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    一種基于硅光芯片的光模塊制造技術

    技術編號:44238975 閱讀:12 留言:0更新日期:2025-02-11 13:39
    本技術屬于光模塊技術領域,提供了一種基于硅光芯片的光模塊,包括MZ調制器、模斑轉換器、波導熱調諧器、波分器和光電探測器;所述模斑轉換器的輸出端與所述MZ調制器相連;所述MZ調制器還與所述波導熱調諧器相連;所述MZ調制器的輸出端與所述波分器的輸入端相連;所述波分器用于將所述MZ調制器輸出的調制光分成兩路,一路傳輸至所述光電探測器,另一路向外輸出。其能夠實現大功率、長距離及高速率的光信號傳輸。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術屬于光模塊,尤其涉及一種基于硅光芯片的光模塊


    技術介紹

    1、本部分的陳述僅僅是提供了與本技術相關的
    技術介紹
    信息,不必然構成在先技術。

    2、光纖通信系統是以光為載波,利用純度極高的玻璃拉制成極細的光導纖維作為傳輸媒介,通過光電變換,用光來傳輸信息的通信系統。在中長距離的光纖通信系統中,目前普遍采用eml(電吸收調制)激光器和dfb(分布式反饋)激光器,而這兩種激光器的調制方式都會受到溫度漂移及頻率啁啾效應等影響。尤其,當信號傳輸到25gbps以上時,溫漂和啁啾等因素的影響都嚴重制約了光信號的傳輸距離。另外,傳統硅光芯片的空間光耦合方式,由于硅光芯片和光纖波導模斑差異較大,通常采用透鏡匯聚方式實現耦合,結構相對復雜,無法實現直接耦合。


    技術實現思路

    1、為了解決上述
    技術介紹
    中存在的技術問題,本技術提供一種基于硅光芯片的光模塊,其能夠實現大功率、長距離及高速率的光信號傳輸。

    2、為了實現上述目的,本技術采用如下技術方案:

    3、在一個或多個實施例中,一種基于硅光芯片的光模塊,其包括mz調制器、模斑轉換器、波導熱調諧器、波分器和光電探測器;

    4、所述模斑轉換器的輸出端與所述mz調制器相連;

    5、所述mz調制器還與所述波導熱調諧器相連;

    6、所述mz調制器的輸出端與所述波分器的輸入端相連;

    7、所述波分器用于將所述mz調制器輸出的調制光分成兩路,一路傳輸至所述光電探測器,另一路向外輸出。

    8、作為一種實施方式,所述基于硅光芯片的光模塊還包括激光器、電流源電路、電壓跟隨器、mz驅動器和鏡像電路;

    9、所述激光器的輸出端與所述模斑轉換器的輸入端連接;

    10、所述電流源電路與所述激光器連接;

    11、所述電壓跟隨器與所述波導熱調諧器連接;

    12、所述mz驅動器與所述mz調制器連接;

    13、所述鏡像電路與所述光電探測器連接。

    14、作為一種實施方式,所述mz驅動器為差分交流耦合驅動電路。

    15、作為一種實施方式,所述差分交流耦合驅動電路包括驅動芯片及差分交流耦合電路;所述差分交流耦合電路由連接在所述驅動芯片的兩個輸出端子的兩個結構相同的子電路構成;每個子電路由第一電阻和第一電感所構成的rl并聯網絡、第二電感及第一電容串聯構成;所述rl并聯網絡還與供電電源相連;所述第一電容一端與所述驅動芯片的輸出端子相連,另一端與所述mz調制器的輸入端子相連。

    16、作為一種實施方式,所述鏡像電路包括第一三極管、第二三極管和第二電阻,所述第一三極管和第二三極管相對鏡像設置,兩者的基極端直接相連,兩者的發射極端均與供電電源相連,第一三極管的集電極端與光電探測的一端相連,第二三極管的集電極端通過第二電阻與光電探測的另一端相連,且第二電阻與光電探測相連的一端還接地。

    17、作為一種實施方式,所述電流源電路由電流源型驅動芯片及其外圍電路構成。

    18、作為一種實施方式,所述mz驅動器、電流源電路和電壓跟隨器均與控制器相連。

    19、作為一種實施方式,所述激光器與所述模斑轉換器的輸入端直接端面耦合。

    20、作為一種實施方式,所述光電探測器為pd光電探測器。

    21、作為一種實施方式,所述模斑轉換器的輸出端通過波導與所述mz調制器相連。

    22、本技術的有益效果是:

