【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開實施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。
技術(shù)介紹
1、存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。一般計算機系統(tǒng)使用的隨機存取內(nèi)存(random?access?memory，ram)可分為動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?randomaccess?memory，dram)與靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random-access?memory，sram)兩種，動態(tài)隨機存取存儲器是計算機中常用的半導(dǎo)體存儲器件，由許多重復(fù)的存儲單元組成。
2、目前，隨著存儲器的集成度越來越高，高深寬比的結(jié)構(gòu)也就越發(fā)的常見，因此，在向高深寬比的結(jié)構(gòu)內(nèi)進行沉積處理的時候，部分沉積氣體無法進入底部導(dǎo)致在高深寬比內(nèi)形成孔洞，影響半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，至少可以提高形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性。
2、根據(jù)本公開一些實施例，本公開實施例一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)包括多個沿第一方向間隔排布的凹槽；進行第一次沉積處理，向所述凹槽內(nèi)通入第一硅源氣體以在所述凹槽的內(nèi)壁形成第一半導(dǎo)體層直至剩余所述凹槽在所述第一方向的寬度為預(yù)設(shè)寬度；進行第二次沉積處理，向所述凹槽內(nèi)循環(huán)通入第二硅源氣體以形成第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層覆蓋在所述第一半導(dǎo)體層的表面，且所述第二半導(dǎo)體層填充滿所述凹槽，所述第二硅源氣體的活性大于所述第一硅源氣體的活性。
3、在一些實施例中，所述第一硅源氣體包
4、在一些實施例中，每次通入所述第二硅源氣體之后還包括：通入清洗氣體，所述清洗氣體用于在形成填充滿所述凹槽的所述第二半導(dǎo)體層前清掃所述凹槽的頂部的所述第二半導(dǎo)體層。
5、在一些實施例中，循環(huán)通入所述第二硅源氣體及所述清洗氣體中每次通入所述第二硅源氣體的時間為20～40s，每次通入所述清洗氣體的時間為50～70s。
6、在一些實施例中，所述預(yù)設(shè)寬度為3～7nm。
7、在一些實施例中，通入的所述第二硅源氣體的氣體流量小于通入的所述第一硅源氣體的氣體流量。
8、在一些實施例中，通入的所述第一硅源氣體的氣體流量為：750～900sccm。
9、在一些實施例中，通入的所述第二硅源氣體的氣體流量為：350～450sccm。
10、在一些實施例中，所述第一次沉積處理還包括：通入所述第一硅源氣體的同時還通入摻雜氣體。
11、在一些實施例中，通入的所述摻雜氣體為磷化氫。
12、在一些實施例中，通入的所述摻雜氣體的氣體流量為100～180sccm。
13、在一些實施例中，所述第一次沉積處理的環(huán)境溫度和/或所述第二次沉積處理的環(huán)境溫度為400～550℃。
14、在一些實施例中，形成所述第二半導(dǎo)體層之后還包括：進行第三次沉積處理，向所述第二半導(dǎo)體層的表面通入第一硅源氣體，以在所述第二半導(dǎo)體層的頂面形成第三半導(dǎo)體層，所述第三半導(dǎo)體層的底面高于所述凹槽的頂面。
15、在一些實施例中，所述第三次沉積處理通入的所述第一硅源氣體的氣體流量為1500～2500sccm。
16、在一些實施例中，所述第三次沉積處理的環(huán)境溫度為500～580℃。
17、本公開實施例提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點：通過第一次沉積處理先在襯底內(nèi)的凹槽內(nèi)壁形成第一半導(dǎo)體層，直至剩余凹槽在第一方向上的寬度為預(yù)設(shè)寬度，此時，再通過第二次沉積處理，通過通入活性更大的第二硅源氣體，第二硅源氣體更加容易擴散至凹槽底部，從而可以便于形成填充凹槽底部的第二半導(dǎo)體層，從而可以改善填充凹槽時容易形成孔洞的問題，從而可以提高形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性。
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1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一硅源氣體包括：甲硅烷，所述第二硅源氣體包括：乙硅烷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，每次通入所述第二硅源氣體之后還包括：通入清洗氣體，所述清洗氣體用于在形成填充滿所述凹槽的所述第二半導(dǎo)體層前清掃所述凹槽的頂部的所述第二半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，循環(huán)通入所述第二硅源氣體及所述清洗氣體中每次通入所述第二硅源氣體的時間為20～40s，每次通入所述清洗氣體的時間為50～70s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寬度為3～7nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，通入的所述第二硅源氣體的氣體流量小于通入的所述第一硅源氣體的氣體流量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，通入的所述第一硅源氣體的氣體流量為：750～900sccm。
8.根據(jù)
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一次沉積處理還包括：通入所述第一硅源氣體的同時還通入摻雜氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，通入的所述摻雜氣體為磷化氫或者硼烷。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，通入的所述摻雜氣體的氣體流量為100～180sccm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一次沉積處理的環(huán)境溫度和/或所述第二次沉積處理的環(huán)境溫度為400～550℃。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述第二半導(dǎo)體層之后還包括：進行第三次沉積處理，向所述第二半導(dǎo)體層的表面通入第一硅源氣體，以在所述第二半導(dǎo)體層的頂面形成第三半導(dǎo)體層，所述第三半導(dǎo)體層的底面高于所述凹槽的頂面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第三次沉積處理通入的所述第一硅源氣體的氣體流量為1500～2500sccm。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第三次沉積處理的環(huán)境溫度為500～580℃。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一硅源氣體包括：甲硅烷，所述第二硅源氣體包括：乙硅烷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，每次通入所述第二硅源氣體之后還包括：通入清洗氣體，所述清洗氣體用于在形成填充滿所述凹槽的所述第二半導(dǎo)體層前清掃所述凹槽的頂部的所述第二半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，循環(huán)通入所述第二硅源氣體及所述清洗氣體中每次通入所述第二硅源氣體的時間為20～40s，每次通入所述清洗氣體的時間為50～70s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寬度為3～7nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，通入的所述第二硅源氣體的氣體流量小于通入的所述第一硅源氣體的氣體流量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，通入的所述第一硅源氣體的氣體流量為：750～900sccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，通入的所述第二硅源氣體的氣體流量為：35...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李秀升，
申請(專利權(quán))人：長鑫科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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