【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
后述的實(shí)施方式大致涉及陶瓷基板、陶瓷電路基板以及半導(dǎo)體裝置。
技術(shù)介紹
1、近年來(lái)，隨著工業(yè)設(shè)備的高性能化，其中所搭載的功率模塊的高輸出化不斷發(fā)展。伴隨于此，半導(dǎo)體元件的高輸出化發(fā)展。半導(dǎo)體元件的動(dòng)作保證溫度為125℃～150℃，但今后有可能上升至175℃以上。作為安裝半導(dǎo)體元件的電路基板，使用陶瓷電路基板。作為陶瓷基板，可列舉氮化硅基板、氮化鋁基板、氧化鋁基板等。
2、例如，在日本專利第6293772號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中，公開了導(dǎo)熱率50w/m·k以上、3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度600mpa以上的氮化硅基板。在專利文獻(xiàn)1中，控制基板的厚度方向的晶界相的分布。在日本專利第5928896號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中，控制當(dāng)量圓直徑為0.5μm以上的空隙的面積率。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本專利第6293772號(hào)公報(bào)
6、專利文獻(xiàn)2：日本專利第5928896號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題
2、專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中記載的氮化硅基板均具有優(yōu)異的絕緣性。另一方面，從長(zhǎng)期可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，還有改善的余地。在以往的絕緣性試驗(yàn)中，測(cè)定了作為破壞試驗(yàn)的絕緣耐力。在絕緣耐力試驗(yàn)中，在陶瓷基板的正面和背面分別配置電極，測(cè)定發(fā)生絕緣擊穿的電壓。盡管絕緣耐力高，有時(shí)也會(huì)產(chǎn)生長(zhǎng)期可靠性不足的陶瓷基板。研究了其原因，可知在絕緣耐力試驗(yàn)中使用的條件與實(shí)用電場(chǎng)的背離大，所測(cè)定的絕緣耐力作為長(zhǎng)期可靠性的指標(biāo)不適當(dāng)
3、用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段
4、實(shí)施方式的陶瓷基板的特征在于，以200v/s的升壓速度在正面與背面之間施加50hz或60hz的交流電壓，測(cè)定檢測(cè)出電弧放電時(shí)的電弧放電電壓a(kv)，在按照iec672-2測(cè)定了所述正面與所述背面之間的絕緣擊穿電壓b(kv)的情況下，電弧放電電壓a相對(duì)于絕緣擊穿電壓b之比a/b為0.3以上。
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1.一種陶瓷基板，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，
4.一種陶瓷基板，
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的陶瓷基板，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷基板，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷基板，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陶瓷基板，
9.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的陶瓷基板，
10.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的陶瓷基板，
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶瓷基板，
12.一種陶瓷電路基板，具備：
13.一種陶瓷電路基板，具備：
14.一種陶瓷電路基板，具備：
15.一種半導(dǎo)體裝置，具備：
16.一種半導(dǎo)體裝置，具備：
17.一種半導(dǎo)體裝置，具備：
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
1.一種陶瓷基板，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，
4.一種陶瓷基板，
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的陶瓷基板，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷基板，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷基板，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陶瓷基板，
9.根據(jù)權(quán)利要求1或4...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：山形榮人，青木克之，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社東芝，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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