    23、(1)本技術將mz調制器、模斑轉換器、波導熱調諧器、波分器和光電探測器這些光學元件集成在一起,有效改善了器件光路的復雜度,節省了器件封裝空間。

    24、(2)本技術采用只有在兩個臂折射率變化相等且方向相反的情況下才被驅動的mz調制器,解決了dml和eam頻率啁啾問題,適用于長距離及dwdm環境應用。

    25、(3)本技術的mz調制器還與波導熱調諧器相連,利用波導熱調諧器實現最佳相位和眼圖性能的鎖定。

    26、(4)本技術的激光器與模斑轉換器之間采用端面耦合方式,無需透鏡能有效減少空間距離限制,并通過模斑轉換器增大了激光器輸出的光斑,提高了入射功率耦合效率。

    27、(5)本技術的mz驅動器采用差分交流耦合驅動電路,可實現4vpp的差分調制幅度,可實現8db以上的消光比性能。

    28、(6)本技術的基于硅光芯片的光模塊,適用于25gbps/50gpbs/100gbps等速率的單載波、長距傳輸光模塊封裝系統,如下一代25g/50g/100g?dwdm網絡應用。

    29、本技術附加方面的優點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本專利技術的實踐了解到。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,包括MZ調制器、模斑轉換器、波導熱調諧器、波分器和光電探測器;

    2.如權利要求1所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述基于硅光芯片的光模塊還包括激光器、電流源電路、電壓跟隨器、MZ驅動器和鏡像電路;

    3.如權利要求2所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述MZ驅動器為差分交流耦合驅動電路。

    4.如權利要求3所述基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述差分交流耦合驅動電路包括驅動芯片及差分交流耦合電路;所述差分交流耦合電路由連接在所述驅動芯片的兩個輸出端子的兩個結構相同的子電路構成;每個子電路由第一電阻和第一電感所構成的RL并聯網絡、第二電感及第一電容串聯構成;所述RL并聯網絡還與供電電源相連;所述第一電容一端與所述驅動芯片的輸出端子相連,另一端與所述MZ調制器的輸入端子相連。

    5.如權利要求2所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述鏡像電路包括第一三極管、第二三極管和第二電阻,所述第一三極管和第二三極管相對鏡像設置,兩者的基極端直接相連,兩者的發射極端均與供電電源相連,第一三極管的集電極端與光電探測的一端相連,第二三極管的集電極端通過第二電阻與光電探測的另一端相連,且第二電阻與光電探測相連的一端還接地。

    6.如權利要求2所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述電流源電路由電流源型驅動芯片及其外圍電路構成。

    7.如權利要求2所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述MZ驅動器、電流源電路和電壓跟隨器均與控制器相連。

    8.如權利要求2所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述激光器與所述模斑轉換器的輸入端直接端面耦合。

    9.如權利要求1所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述光電探測器為PD光電探測器。

    10.如權利要求1所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述模斑轉換器的輸出端通過波導與所述MZ調制器相連。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,包括mz調制器、模斑轉換器、波導熱調諧器、波分器和光電探測器;

    2.如權利要求1所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述基于硅光芯片的光模塊還包括激光器、電流源電路、電壓跟隨器、mz驅動器和鏡像電路;

    3.如權利要求2所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述mz驅動器為差分交流耦合驅動電路。

    4.如權利要求3所述基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述差分交流耦合驅動電路包括驅動芯片及差分交流耦合電路;所述差分交流耦合電路由連接在所述驅動芯片的兩個輸出端子的兩個結構相同的子電路構成;每個子電路由第一電阻和第一電感所構成的rl并聯網絡、第二電感及第一電容串聯構成;所述rl并聯網絡還與供電電源相連;所述第一電容一端與所述驅動芯片的輸出端子相連,另一端與所述mz調制器的輸入端子相連。

    5.如權利要求2所述的基于硅光芯片的光模塊,其特征在于,所述鏡像電路包...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:魏興
    申請(專利權)人:東莞銘普光磁股份有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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