【技術實現步驟摘要】
本公開涉及顯示，特別涉及電子紙陣列基板及顯示裝置。
技術介紹
1、隨著顯示技術的飛速發展，顯示面板越來越向著高充電率、低功耗、輕薄化的方向發展。其中，goa(gate?driver?on?array，陣列基板行驅動)技術將tft(thin?filmtransistor，薄膜晶體管)柵極驅動電路集成在電子紙顯示屏的陣列基板上，以形成對顯示面板的驅動，可以節省較多布線空間，實現窄邊框。為了滿足電子紙顯示屏的快刷和全彩顯示需求，通常采用高遷移率的金屬氧化物oxide作為半導體材料，但oxide作為柵極驅動電路的半導體材料不能長時間穩定輸出較高的柵極驅動電壓，容易出現顯示異常。
技術實現思路
1、本公開實施例提供的電子紙陣列基板，包括：
2、襯底基板，包括顯示區和非顯示區；
3、多個像素，位于所述襯底基板的所述顯示區；所述像素包括像素晶體管和與所述像素晶體管連接的像素電極；
4、柵極驅動電路，位于所述襯底基板的所述非顯示區；所述柵極驅動電路包括柵極電路晶體管，所述柵極電路晶體管的有源層的材料為非晶硅，所述像素晶體管的有源層的材料與所述柵極電路晶體管的有源層的材料不同。
5、在一些示例中，所述像素晶體管的有源層的材料為金屬氧化物半導體材料。
6、在一些示例中，所述金屬氧化物半導體材料包括：銦鎵鋅氧化物。
7、在一些示例中，所述柵極電路晶體管的柵極位于所述柵極電路晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述柵極電路晶體管的源漏極
8、所述像素晶體管的柵極位于所述像素晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述像素晶體管的源漏極位于所述像素晶體管的有源層背離所述襯底基板的一側；
9、所述柵極電路晶體管的柵極與所述像素晶體管的源漏極同層同材質。
10、在一些示例中，所述柵極電路晶體管的柵極位于所述柵極電路晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述柵極電路晶體管的源漏極位于所述柵極電路晶體管的有源層背離所述襯底基板的一側；
11、所述像素晶體管的柵極位于所述像素晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述像素晶體管的源漏極位于所述像素晶體管的有源層背離所述襯底基板的一側；
12、所述柵極電路晶體管的源漏極與所述像素晶體管的柵極同層同材質。
13、在一些示例中，還包括半導體材料層，所述半導體材料層位于所述像素晶體管的柵極與所述襯底基板之間；
14、所述像素晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影覆蓋所述半導體材料層在所述襯底基板的正投影。
15、在一些示例中，所述半導體材料層與所述柵極電路晶體管的有源層同層同材質。
16、在一些示例中，所述柵極驅動電路包括至少兩個柵極電路晶體管，所述至少兩個柵極電路晶體管中的一個柵極電路晶體管與另一個柵極電路晶體管通過連接層電連接；
17、所述連接層與所述像素晶體管的源漏極同層同材質。
18、在一些示例中，所述像素晶體管的源漏極中的一個極通過第一轉接層與所述像素電極連接，所述第一轉接層位于所述像素晶體管的源漏極所在層與所述像素電極所在層之間；
19、所述像素電極在所述襯底基板的正投影覆蓋所述第一轉接層在所述襯底基板的正投影。
20、在一些示例中，還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述像素晶體管的源漏極所在層與所述第一轉接層之間，所述第一轉接層通過貫穿所述第一絕緣層的第一過孔與所述像素晶體管的源漏極中的一個極連接。
21、在一些示例中，還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述第一轉接層和所述像素電極所在層之間，所述像素電極通過貫穿所述第二絕緣層的第二過孔與所述第一轉接層連接。
22、在一些示例中，還包括位于像素晶體管一側的層疊設置的第一公共電極和第二公共電極；
23、所述第一公共電極、所述第二公共電極位于所述像素電極所在層和所述像素晶體管的柵極所在層之間；
24、所述第一公共電極與所述像素晶體管的源漏極同層同材質，所述第二公共電極與所述第一轉接層同層同材質；
25、所述第二公共電極通過貫穿所述第一絕緣層的第三過孔與所述第一公共電極連接。
26、在一些示例中，所述柵極電路晶體管的源漏極與所述第一轉接層同層同材質。
27、在一些示例中，所述第一轉接層包括第一子轉接層和第二子轉接層，所述第二子轉接層所在層位于所述第一子轉接層所在層與所述像素電極所在層之間；
28、所述第二子轉接層所在層與所述第一子轉接層所在層之間具有第三絕緣層，所述第二子轉接層與所述第一子轉接層通過貫穿所述第三絕緣層的第四過孔連接；
29、所述第二子轉接層所在層與所述像素電極所在層之間具有第四絕緣層，所述第二子轉接層與所述像素電極通過貫穿所述第四絕緣層的第五過孔連接。
30、本公開實施例提供的電子紙顯示裝置，包括上述的電子紙陣列基板。
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1.一種電子紙陣列基板，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述像素晶體管的有源層的材料為金屬氧化物半導體材料。
