【技術實現步驟摘要】
本公開實施例涉及半導體，尤其涉及一種氣相沉積機臺及其控制方法。
技術介紹
1、在一些氣相沉積工藝中，包括但不限于化學氣相沉積、物理氣相沉積以及等離子體增強型氣相沉積；晶圓被傳送于工藝腔內，并被吸附于晶圓承載臺上以固定；沉積室中通入工藝氣體，在晶圓表面形成膜層。在一些氣相沉積機臺的運行過程中，晶圓通過機械臂等傳送裝置傳送進工藝腔內，并放置于晶圓承載臺上時會發生晶圓偏移，會導致晶圓表面膜層沉積不均、導致晶圓背面一些區域沉積過厚的薄膜而出現靜電堆積以及尖端放電，降低沉積機臺的運行效率以及薄膜沉積良率。有鑒于此，氣相沉積機臺還存在諸多可以提升的空間。
技術實現思路
1、根據本公開實施例的一些方面，提供一種氣相沉積機臺，包括：
2、工藝腔，被配置為容納晶圓并在晶圓表面沉積膜層；晶圓承載盤，位于所述工藝腔內；所述晶圓承載盤被配置為承載所述晶圓的第一表面；光電探測裝置，位于所述工藝腔之外；所述光電探測裝置包括光發射組件、光接收組件，以及與所述光接收組件連接的處理部；所述光發射組件包括多個間隔設置的光發射頭；所述光發射頭被配置為：當所述晶圓在所述光發射頭發射光信號的一側沿第一方向移動時，向所述晶圓的第一表面發射光信號；所述第一方向垂直于光信號的發射方向；所述晶圓的第一表面的邊緣與中間區域的反射率不同，所述第一表面的中間區域的外輪廓包括弧形；所述光接收組件包括與所述光發射頭對應的光接收頭；所述光接收組件被配置為接收所述晶圓的第一表面的光反射信號，并根據所述光反射信號生成多個光電參數；所述
3、根據本公開實施例的一些方面，提供一種氣相沉積機臺的控制方法，包括：
4、控制傳送裝置從晶圓承載盤上拾取所述晶圓并從工藝腔中傳出，使所述晶圓在多個光發射頭發射光信號的一側沿第一方向移動，使所述晶圓與所述晶圓承載盤接觸的第一表面被光信號掃描；所述第一方向與所述光信號的發射方向垂直；所述晶圓的第一表面的邊緣與中間區域的反射率不同，所述第一表面的中間區域的外輪廓包括弧形；在所述晶圓的第一表面被所述光信號掃描的過程中，控制光接收組件接收所述晶圓的第一表面的光反射信號，并根據所述光反射信號生成多個光電參數；獲取所述晶圓在被所述光信號掃描的過程中的多個位移參數，根據多個位移參數以及多個所述光電參數生成所述晶圓相對于所述晶圓承載盤的偏移參數。
5、本公開實施例提供一種氣相沉積機臺，包括，工藝腔以及位于工藝腔內的晶圓承載盤，晶圓承載盤用于承載晶圓的第一表面；工藝腔外設置光探測裝置，光探測裝置包括光發射組件、光接收組件以及與光接收組件連接的處理部；當晶圓的第一表面沿第一方向被光發射組件的光發射頭發射的多個光信號掃描時，光發射組件的光接收頭接收晶圓的反射信號，光接收組件接收光信號后生成電信號形式的光電參數；處理部在晶圓被光信號掃描的過程中，獲取晶圓的多個位移參數，并根據多個位移參數以及多個光電參數生成晶圓相對于晶圓承載盤的偏移參數，減少晶圓與晶圓承載盤偏移量過大引起的良率降低。
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1.一種氣相沉積機臺，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述氣相沉積機臺還包括傳送裝置，所述傳送裝置被配置為：從所述晶圓承載盤上拾取所述晶圓，攜帶所述晶圓沿所述第一方向移動，使所述晶圓的第一表面被所述光信號掃描；
3.根據權利要求2所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述第一映射關系中的特征參數分布于第一數值區間、第二數值區間以及第三數值區間；所述第二數值區間在所述第一數值區間與所述第三數值區間之間；所述處理部被配置為：
4.根據權利要求2所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述處理部還被配置為：
5.根據權利要求4所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述多個光發射頭在第二方向上間隔設置，所述第二方向與所述第一方向垂直；
6.根據權利要求2所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述晶圓的部分區域沿所述晶圓承載盤的徑向凸出于所述晶圓承載盤的邊緣；
7.根據權利要求1所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述光接收頭包括：
8.根據權利要求7所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述光接收頭與所
9.根據權利要求1所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述氣相沉積機臺還包括：
10.一種氣相沉積機臺的控制方法，其特征在于，包括：
11.根據權利要求10所述的控制方法，其特征在于，所述獲取所述晶圓在被所述光信號掃描的過程中的多個位移參數，包括：
12.根據權利要求11所述的控制方法，其特征在于，所述第一映射關系中的特征參數分布于第一數值區間、第二數值區間以及第三數值區間；所述第二數值區間在所述第一數值區間與所述第三數值區間之間；所述控制方法包括：
13.根據權利要求11所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法還包括：
14.根據權利要求13所述的控制方法，其特征在于，所述多個光發射頭在第二方向上間隔設置，所述第二方向與所述第一方向垂直；
15.根據權利要求13所述的控制方法，其特征在于，所述晶圓的部分區域沿所述晶圓承載盤的徑向凸出于所述晶圓承載盤的邊緣；
...【技術特征摘要】
1.一種氣相沉積機臺，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述氣相沉積機臺還包括傳送裝置，所述傳送裝置被配置為：從所述晶圓承載盤上拾取所述晶圓，攜帶所述晶圓沿所述第一方向移動，使所述晶圓的第一表面被所述光信號掃描；
3.根據權利要求2所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述第一映射關系中的特征參數分布于第一數值區間、第二數值區間以及第三數值區間；所述第二數值區間在所述第一數值區間與所述第三數值區間之間；所述處理部被配置為：
4.根據權利要求2所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述處理部還被配置為：
5.根據權利要求4所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述多個光發射頭在第二方向上間隔設置，所述第二方向與所述第一方向垂直；
6.根據權利要求2所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述晶圓的部分區域沿所述晶圓承載盤的徑向凸出于所述晶圓承載盤的邊緣；
7.根據權利要求1所述的氣相沉積機臺，其特征在于，所述光接收頭包括：
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【專利技術屬性】
技術研發人員：李雨鵬，
申請(專利權)人：湖北江城芯片中試服務有限公司，
類型：發明
國別省市：
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