【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及化工，特別是一種芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、如今便攜電子設(shè)備、精密儀器、金屬塑膠、功能性玻璃在日常生活中使用越來越廣泛，在使用過程中長期用手指觸摸和劃動，不免會使這些基材接觸到水汽、酸堿物質(zhì)與汗液油脂，而這些污漬會影響基質(zhì)使用手感與內(nèi)部設(shè)備的運行壽命。因此對于這些基材的防水、防污以及耐磨的性能要求越來越高；目前解決方案是在基材表面涂覆保護(hù)涂層來提高基材的防水、防污、耐磨性能。
2、全氟聚醚中存在大量氟原子，因此具有化學(xué)惰性、穩(wěn)定性、低表面張力、高疏水性等性能優(yōu)勢，而氧原子賦予其良好的運動能力、耐磨性，使其在防水與防污保護(hù)涂層材料中有著重要應(yīng)用價值。目前，已有技術(shù)采用在保護(hù)涂層中添加全氟聚醚防污劑來降低涂層的表面能，提高其疏水疏油性能。但是此技術(shù)存在三個關(guān)鍵問題：一是全氟聚醚與基材沒有強(qiáng)的作用力，附著力差，容易磨損脫落或刮除；二是全氟聚醚的疏水疏油污性能不夠強(qiáng)，在水汽與油污環(huán)境中會影響產(chǎn)品的使用手感與內(nèi)部設(shè)備穩(wěn)定性；三是目前全氟聚醚需要加熱烘干，不僅增加工藝流程而且提高了生產(chǎn)成本。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、鑒于所述問題，提出了本申請以便提供克服所述問題或者至少部分地解決所述問題的一種芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層及其制備方法，包括：
2、一種芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層的水接觸角大于150°，以質(zhì)量計，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的納米填料、13％～18％的乙醇，余
3、其中，所述納米填料為通過含氟羧酸或含氟硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行表面化學(xué)修飾的納米氧化鋁或羥基氮化硼。
4、進(jìn)一步地，所述含氟聚合物為丙烯酸、全氟丙烯酸、丙烯酸氧雜氟烷烴酯的共聚物中的一種或多種。
5、進(jìn)一步地，所述含氟羧酸包括全氟丁酸、4-三氟甲基苯甲酸、4-(1,1-二氟乙基)苯甲酸或4-(全氟乙基)苯甲酸、9-甲氧基全氟-2-甲基-3-氧代壬羧酸、全氟-3,6,9-三氧雜十三烷酸、3,3,3-三氟-2-(三氟甲基)丙酸、3-甲氧基四氟丙羧酸、五氟丙酸、全氟-2,5,8,11-四甲基-3,6,9,12-四氧雜十五羧酸、全氟-2,5,8-三甲基-3,6,9-三氧雜十二羧酸中的一種或多種。
6、進(jìn)一步地，所述含氟硅烷偶聯(lián)劑包括十七氟癸基三甲(乙)氧基硅烷、三乙氧基[5,5,6,6,7,7,7-七氟-4,4-雙(三氟甲基)庚基]硅烷、三乙氧基[5,5-雙(三氟甲基)-6,6,7,7,8,8,8-七氟辛基]硅烷、三乙氧基(五氟苯基)硅烷、三氟甲基四氟苯基三乙氧基硅烷的一種或多種。
7、進(jìn)一步地，所述氟碳溶劑為不同結(jié)構(gòu)與分子量的全氟聚醚。
8、進(jìn)一步地，所述納米氧化鋁與所述羥基氮化硼粒徑為10-50納米。
9、進(jìn)一步地，所述納米氧化鋁與所述羥基氮化硼的晶相為α相、β相或γ相。
10、一種芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層的制備方法，所述方法用于制備上述任一項所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，包括步驟：
11、依據(jù)預(yù)設(shè)含量混合原料并均勻化處理得到保護(hù)涂料，其中，所述原料包括含氟聚合物、納米填料、氟碳溶劑和乙醇；
12、將所述保護(hù)涂料噴涂在目標(biāo)基底表面，靜置10-20min，形成芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層。
13、本申請具有以下優(yōu)點：
14、在本申請的實施例中，針對現(xiàn)有技術(shù)中全氟聚醚涂層性能較差，涂層工藝較為復(fù)雜的缺點，本申請?zhí)峁┝艘环N芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層的水接觸角大于150°，以質(zhì)量計，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的納米填料、13％～18％的乙醇，余量為氟碳溶劑；其中，所述納米填料為通過含氟羧酸或含氟硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行表面化學(xué)修飾的納米氧化鋁或羥基氮化硼。通過加入改性過的納米填料，使得噴涂形成的納米涂層具有較強(qiáng)疏水性、絕緣性與耐磨性，并且噴涂過程完成以后，無需加熱等后續(xù)處理能夠快速成膜。
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1.一種芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層的水接觸角大于150°，以質(zhì)量計，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的納米填料、13％～18％的乙醇，余量為氟碳溶劑；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述含氟聚合物為丙烯酸、全氟丙烯酸、丙烯酸氧雜氟烷烴酯的共聚物中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述含氟羧酸包括全氟丁酸、4-三氟甲基苯甲酸、4-(1,1-二氟乙基)苯甲酸或4-(全氟乙基)苯甲酸、9-甲氧基全氟-2-甲基-3-氧代壬羧酸、全氟-3,6,9-三氧雜十三烷酸、3,3,3-三氟-2-(三氟甲基)丙酸、3-甲氧基四氟丙羧酸、五氟丙酸、全氟-2,5,8,11-四甲基-3,6,9,12-四氧雜十五羧酸、全氟-2,5,8-三甲基-3,6,9-三氧雜十二羧酸中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述含氟硅烷偶聯(lián)劑包括十七氟癸基三甲(乙)氧基硅烷、三乙氧基[5,5
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述氟碳溶劑為不同結(jié)構(gòu)與分子量的全氟聚醚。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述納米氧化鋁與所述羥基氮化硼粒徑為10-50納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述納米氧化鋁與所述羥基氮化硼的晶相為α相、β相或γ相。
8.一種芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層的制備方法，其特征在于，所述方法用于制備權(quán)利要求1-7任一項所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，包括步驟：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層的水接觸角大于150°，以質(zhì)量計，所述超疏水絕緣保護(hù)涂層包括0.1％～1％的含氟聚合物、0.5％～1％的納米填料、13％～18％的乙醇，余量為氟碳溶劑；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述含氟聚合物為丙烯酸、全氟丙烯酸、丙烯酸氧雜氟烷烴酯的共聚物中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級超疏水納米絕緣保護(hù)涂層，其特征在于，所述含氟羧酸包括全氟丁酸、4-三氟甲基苯甲酸、4-(1,1-二氟乙基)苯甲酸或4-(全氟乙基)苯甲酸、9-甲氧基全氟-2-甲基-3-氧代壬羧酸、全氟-3,6,9-三氧雜十三烷酸、3,3,3-三氟-2-(三氟甲基)丙酸、3-甲氧基四氟丙羧酸、五氟丙酸、全氟-2,5,8,11-四甲基-3,6,9,12-四氧雜十五羧酸、全氟-2,5,8-三甲基-3,6,9-三氧雜十二羧酸中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王赫麟，王萬洋，李翔，
申請(專利權(quán))人：中科微新材料深圳有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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