【技術實現步驟摘要】
本公開大體上涉及用于基于橫向擴散金屬氧化物半導體(ldmos)鰭片的場效應晶體管的面積高效架構的方法、系統及設備。
技術介紹
1、基于鰭片的(也被稱為鰭片狀)場效應晶體管(finfet)已被廣泛應用于互補金屬氧化物半導體(cmos)技術中以實現可擴展性及空間節省。在ldmos的上下文中，常規襯底連結導致裝置陣列面積增加。隨著先進技術節點的大小不斷減小，更大的占用面積及面積對應著越來越高的成本。
2、因此，提供用于面積高效ldmos?finfet的方法、系統及設備。
技術實現思路
1、各種實施例闡述一種面積高效ldmos?finfet。
2、在一些實施例中，提供一種用于面積高效ldmos?finfet的設備。所述設備包含具有第一摻雜的襯底，所述襯底包括具有第二摻雜的第一阱及具有第三摻雜的第二阱。所述設備進一步包含：鰭片，其安置在所述襯底上；柵極，其安置在所述鰭片上；及第一外延層，其具有所述第二摻雜，其中所述第一外延層安置在所述鰭片的第一區及所述襯底的所述第二阱的至少部分上。所述設備進一步包含具有所述第三摻雜的第二外延層，其中所述第二外延層安置在所述鰭片的第二區及所述襯底的所述第二阱的至少部分上。
3、在其它實施例中，提供一種用于面積高效ldmos?finfet的替代設備。所述設備包含由半導體材料形成并安置在襯底上且在第一方向上延伸的一或多個鰭片，所述一或多個鰭片包括未摻雜區、第一摻雜區及第二摻雜區。所述設備進一步包含：柵極，其至少部分安置在所述一或
4、在其它實施例中，提供一種用于面積高效ldmos?finfet的設備。所述設備包含：襯底，其具有第一摻雜，所述襯底包括具有第二摻雜的第一阱及具有第三摻雜的第二阱；及鰭片，其安置在所述襯底上。所述鰭片定位在所述第一阱上方并至少部分在所述第二阱上方延伸。所述鰭片包含：第一摻雜區，其安置在所述第一阱上并具有所述第二摻雜；及第二摻雜區，其安置在所述第一阱上具有所述第三摻雜。
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1.一種設備，其包括：
2.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一外延層是源極電極，所述設備進一步包括：
3.根據權利要求1所述的設備，其中所述鰭片在第一方向上延伸，且所述第一及第二外延層在不同于所述第一方向的第二方向上縱向延伸。
4.根據權利要求3所述的設備，其進一步包括一或多個鰭片，所述一或多個鰭片包含所述鰭片，其中所述第一外延層及第二外延層橫穿所述一或多個鰭片中的每一者。
5.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一外延層具有與所述柵極接觸的第一側及與虛設電介質層接觸的第二側，且其中所述第二外延層通過所述虛設電介質層與所述第一外延層分離。
6.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一摻雜及第三摻雜是p型摻雜，且所述第二摻雜是n型摻雜。
7.根據權利要求4所述的設備，其中所述第二外延層摻雜硼。
8.根據權利要求4所述的設備，其中所述第二外延層摻雜磷。
9.根據權利要求1所述的設備，其中所述第二外延層是p型摻雜的襯底連結。
10.一種設備，其包括：
11.根據權利
12.根據權利要求10所述的設備，其中所述第二摻雜是n型摻雜，其中所述第三摻雜是p型摻雜。
13.根據權利要求10所述的設備，其中所述第二摻雜區是襯底連結。
14.根據權利要求10所述的設備，其中第二摻雜區摻雜硼。
15.根據權利要求10所述的設備，其進一步包括：
16.一種設備，其包括：
17.根據權利要求16所述的設備，其中所述鰭片進一步包含安置在所述第一摻雜區上的第一外延結構及安置在所述第二摻雜區上的第二外延結構。
18.根據權利要求16所述的設備，其中所述第一摻雜及第二摻雜是p型摻雜，其中所述第三摻雜是n型摻雜。
19.根據權利要求16所述的設備，其中第一摻雜區摻雜硼。
20.根據權利要求16所述的設備，其中所述第一摻雜區是具有第三摻雜的襯底連結，其中所述第三摻雜輕于所述第二摻雜且等于或重于所述第一摻雜。
...【技術特征摘要】
1.一種設備，其包括：
2.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一外延層是源極電極，所述設備進一步包括：
3.根據權利要求1所述的設備，其中所述鰭片在第一方向上延伸，且所述第一及第二外延層在不同于所述第一方向的第二方向上縱向延伸。
4.根據權利要求3所述的設備，其進一步包括一或多個鰭片，所述一或多個鰭片包含所述鰭片，其中所述第一外延層及第二外延層橫穿所述一或多個鰭片中的每一者。
5.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一外延層具有與所述柵極接觸的第一側及與虛設電介質層接觸的第二側，且其中所述第二外延層通過所述虛設電介質層與所述第一外延層分離。
6.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一摻雜及第三摻雜是p型摻雜，且所述第二摻雜是n型摻雜。
7.根據權利要求4所述的設備，其中所述第二外延層摻雜硼。
8.根據權利要求4所述的設備，其中所述第二外延層摻雜磷。
9.根據權利要求1所述的設備，其中所述第二外延層是p型摻雜的襯底連結。
10.一種設備，其包括：
11.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉清，
申請(專利權)人：安華高科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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