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    載盤末端執(zhí)行器組件制造技術(shù)

    技術(shù)編號:44233547 閱讀:8 留言:0更新日期:2025-02-11 13:36
    本技術(shù)涉及晶圓設(shè)備領(lǐng)域,具體而言,涉及一種載盤末端執(zhí)行器組件。載盤末端執(zhí)行器組件包括執(zhí)行器機構(gòu)、標示光源、載盤和氣浮盤;所執(zhí)行器機構(gòu)具有第一標志線,載盤具有第二標志線;第一標志線、第二標志線均為直線段,且第二標志線的延伸方向均與氣浮半月件的長度方向具有夾角;標示光源能夠發(fā)出具有預設(shè)寬度的標示光線;當執(zhí)行器機構(gòu)能夠移動至載盤上方時,移動執(zhí)行器機構(gòu)能夠使得標示光線穿設(shè)第二標志線后與第一標志線對齊;載盤的中心設(shè)置有定位部,氣浮盤的中心設(shè)置有配合部,定位部可轉(zhuǎn)動地設(shè)置于配合部中以實現(xiàn)載盤和氣浮盤的中心對齊。如此能夠確保執(zhí)行器、載盤和氣浮盤三者的位置相對穩(wěn)定,從而保障晶片的品質(zhì)。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及晶圓設(shè)備領(lǐng)域,具體而言,涉及一種載盤末端執(zhí)行器組件


    技術(shù)介紹

    1、在碳化硅外延生長中晶體生長均勻性和表面形貌,是產(chǎn)品極其關(guān)鍵的兩大參數(shù)。為了獲取與襯底相同晶向的晶體,一般要求的工藝溫度在1600℃左右。由于設(shè)備的硬件的局限性,正常生長起始溫度在900℃,由于溫度落差導致在反應腔壁上累積的碳化硅相關(guān)的結(jié)晶體,在溫度落差下熱應力的作用下遇到氣流繞流情況下會導致脫落,從而影響碳化硅外延晶體表面形貌。為了提高晶體質(zhì)量獲得比較均勻的摻雜效果以及厚度,考慮到溫度和流體的邊緣效應,目前流行的做法是實現(xiàn)分區(qū)控制。通過以生長載盤為中心的分區(qū)控制,調(diào)節(jié)不同區(qū)域的溫度以及流速,已達到較高的均勻性。綜上所述為了獲得較好的生長均勻性以及表面形貌,就要求在晶體生長之前處于一個潔凈的,位置可控的起始狀態(tài)。

    2、然后現(xiàn)有的載盤末端執(zhí)行器具有以下技術(shù)問題:

    3、1、晶圓由于腔體位置不劇中,從而產(chǎn)生晶圓生長外延工藝的厚度以及濃度均勻性異常。

    4、2、傳輸過程中產(chǎn)生的掉落物,從而產(chǎn)生碳化硅晶圓表面形貌的惡化,影響晶圓質(zhì)量。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本技術(shù)的目的包括,例如,提供了一種載盤末端執(zhí)行器組件,其能夠確保執(zhí)行器、載盤和氣浮盤三者的位置相對穩(wěn)定,從而保障晶片的品質(zhì)。

    2、本技術(shù)的實施例可以這樣實現(xiàn):

    3、第一方面,本技術(shù)提供一種載盤末端執(zhí)行器組件,能夠設(shè)置于氣浮半月件上,包括:

    4、執(zhí)行器機構(gòu)、標示光源、載盤和氣浮盤;所述氣浮盤設(shè)置于所述氣浮半月件上,所述載盤設(shè)置于所述氣浮盤的頂部,所述執(zhí)行器機構(gòu)能夠移動至所述載盤上方;

    5、所述執(zhí)行器機構(gòu)具有第一標志線,所述載盤具有第二標志線;所述第一標志線、所述第二標志線均為直線段,且所述第二標志線的延伸方向均與所述氣浮半月件的長度方向具有夾角;

    6、所述標示光源能夠發(fā)出具有預設(shè)寬度的標示光線;當所述執(zhí)行器機構(gòu)能夠移動至所述載盤上方時,移動所述執(zhí)行器機構(gòu)能夠使得所述標示光線穿設(shè)所述第二標志線后與第一標志線對齊;

