【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體地，涉及一種gan?hemt器件的制備方法及ganhemt器件。
技術(shù)介紹
1、氮化鎵高電子遷移率晶體管（gan?hemt）器件是一種新興的半導(dǎo)體器件，以其卓越的性能在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的硅基器件，gan?hemt具備更高的開關(guān)速度、更高的擊穿電壓，使其在高頻、高功率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出色。
2、近年來，gan?hemt器件技術(shù)發(fā)展迅速。許多半導(dǎo)體公司和研究機(jī)構(gòu)紛紛加大對(duì)gan材料的研究和生產(chǎn)投入。相比于早期的技術(shù)，現(xiàn)今的gan?hemt器件在成本、穩(wěn)定性和生產(chǎn)工藝方面都取得了顯著進(jìn)步。隨著制造工藝的成熟，gan?hemt器件的市場(chǎng)應(yīng)用越來越廣泛，價(jià)格逐漸下降，推動(dòng)了其在各個(gè)領(lǐng)域的普及。
3、?gan?on?sic?hemt器件：特指在碳化硅（sic）襯底上制作的gan?hemt器件。gan?onsic?hemt器件通常是高阻的sic襯底，高阻的sic襯底之上是gan?hemt器件的外延結(jié)構(gòu)。
4、圖1為現(xiàn)有技術(shù)的gan?on?sic?hemt器件的示意圖。圖1來自文獻(xiàn)《氮化鎵/碳化硅高電子遷移率功率晶體管與單片微波集成電路綜述a?review?of?gan?on?sic?highelectron-mobility?power?transistors?and?mmics》。如圖1所示，?substrate?via（即基板通孔1-1）從器件的背面開至正面，實(shí)現(xiàn)接地。
5、現(xiàn)有g(shù)an?on?sic?hemt在發(fā)展的同時(shí)也面對(duì)著碳化硅襯底價(jià)格昂貴的問題
6、常規(guī)大規(guī)模應(yīng)用于功率器件的襯底是價(jià)格較低的、低阻偏離c軸4度角生長(zhǎng)的單晶sic襯底、d級(jí)片（試片級(jí)）或多晶sic襯底。但是，沿c軸生長(zhǎng)的sic高阻襯底的價(jià)格遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于低阻偏離c軸4度角生長(zhǎng)的襯底。導(dǎo)致襯底成本占gan?hemt器件完整成本的主要部分。同時(shí)由于gan?hemt器件常做背面減薄與背金，用作襯底的幾百微米厚的沿c軸生長(zhǎng)的sic高阻sic襯底會(huì)被減薄至幾十至幾微米的厚度，多余的sic襯底會(huì)通過cmp技術(shù)磨除，不做利用，造成昂貴襯底材料的浪費(fèi)。
7、因此，傳統(tǒng)的gan?hemt器件的成本較高導(dǎo)致應(yīng)用場(chǎng)景受限，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需要解決的技術(shù)問題。
8、在
技術(shù)介紹
中公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本申請(qǐng)的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环Ngan?hemt器件的制備方法及gan?hemt器件，以解決傳統(tǒng)的ganhemt器件的成本較高導(dǎo)致應(yīng)用場(chǎng)景受限的技術(shù)問題。
2、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环Ngan?hemt器件的制備方法，包括如下步驟：
3、形成第二摻雜類型的sic材料的襯底；
4、形成單獨(dú)的沿c軸生長(zhǎng)的第一摻雜類型的sic外延片；
5、在所述sic外延片的正面形成第一摻雜類型的電場(chǎng)終止層；其中，所述電場(chǎng)終止層的摻雜濃度大于所述襯底的摻雜濃度；
6、在所述sic外延片中位于電場(chǎng)終止層下方的位置形成剝離層；其中，所述sic外延片中位于所述電場(chǎng)終止層和所述剝離層之間的部分作為電場(chǎng)承壓層；
7、將所述電場(chǎng)終止層的正面和所述襯底的正面鍵合在一起；
8、在所述剝離層處進(jìn)行剝離；其中，所述襯底之上為所述電場(chǎng)終止層，所述電場(chǎng)終止層之上為所述電場(chǎng)承壓層；
9、其中，所述電場(chǎng)承壓層之上是gan?hemt器件的外延結(jié)構(gòu)。
10、本申請(qǐng)還提供一種gan?hemt器件，包括：
11、第二摻雜類型的sic材料的襯底；