3.根據權利要求2所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體材料包括：銦鎵鋅氧化物。
4.根據權利要求3所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述柵極電路晶體管的柵極位于所述柵極電路晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述柵極電路晶體管的源漏極位于所述柵極電路晶體管的有源層背離所述襯底基板的一側；
5.根據權利要求3所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述柵極電路晶體管的柵極位于所述柵極電路晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述柵極電路晶體管的源漏極位于所述柵極電路晶體管的有源層背離所述襯底基板的一側；
6.根據權利要求5所述的電子紙陣列基板，其特征在于，還包括半導體材料層，所述半導體材料層位于所述像素晶體管的柵極與所述襯底基板之間；
7.根據權利要求6所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述半導體材料層與所述柵極電路晶體管的有源層同層同材質。
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9.根據權利要求4或5所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述像素晶體管的源漏極中的一個極通過第一轉接層與所述像素電極連接，所述第一轉接層位于所述像素晶體管的源漏極所在層與所述像素電極所在層之間；
10.根據權利要求9所述的電子紙陣列基板，其特征在于，還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述像素晶體管的源漏極所在層與所述第一轉接層之間，所述第一轉接層通過貫穿所述第一絕緣層的第一過孔與所述像素晶體管的源漏極中的一個極連接。
11.根據權利要求10所述的電子紙陣列基板，其特征在于，還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述第一轉接層和所述像素電極所在層之間，所述像素電極通過貫穿所述第二絕緣層的第二過孔與所述第一轉接層連接。
12.根據權利要求10所述的電子紙陣列基板，其特征在于，還包括位于像素晶體管一側的層疊設置的第一公共電極和第二公共電極；
13.根據權利要求10所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述柵極電路晶體管的源漏極與所述第一轉接層同層同材質。
14.根據權利要求13所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述第一轉接層包括第一子轉接層和第二子轉接層，所述第二子轉接層所在層位于所述第一子轉接層所在層與所述像素電極所在層之間；
15.一種電子紙顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-14任一項所述的電子紙陣列基板。
...【技術特征摘要】
1.一種電子紙陣列基板，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述像素晶體管的有源層的材料為金屬氧化物半導體材料。
3.根據權利要求2所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體材料包括：銦鎵鋅氧化物。
4.根據權利要求3所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述柵極電路晶體管的柵極位于所述柵極電路晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述柵極電路晶體管的源漏極位于所述柵極電路晶體管的有源層背離所述襯底基板的一側；
5.根據權利要求3所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述柵極電路晶體管的柵極位于所述柵極電路晶體管的有源層與所述襯底基板之間，所述柵極電路晶體管的源漏極位于所述柵極電路晶體管的有源層背離所述襯底基板的一側；
6.根據權利要求5所述的電子紙陣列基板，其特征在于，還包括半導體材料層，所述半導體材料層位于所述像素晶體管的柵極與所述襯底基板之間；
7.根據權利要求6所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述半導體材料層與所述柵極電路晶體管的有源層同層同材質。
8.根據權利要求5所述的電子紙陣列基板，其特征在于，所述柵極驅動電路包括至少兩個柵極電路晶體管，所述至少兩個柵極電路晶體管中的一個柵極電路晶體管與另一個柵極電路晶體管通過連接層電連接；
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【專利技術屬性】
技術研發人員：于心蕊，華剛，王冬，劉景昊，胡錦堂，王敏，李超，陳俊生，鄧立廣，
申請(專利權)人：北京京東方顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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