【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及光伏領(lǐng)域，特別涉及一種腔體加熱裝置及處理設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、在光伏生產(chǎn)中，多種設(shè)備在進(jìn)行工藝時(shí)都需要加熱。以管式鍍膜設(shè)備為例，在工藝腔腔體的不同方位使用加熱件對(duì)腔體進(jìn)行加熱，以使腔體內(nèi)部保持在合適的工藝溫度。但是，由于熱力學(xué)物理現(xiàn)象，溫度較高的氣體會(huì)向上運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致位于腔體上方的加熱絲周圍的溫度較高，使實(shí)際傳遞到腔體的熱量減少，位于腔體側(cè)面的加熱件也會(huì)有部分熱量向上轉(zhuǎn)移，使實(shí)際傳遞到腔體的熱量減少，如此導(dǎo)致腔體受熱不均勻，腔體出現(xiàn)變形、損壞以及氣密性變差的問(wèn)題，進(jìn)而影響工藝效果。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請(qǐng)的目的在于提供一種腔體加熱裝置及處理設(shè)備，從而減小腔體形變，提高腔體氣密性，為工藝處理提供較好的腔體環(huán)境，保持良好的工藝效果。其具體方案如下：
2、一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N腔體加熱裝置，所述裝置包括：
3、位于腔體上方的第一加熱件和位于腔體側(cè)面的第二加熱件；
4、與所述第一加熱件連接的第一調(diào)功器，用于控制所述第一加熱件產(chǎn)生第一溫度；
5、第一溫度傳感器，用于采集所述第一溫度；
6、與所述第二加熱件連接的第二調(diào)功器，用于控制所述第二加熱件產(chǎn)生第二溫度；
7、第二溫度傳感器，用于采集所述第二溫度；
8、還包括溫度控制器，用以連接所述第一溫度傳感器和所述第二溫度傳感器，并控制所述第一調(diào)功器和所述第二調(diào)功器，使所述第二溫度在設(shè)定溫差下動(dòng)態(tài)跟隨于所述第一溫度；所述第二溫度大于所述第一溫度。
9、可選地，所述第二加熱件設(shè)置有兩個(gè)以上，且兩個(gè)以上的所述第二加熱件在腔體側(cè)面上均勻分布。
10、可選地，所述第二溫度傳感器設(shè)置于至少一個(gè)所述第二加熱件的所在位置上。
11、可選地，所述裝置還包括：
12、位于腔體下方的第三加熱件；所述第三加熱件連接所述第一調(diào)功器，以產(chǎn)生第一溫度。
13、可選地，所述第一溫度傳感器設(shè)置于所述第一加熱件和所述第三加熱件中的至少一個(gè)的所在位置上。
14、可選地，所述裝置還包括：
15、第三溫度傳感器，用于測(cè)量腔體內(nèi)部中心的第三溫度；
16、所述溫度控制器與所述第三溫度傳感器連接，用于根據(jù)所述第三溫度與腔體中心目標(biāo)溫度的偏差，控制所述第一調(diào)功器和所述第二調(diào)功器的輸出功率。
17、可選地，所述第一溫度傳感器、所述第二溫度傳感器和所述第三溫度傳感器為熱電偶溫度傳感器。
18、可選地，所述設(shè)定溫差的取值范圍為大于或等于5℃，且小于或等于15℃。
19、又一方面，本申請(qǐng)還提供了一種處理設(shè)備，包括加熱爐體、腔體和腔體加熱裝置，所述腔體和所述腔體加熱裝置設(shè)置于所述加熱爐體內(nèi)，所述腔體加熱裝置配置為對(duì)所述腔體加熱。
20、可選地，所述處理設(shè)備為沉積設(shè)備、擴(kuò)散設(shè)備、退火設(shè)備或氧化設(shè)備。
21、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種腔體加熱裝置及處理設(shè)備，包括位于腔體上方的第一加熱件和位于腔體側(cè)面的第二加熱件；與所述第一加熱件連接的第一調(diào)功器，用于控制所述第一加熱件產(chǎn)生第一溫度；第一溫度傳感器，用于采集所述第一溫度；與所述第二加熱件連接的第二調(diào)功器，用于控制所述第二加熱件產(chǎn)生第二溫度；第二溫度傳感器，用于采集所述第二溫度；還包括溫度控制器，用以連接所述第一溫度傳感器和所述第二溫度傳感器，并控制所述第一調(diào)功器和所述第二調(diào)功器，使所述第二溫度在設(shè)定溫差下動(dòng)態(tài)跟隨于所述第一溫度；所述第二溫度大于所述第一溫度。
22、這樣，由于第二溫度會(huì)動(dòng)態(tài)跟隨于第一溫度，且大于第一溫度，即使熱氣體向上運(yùn)動(dòng)帶走一部分第二加熱件的熱量，也能夠使第二加熱件傳遞至腔體的熱量與第一加熱件傳遞至腔體的熱量保持一致，從而讓腔體受熱更加均勻，減小腔體形變，保護(hù)腔體結(jié)構(gòu)，提高腔體氣密性，為工藝處理提供較好的腔體環(huán)境，保持良好的工藝效果。
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1.一種腔體加熱裝置，其特征在于，所述裝置包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二加熱件設(shè)置有兩個(gè)以上，且兩個(gè)以上的所述第二加熱件在腔體側(cè)面上均勻分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第二溫度傳感器設(shè)置于至少一個(gè)所述第二加熱件的所在位置上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一溫度傳感器設(shè)置于所述第一加熱件和所述第三加熱件中的至少一個(gè)的所在位置上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述第一溫度傳感器、所述第二溫度傳感器和所述第三溫度傳感器為熱電偶溫度傳感器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述設(shè)定溫差的取值范圍為大于或等于5℃，且小于或等于15℃。
9.一種處理設(shè)備，其特征在于，包括加熱爐體、腔體和如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的腔體加熱裝置，所述腔體和所述腔體加熱裝置設(shè)置于所述加熱爐體內(nèi)，所述腔體加
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述處理設(shè)備為沉積設(shè)備、擴(kuò)散設(shè)備、退火設(shè)備或氧化設(shè)備。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種腔體加熱裝置，其特征在于，所述裝置包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二加熱件設(shè)置有兩個(gè)以上，且兩個(gè)以上的所述第二加熱件在腔體側(cè)面上均勻分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第二溫度傳感器設(shè)置于至少一個(gè)所述第二加熱件的所在位置上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一溫度傳感器設(shè)置于所述第一加熱件和所述第三加熱件中的至少一個(gè)的所在位置上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韓明新，石祥松，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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