各所述支撐凸臺的內側分別開設有一個真空吸附孔道，每個所述真空吸附孔道的上端開口位于所述支撐凸臺的頂面上中部位置。
6、每個所述支撐凸臺的頂面上凹設有與該支撐凸臺上的真空吸附孔道的上端開口相連通的吸
7、各所述支撐凸臺的頂面高度位置均相同，所述臺面部的上表面上靠近每個所述支撐凸臺的外周處分別凸設有擋液凸起，各所述擋液凸起的頂面高度位置均小于或等于所述支撐凸臺的頂面高度位置。
8、各所述擋液凸起均呈圓弧狀。
9、所述臺面部上開設有若干個pin針穿過孔，各所述pin針穿過孔分別用于穿過頂升pin針。
10、所述臺面部的上表面上且在每個所述pin針穿過孔的外周分別凸設有阻液凸臺，各所述阻液凸臺的頂面高度位置均小于所有所述支撐凸臺的頂面高度位置。
11、所述臺面部的上表面上的外周邊緣處還形成有若干個倒液斜面，每個所述倒液斜面由靠近臺面部的中部至遠離臺面部的中部的方向逐漸向下傾斜。
12、本技術的優點與積極效果為：
13、本技術可以對待承接吸附的晶圓的未開設小孔處進行穩定可靠吸附，避免光刻膠直接從晶圓中部上的小孔直接進入真空吸附孔道而造成真空管路被堵住或是腐蝕的現象，還可有效阻擋防止順著晶圓的小孔甩出的光刻膠堵住光刻膠真空吸附孔道；本技術也適用于其他中心不可被吸附的晶圓，結構簡單，使用可靠。
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1.一種用于晶圓吸附的承片臺，包括連接在一起的臺面部(1)及連接套部(2)，所述連接套部(2)的下端用于連接外接承片臺連接結構，所述連接套部(2)的上端與所述臺面部(1)的下表面連接，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：各所述支撐凸臺(101)的內側分別開設有一個真空吸附孔道(1011)，每個所述真空吸附孔道(1011)的上端開口位于所述支撐凸臺(101)的頂面上中部位置。
3.根據權利要求2所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：每個所述支撐凸臺(101)的頂面上凹設有與該支撐凸臺(101)上的真空吸附孔道(1011)的上端開口相連通的吸附凹槽(1012)。
4.根據權利要求1所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：各所述支撐凸臺(101)的頂面高度位置均相同，所述臺面部(1)的上表面上靠近每個所述支撐凸臺(101)的外周處分別凸設有擋液凸起(102)，各所述擋液凸起(102)的頂面高度位置均小于或等于所述支撐凸臺(101)的頂面高度位置。
5.根據權利要求4所述的一種用于晶圓吸附的
6.根據權利要求1所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：所述臺面部(1)上開設有若干個pin針穿過孔(103)，各所述pin針穿過孔(103)分別用于穿過頂升pin針。
7.根據權利要求6所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：所述臺面部(1)的上表面上且在每個所述pin針穿過孔(103)的外周分別凸設有阻液凸臺(104)，各所述阻液凸臺(104)的頂面高度位置均小于所有所述支撐凸臺(101)的頂面高度位置。
8.根據權利要求1所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：所述臺面部(1)的上表面上的外周邊緣處還形成有若干個倒液斜面(105)，每個所述倒液斜面(105)由靠近臺面部(1)的中部至遠離臺面部(1)的中部的方向逐漸向下傾斜。
...【技術特征摘要】
1.一種用于晶圓吸附的承片臺，包括連接在一起的臺面部(1)及連接套部(2)，所述連接套部(2)的下端用于連接外接承片臺連接結構，所述連接套部(2)的上端與所述臺面部(1)的下表面連接，其特征在于：
2.根據權利要求1所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：各所述支撐凸臺(101)的內側分別開設有一個真空吸附孔道(1011)，每個所述真空吸附孔道(1011)的上端開口位于所述支撐凸臺(101)的頂面上中部位置。
3.根據權利要求2所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：每個所述支撐凸臺(101)的頂面上凹設有與該支撐凸臺(101)上的真空吸附孔道(1011)的上端開口相連通的吸附凹槽(1012)。
4.根據權利要求1所述的一種用于晶圓吸附的承片臺，其特征在于：各所述支撐凸臺(101)的頂面高度位置均相同，所述臺面部(1)的上表面上靠近每個所述支撐凸臺(101)的外周處分別凸設有擋液凸起(102)，各所述擋液凸起(10...
【專利技術屬性】
技術研發人員：隋天譯，郭生華，李浩楠，龔明，崔海超，
申請(專利權)人：沈陽芯源微電子設備股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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