【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體，尤其涉及一種玻璃基板的通孔方法。
技術介紹
1、目前，利用玻璃基板制備通孔器件的主要流程為：首先獲取設定厚度的玻璃基板，然后激光打孔，之后蝕刻通孔，獲得一定厚度、通孔孔徑的玻璃基板。
2、在現階段的通孔方式下，不同基板材質、厚度其通孔效率會有所差異，玻璃基板在通孔過程中會逐漸減薄，其減薄厚度(相對不同材質、不同厚度)是個存在差異的變量；其常規通孔方法通孔后的孔徑及最終厚度難以同時滿足不同項目的需求，在實際生產過程中孔徑受厚度、材質的限制，增加了工藝管控難度。
3、另外，在現階段的通孔方式下，蝕刻通孔過程中，玻璃基板在蝕刻液內不斷新增、放大凹點及劃傷，導致基板表觀品質較差，需要進一步修復處理(較嚴重的無法修復)，繼而降低了效率及產品品質。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種玻璃基板的通孔方法，該方法可獲得基板厚度穩定、表觀品質優良的玻璃基通孔器件。
2、本專利技術提供了一種玻璃基板的通孔方法，包括以下步驟：
3、a)將玻璃基板進行雙面磁控濺射鍍耐酸保護層，得到雙面鍍膜基板；
4、b)將所述雙面鍍膜基板的雙面依次進行光刻膠涂布、曝光和顯影，形成mark標和預設孔，基板兩側表面形成的mark標和預設孔相互對應；
5、c)將經過步驟b)處理的基板進行退鍍成型，使基板預設孔內的鍍層蝕刻去除，顯現出玻璃基底；隨后去除基板表面殘留的光刻膠；
6、d)將步驟c)處理得到的
7、e)將經過步驟d)處理的基板進行蝕刻，使基板的激光打孔處形成所需規格的通孔；
8、f)將經過步驟e)處理的基板進行脫膜褪鍍，使基板表面殘留的鍍層去除。
9、優選的，步驟a)中，所述耐酸保護層的成分包括鉬、鉛、鎳、鉻和銅中的一種或多種。
10、優選的，步驟a)中，所述耐酸保護層的鍍層厚度為200～2000nm。
11、優選的，步驟b)中，所述預設孔的孔徑為20～200μm。
12、優選的，步驟b)中，所述基板兩側表面形成的相互對應的mark標和預設孔的重合誤差≤10μm。
13、優選的，步驟c)中，所述退鍍成型的方式為將經過步驟b)處理的基板浸泡在鍍層蝕刻液中，所述浸泡的溫度為25～30℃，所述浸泡的時間為1～20min。
14、優選的，步驟c)中，去除所述光刻膠的方式為在去膠液中進行超聲清洗。
15、優選的，步驟e)中，所述蝕刻的方式為將經過步驟d)處理的基板浸泡在hf蝕刻液中。
16、優選的，步驟e)中，所述hf蝕刻液的hf濃度為5～30wt％，所述浸泡的溫度為26～35℃，所述蝕刻的速率＜3μm/min。
17、優選的，步驟f)中，所述脫膜褪鍍的方式為將經過步驟e)處理的基板浸泡在褪鍍液中，所述浸泡的溫度為30～45℃，所述浸泡的時間為10～30min。
18、與現有技術相比，本專利技術提供了一種玻璃基板的通孔方法，包括以下步驟：a)將玻璃基板進行雙面磁控濺射鍍耐酸保護層，得到雙面鍍膜基板；b)將所述雙面鍍膜基板的雙面依次進行光刻膠涂布、曝光和顯影，形成mark標和預設孔，基板兩側表面形成的mark標和預設孔相互對應；c)將經過步驟b)處理的基板進行退鍍成型，使基板預設孔內的鍍層蝕刻去除，顯現出玻璃基底；隨后去除基板表面殘留的光刻膠；d)將步驟c)處理得到的蝕刻出玻璃基底孔形的基板進行雙面激光打孔處理，打孔位置位于所述玻璃基底孔形內；e)將經過步驟d)處理的基板進行蝕刻，使基板的激光打孔處形成所需規格的通孔；f)將經過步驟e)處理的基板進行脫膜褪鍍，使基板表面殘留的鍍層去除。本專利技術利用雙面鍍層的保護，后續在通孔過程中玻璃不會減薄，保證基板厚度在通孔后的可靠性；且鍍層還可以阻止玻璃在蝕刻過程中的凹點及劃傷的新增與放大，提高了通孔器件的表觀品質。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種玻璃基板的通孔方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟a)中，所述耐酸保護層的成分包括鉬、鉛、鎳、鉻和銅中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟a)中，所述耐酸保護層的鍍層厚度為200～2000nm。
4.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟b)中，所述預設孔的孔徑為20～200μm。
5.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟b)中，所述基板兩側表面形成的相互對應的mark標和預設孔的重合誤差≤10μm。
6.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟c)中，所述退鍍成型的方式為將經過步驟b)處理的基板浸泡在鍍層蝕刻液中，所述浸泡的溫度為25～30℃，所述浸泡的時間為1～20min。
7.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟c)中，去除所述光刻膠的方式為在去膠液中進行超聲清洗。
8.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟e)中，所述蝕刻的方式為將經過步驟d)處理的基板浸泡在HF
9.根據權利要求8所述的通孔方法，其特征在于，步驟e)中，所述HF蝕刻液的HF濃度為5～30wt％，所述浸泡的溫度為26～35℃，所述蝕刻的速率＜3μm/min。
10.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟f)中，所述脫膜褪鍍的方式為將經過步驟e)處理的基板浸泡在褪鍍液中，所述浸泡的溫度為30～45℃，所述浸泡的時間為10～30min。
...【技術特征摘要】
1.一種玻璃基板的通孔方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟a)中，所述耐酸保護層的成分包括鉬、鉛、鎳、鉻和銅中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟a)中，所述耐酸保護層的鍍層厚度為200～2000nm。
4.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟b)中，所述預設孔的孔徑為20～200μm。
5.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟b)中，所述基板兩側表面形成的相互對應的mark標和預設孔的重合誤差≤10μm。
6.根據權利要求1所述的通孔方法，其特征在于，步驟c)中，所述退鍍成型的方式為將經過步驟b)處理的基板浸泡在鍍層蝕刻液中...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張迅，易偉華，劉松林，徐艷勇，陳玉泉，
申請(專利權)人：湖北通格微電路科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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