12、第一摻雜類型的沿c軸生長(zhǎng)的sic的電場(chǎng)終止層，形成在所述襯底之上；
13、第一摻雜類型的沿c軸生長(zhǎng)的sic的電場(chǎng)承壓層，形成在所述電場(chǎng)終止層11之上。
14、本申請(qǐng)由于采用以上技術(shù)方案，具有以下技術(shù)效果：
15、本申請(qǐng)的襯底的厚度較大，且在gan?hemt器件整個(gè)器件完成后，需要將襯底的背面進(jìn)行減薄。本申請(qǐng)中采用的成本較低的襯底，一方面作為支撐基礎(chǔ)，另一方面也是減薄的對(duì)象。
16、與現(xiàn)有技術(shù)中減薄工藝損失的厚度相比，本申請(qǐng)的gan?hemt器件的制備方法損失的剝離層的厚度很小。本申請(qǐng)中的電場(chǎng)終止層和電場(chǎng)承壓層起到承壓和電場(chǎng)終止的作用，因此，襯底、電場(chǎng)終止層、電場(chǎng)承壓層作為一個(gè)整體能夠?qū)?yīng)
技術(shù)介紹
中的高阻的sic襯底。
17、沿c軸生長(zhǎng)的sic外延片的生長(zhǎng)是成本較高的工藝，控制復(fù)雜。一次生長(zhǎng)形成的沿c軸生長(zhǎng)的sic外延片能夠?qū)崿F(xiàn)多次使用，每次使用制備一個(gè)和一批的gan?hemt器件，也能降低gan?hemt器件的制備成本，降低制備方法的復(fù)雜程度。
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1.一種GaN?HEMT器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN?HEMT器件的制備方法，其特征在于，在所述SIC外延片（12-0）的正面形成第一摻雜類型的電場(chǎng)終止層（11）的步驟，具體為：
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN?HEMT器件的制備方法，其特征在于，在所述SIC外延片（12-0）中位于電場(chǎng)終止層（11）下方的位置形成剝離層（13）的步驟，具體為：
4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN?HEMT器件的制備方法，其特征在于，將所述電場(chǎng)終止層（11）的正面和所述襯底（10）的正面鍵合在一起的步驟，具體為：
5.?根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的GaN?HEMT器件的制備方法，其特征在于，所述襯底（10）為單晶或多晶的襯底，且所述襯底為高阻襯底或低阻襯底；
6.?根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的GaN?HEMT器件的制備方法，其特征在于，所述襯底（10）為低阻的襯底；
7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的GaN?HEMT器件的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：
8.?一種?GaN?H
9.?根據(jù)權(quán)利要求8所述的GaN?HEMT器件，其特征在于，所述襯底（10）為低阻的襯底；
10.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的GaN?HEMT器件，其特征在于，還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種gan?hemt器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的gan?hemt器件的制備方法，其特征在于，在所述sic外延片（12-0）的正面形成第一摻雜類型的電場(chǎng)終止層（11）的步驟，具體為：
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的gan?hemt器件的制備方法，其特征在于，在所述sic外延片（12-0）中位于電場(chǎng)終止層（11）下方的位置形成剝離層（13）的步驟，具體為：
4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的gan?hemt器件的制備方法，其特征在于，將所述電場(chǎng)終止層（11）的正面和所述襯底（10）的正面鍵合在一起的步驟，具體為：
5.?根據(jù)權(quán)利要...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張曉宇，岳丹誠(chéng)，李星齊，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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