【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體涉及一種半導體處理裝置及其控制方法。
技術介紹
1、等離子刻蝕是半導體制造領域常用的一種目標材料去除工藝，是將曝光顯影在光刻膠上的圖形轉運到目標材料上，最終形成所需設計圖案的過程。一般通過外加電磁場激發腔室內特定氣體生成含高能粒子的等離子體，等離子體中的高能粒子可以通過物理濺射或化學反應生成揮發性產物的方式去除材料表面的物質，完成等離子刻蝕。
2、等離子體刻蝕時采用機臺進行晶圓傳輸，所有待刻蝕的晶圓先由存料區被傳輸進入緩存區，再依次進入制程區刻蝕，最后依次回到存料區待轉運至后續制程。回到存料區的晶圓上會殘留著刻蝕過程中的殘余氣體，且殘余氣體在相對密閉的存料區內無法揮發，還會與密閉空間內的空氣中的氮氣、氫氣、水等反應產生凝結物，在后續制程中凝結物可能會腐蝕晶圓表面、導致晶圓表面損傷，進而影響產品的良率。
技術實現思路
1、本申請實施例的目的在于提供一種半導體處理裝置及其控制方法，能夠有效清除晶圓刻蝕后表面殘留的殘余氣體，提高產品良率。
2、本申請實施例的一方面，提供了一種半導體處理裝置，包括機臺，所述機臺設置有用于等離子刻蝕的制程腔，所述制程腔分別連通有緩存區和存料區，晶圓依次經過所述緩存區、所述制程腔和所述存料區；
3、還包括有除氣模塊和輸氣模塊，所述除氣模塊用于在所述晶圓從所述制程腔轉運到所述存料區時，去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體；所述輸氣模塊用于去除所述晶圓表面的殘余氣體后，向所述晶圓表面輸送保護氣體，以保護所述晶圓的
4、可選地，所述除氣模塊包括第一氣泵和第一氣管，所述第一氣泵通過所述第一氣管從所述晶圓表面抽氣，以去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體。
5、可選地，還包括機械手，所述機械手用于轉運所述晶圓，所述除氣模塊設置在所述機械手上。
6、可選地，所述輸氣模塊包括第二氣泵和第二氣管，所述第二氣泵通過所述第二氣管向所述晶圓表面輸送所述保護氣體。
7、可選地，所述保護氣體包括惰性氣體。
8、可選地，還包括控制器，所述控制器分別和所述除氣模塊、所述輸氣模塊和所述機械手電連接。
9、本申請實施例的另一方面，提供了一種半導體處理裝置的控制方法，用于控制上述的半導體處理裝置，包括：控制晶圓由緩存區轉運至制程腔，以使所述晶圓在所述制程腔內完成刻蝕；
10、控制所述晶圓由所述制程腔轉運至所述存料區，且在所述晶圓轉運過程中去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體；
11、去除所述晶圓表面的殘余氣體后，向所述晶圓表面輸送保護氣體直至所述晶圓轉移到所述存料區內。
12、可選地，采用機械手轉運所述晶圓。
13、可選地，所述控制所述晶圓由所述制程腔轉運至所述存料區，且在所述晶圓轉運過程中去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體，包括：
14、控制所述機械手抓取所述制程腔內的晶圓向所述存料區轉移，且通過所述機械手上設置的除氣模塊向所述晶圓表面抽氣，以去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體。
15、可選地，所述去除所述晶圓表面的殘余氣體后，向所述晶圓表面輸送保護氣體，包括：
16、控制輸氣模塊向所述晶圓表面輸送保護氣體，以保護所述晶圓的表面直至所述晶圓轉運至所述存料區，并向所述存料區輸送保護氣體。
17、本申請實施例提供的半導體處理裝置及其控制方法，晶圓在制程腔內刻蝕完成后，由制程腔向存料區轉運的過程中，通過除氣模塊將晶圓在刻蝕時殘留在晶圓表面的殘余氣體清除；清除晶圓表面的殘余氣體后，向晶圓表面輸送保護氣體，可以避免晶圓與空氣中的氮氣、氫氣、水等反應產生凝結物，解決現有技術中產生的凝結物腐蝕晶圓表面、導致晶圓表面損傷的情況；這樣一來，既可以清除刻蝕時殘留在晶圓表面的殘余氣體，還能保持晶圓表面清潔，保證了晶圓的表面質量，提高了晶圓的產品良率。
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1.一種半導體處理裝置，其特征在于，包括：機臺，所述機臺設置有用于等離子刻蝕的制程腔，所述制程腔分別連通有緩存區和存料區，晶圓依次經過所述緩存區、所述制程腔和所述存料區；
2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述除氣模塊包括第一氣泵和第一氣管，所述第一氣泵通過所述第一氣管從所述晶圓表面抽氣，以去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體。
3.根據權利要求2所述的半導體處理裝置，其特征在于，還包括機械手，所述機械手用于轉運所述晶圓，所述除氣模塊設置在所述機械手上。
4.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述輸氣模塊包括第二氣泵和第二氣管，所述第二氣泵通過所述第二氣管向所述晶圓表面輸送所述保護氣體。
5.根據權利要求1或4所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述保護氣體包括惰性氣體。
6.根據權利要求3所述的半導體處理裝置，其特征在于，還包括控制器，所述控制器分別和所述除氣模塊、所述輸氣模塊和所述機械手電連接。
7.一種半導體處理裝置的控制方法，用于控制權利要求1至6任一項所述的半導體處理裝置，其
8.根據權利要求7所述的半導體處理裝置的控制方法，其特征在于，采用機械手轉運所述晶圓。
9.根據權利要求8所述的半導體處理裝置的控制方法，其特征在于，所述控制所述晶圓由所述制程腔轉運至所述存料區，且在所述晶圓轉運過程中去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體，包括：
10.根據權利要求7所述的半導體處理裝置的控制方法，其特征在于，所述去除所述晶圓表面的殘余氣體后，向所述晶圓表面輸送保護氣體，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體處理裝置，其特征在于，包括：機臺，所述機臺設置有用于等離子刻蝕的制程腔，所述制程腔分別連通有緩存區和存料區，晶圓依次經過所述緩存區、所述制程腔和所述存料區；
2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述除氣模塊包括第一氣泵和第一氣管，所述第一氣泵通過所述第一氣管從所述晶圓表面抽氣，以去除所述晶圓表面殘留的殘余氣體。
3.根據權利要求2所述的半導體處理裝置，其特征在于，還包括機械手，所述機械手用于轉運所述晶圓，所述除氣模塊設置在所述機械手上。
4.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其特征在于，所述輸氣模塊包括第二氣泵和第二氣管，所述第二氣泵通過所述第二氣管向所述晶圓表面輸送所述保護氣體。
5.根據權利要求1或4所述的半導體處理裝置，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：邢子健，
申請(專利權)人：湖北星辰技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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