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    納米粒子材料、功能薄膜及其制備方法、電子設備技術

    技術編號:44244831 閱讀:9 留言:0更新日期:2025-02-11 13:43
    本申請公開了一種納米粒子材料、功能薄膜及其制備方法、電子設備;納米粒子材料包括如下式(1)所示的結構:其中,為納米球,M包括功能粒子,Z為疏水性基團,R包括羧基、巰基和氨基中的至少一種,a和b為大于或等于1的整數,c為大于或等于0的整數;本申請能夠提高納米粒子材料圖案化的精度和效率,且不會破壞納米粒子材料的性能。

    【技術實現步驟摘要】

    本申請涉及顯示,尤其涉及一種納米粒子材料、功能薄膜及其制備方法、電子設備


    技術介紹

    1、材料的精確圖案化在展示、防偽、仿生、檢測等領域都非常重要,目前,圖案化方法包括光刻、噴墨印刷、轉移印刷、模板等技術。

    2、在這些技術中,一般需要對材料進行改性,這往往會導致材料性能的降低。例如,在光刻量子點的圖案化制程中,需要調整量子點與光刻膠的比例,優化量子點配體和分散劑等,而量子點也會受到紫外線的長時間照射,這些過程往往會導致量子點的發光性能下降;此外,在噴墨打印技術中,需要調整油墨配方和修改量子點,也會導致量子點發光性能下降,同時還存在打印精度的問題。

    3、因此,需要開發非破壞性、高精度和高效的膜層圖案化方法。


    技術實現思路

    1、本申請的實施例提供一種納米粒子材料、功能薄膜及其制備方法、電子設備,能夠提高納米粒子材料圖案化的精度和效率,且不會破壞納米粒子材料的性能。

    2、本申請的實施例提供一種納米粒子材料,所述納米粒子材料包括如下式(1)所示的結構:

    3、

    4、其中,為納米球,m包括功能粒子,z為疏水性基團,r包括羧基、巰基和氨基中的至少一種,a和b為大于或等于1的整數,c為大于或等于0的整數。

    5、在本申請的一種實施例中,所述納米粒子材料包括如下式(2)所示的結構:

    6、

    7、其中,r1以及r3選自烷基、羰基、醚基、酮基、酰胺基、烯基、炔基以及芳香基中的至少一種;

    8、r2包括羧基、巰基和氨基中的至少一種;

    9、r4包括-coo-、-s-以及-nh-中的至少一種;

    10、m1為所述功能粒子。

    11、在本申請的一種實施例中,選自二氧化硅納米球、聚苯乙烯納米球、聚甲基丙烯酸甲酯納米球或者二氧化鈦納米球。

    12、在本申請的一種實施例中,所述功能粒子選自量子點、上轉換粒子、催化劑粒子或者鈣鈦礦粒子。

    13、在本申請的一種實施例中,c為大于0的整數,所述納米球包括相對設置的第一側和第二側,m和r位于所述第一側,z位于所述第二側。

    14、在本申請的一種實施例中,z選自碳原子數為10至20的取代或未取代的烴基或者硅烷基。

    15、根據本申請的上述目的,本申請的實施例還提供一種功能薄膜的制備方法,所述功能薄膜的制備方法包括:

    16、將納米粒子材料溶于溶劑,以得到分散液,所述納米粒子材料包括如下式(1)所示的結構:

    17、

    18、其中,為納米球,m包括功能粒子,z為疏水性基團,r包括羧基、巰基和氨基中的至少一種,a和b為大于或等于1的整數,c為大于或等于0的整數;

    19、將所述分散液置于第一電極和第二電極之間,使得所述分散液中的所述納米粒子材料至少沉積于所述第一電極上,以形成所述功能薄膜。

    20、在本申請的一種實施例中,所述將納米粒子材料溶于溶劑,以得到分散液的步驟中,溶于所述溶劑中的所述納米粒子材料中的r發生電離,以使所述納米粒子材料具有第一電性;

    21、所述將所述分散液置于第一電極和第二電極之間,使得所述分散液中的所述納米粒子材料至少沉積于所述第一電極上,以形成所述功能薄膜的步驟包括:

    22、對所述第一電極和所述第二電極通電,以形成電場,且所述第一電極具有第二電性,所述第一電性的極性與所述第二電性的極性相反;

    23、通過所述電場將所述納米粒子材料沉積于所述第一電極表面,以形成所述功能薄膜。

    24、根據本申請的上述目的,本申請的實施例還提供一種功能薄膜,所述功能薄膜采用所述功能薄膜的制備方法制得。

    25、根據本申請的上述目的,本申請的實施例還提供一種電子設備,所述電子設備包括所述功能薄膜。

    26、本申請的有益效果:本申請通過在納米粒子材料的納米球上形成功能粒子以及r,且r可以為羧基、巰基和氨基,進而r經過電離就可以帶電,使得納米粒子材料帶電,可以快速且精確的沉積到具有相反電性的電極上,形成圖案化的功能薄膜;而納米粒子材料具有功能粒子,可以使得由納米粒子材料制得的功能薄膜實現對應的功能,且不需要對功能粒子進行改性,本申請能夠提高納米粒子材料圖案化的精度和效率,且不會破壞納米粒子材料的性能。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種納米粒子材料,其特征在于,所述納米粒子材料包括如下式(1)所示的結構:

    2.根據權利要求1所述的納米粒子材料,其特征在于,所述納米粒子材料包括如下式(2)所示的結構:

    3.根據權利要求1或2所述的納米粒子材料,其特征在于,選自二氧化硅納米球、聚苯乙烯納米球、聚甲基丙烯酸甲酯納米球或者二氧化鈦納米球。

    4.根據權利要求1或2所述的納米粒子材料,其特征在于,所述功能粒子選自量子點、上轉換粒子、催化劑粒子或者鈣鈦礦粒子。

    5.根據權利要求1所述的納米粒子材料,其特征在于,c為大于0的整數,所述納米球包括相對設置的第一側和第二側,M和R位于所述第一側,Z位于所述第二側。

    6.根據權利要求1所述的納米粒子材料,其特征在于,Z選自碳原子數為10至20的取代或未取代的烴基或者硅烷基。

    7.一種功能薄膜的制備方法,其特征在于,所述功能薄膜的制備方法包括:

    8.根據權利要求7所述的功能薄膜的制備方法,其特征在于,所述將納米粒子材料溶于溶劑,以得到分散液的步驟中,溶于所述溶劑中的所述納米粒子材料中的R發生電離,以使所述納米粒子材料具有第一電性;

    9.一種功能薄膜,其特征在于,所述功能薄膜采用如權利要求7或8所述的功能薄膜的制備方法制得。

    10.一種電子設備,其特征在于,所述電子設備包括如權利要求9所述的功能薄膜。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種納米粒子材料,其特征在于,所述納米粒子材料包括如下式(1)所示的結構:

    2.根據權利要求1所述的納米粒子材料,其特征在于,所述納米粒子材料包括如下式(2)所示的結構:

    3.根據權利要求1或2所述的納米粒子材料,其特征在于,選自二氧化硅納米球、聚苯乙烯納米球、聚甲基丙烯酸甲酯納米球或者二氧化鈦納米球。

    4.根據權利要求1或2所述的納米粒子材料,其特征在于,所述功能粒子選自量子點、上轉換粒子、催化劑粒子或者鈣鈦礦粒子。

    5.根據權利要求1所述的納米粒子材料,其特征在于,c為大于0的整數,所述納米球包括相對設置的第一側和第二側,m和r位于所述第一側,z位于所...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:肖慧陳黎暄趙金陽
    申請(專利權)人:深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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