    7、所述載盤的中心設(shè)置有定位部,所述氣浮盤的中心設(shè)置有配合部,所述定位部可轉(zhuǎn)動地設(shè)置于所述配合部中以實現(xiàn)所述載盤和所述氣浮盤的中心對齊。

    8、在可選的實施方式中,所述執(zhí)行器機構(gòu)包括執(zhí)行器單元和覆蓋件;

    9、所述執(zhí)行器單元包括連接部和兩個執(zhí)行臂;兩個執(zhí)行臂分別設(shè)置于所述連接部的長度方向的兩端,且兩個執(zhí)行臂均與所述連接部的長度方向保持夾角;

    10、兩個所述執(zhí)行臂與所述連接部圍合形成用于容納晶圓的容納空間;所述覆蓋件設(shè)置于兩個所述執(zhí)行臂之間,且所述覆蓋件能夠覆蓋所述容納空間中的晶圓;

    11、所述第一標志線設(shè)置于所述覆蓋件上。

    12、在可選的實施方式中,沿所述執(zhí)行臂的長度方向,所述執(zhí)行臂具有靠近所述連接部的第一端,以及遠離所述連接部第二端;

    13、所述覆蓋件的長度大于所述執(zhí)行臂的長度;且所述覆蓋件的一端設(shè)置于所述第一端,所述覆蓋件的另一端沿所述執(zhí)行臂長度方向延伸至遠離所述第二端的預設(shè)位置處。

    14、在可選的實施方式中,所述覆蓋件靠近所述第二端的一側(cè)為圓弧過渡。

    15、在可選的實施方式中,所述覆蓋件與所述執(zhí)行器單元一體成型。

    16、在可選的實施方式中,所述標示光源為激光器。

    17、在可選的實施方式中,所述定位部為定位凸起,所述配合部為配合凹槽,所述定位凸起卡入所述配合凹槽中;且所述定位凸起能夠在所述配合凹槽中轉(zhuǎn)動。

    18、在可選的實施方式中,所述定位凸起包括倒錐臺,所述倒錐臺通過圓臺設(shè)置于所述載盤的底部,所述倒錐臺的底部直徑小于所述倒錐臺的頂部直徑;

    19、所述配合凹槽包括錐形槽,所述倒錐臺能夠卡入所述錐形槽中。

    20、在可選的實施方式中,所述倒錐臺的底部設(shè)置有倒圓角。

    21、在可選的實施方式中,所述氣浮盤為平面盤狀結(jié)構(gòu),所述載盤與所述氣浮盤能夠保持平行。

    22、本技術(shù)實施例的有益效果包括,例如:

    23、這樣的載盤末端執(zhí)行器組件通過標示光源、執(zhí)行器機構(gòu)的第一標志線和載盤的第二標志線進行協(xié)同配合,實現(xiàn)了執(zhí)行器與氣浮盤能夠?qū)崿F(xiàn)定位。即通過標示光源發(fā)出的光線,使得第一標志線和第二標志線能夠重合,如此以保障執(zhí)行器和氣浮盤的投影能夠重合,從而保障執(zhí)行器與氣浮盤的相對位置能夠定位。而載盤的中心的定位部,與氣浮盤的中心的配合部協(xié)同配合,保障了載盤和氣浮盤的相對位置定位。即載盤和氣浮盤既能夠在保障載盤能夠精準的落在氣浮盤腔體底座上,又能夠減少載盤在下落過程產(chǎn)生的氣壓而使載盤位置移動,保證載盤與末端執(zhí)行器的相對位置穩(wěn)定。綜上,這樣載盤末端執(zhí)行器組件保障了執(zhí)行器機構(gòu)、載盤和氣浮盤三者的位置相對穩(wěn)定。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種載盤末端執(zhí)行器組件,能夠設(shè)置于氣浮半月件上,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種載盤末端執(zhí)行器組件,能夠設(shè)置于氣浮半月件上,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的載盤末端執(zhí)行器組件,其特征在于:

    ...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:喻孝姚衛(wèi)
    申請(專利權(quán))人:湖南三安半導體有限責任公司
    類型:新型
    國別省市:

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