【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種濾波器及其形成方法、以及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、無(wú)線通信設(shè)備的射頻（radio?frequency，rf）前端芯片包括功率放大器、天線開(kāi)關(guān)、射頻濾波器、多工器和低噪聲放大器等。其中，射頻濾波器包括壓電聲表面波(surfaceacoustic?wave，saw)濾波器、壓電體聲波（bulk?acoustic?wave，baw）濾波器、微機(jī)電系統(tǒng)（micro-electro-mechanical?system，mems）濾波器、集成無(wú)源裝置（integrated?passivedevices，ipd）濾波器等。
2、saw濾波器的品質(zhì)因數(shù)值（q值）較高，由saw濾波器制作成低插入損耗、高帶外抑制的射頻濾波器。saw濾波器作為目前無(wú)線通信設(shè)備中使用較為廣泛的濾波器，高可靠性的saw濾波器可以延長(zhǎng)電子設(shè)備的使用壽命，擴(kuò)大使用范圍。
3、目前，saw濾波器的形成方法仍存在諸多問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供一種濾波器及其形成方法、以及電子設(shè)備，在提高濾波器的性能的同時(shí)，減少光罩的使用，降低生產(chǎn)成本。
2、為解決上述問(wèn)題，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供一種濾波器的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有叉指換能器以及位于所述叉指換能器側(cè)部的連接部，所述連接部電連接所述叉指換能器；在所述基底上形成保護(hù)材料層，所述保護(hù)材料層覆蓋所述叉指換能器、連接部和基底；在所述保護(hù)材料層上形成具有掩膜開(kāi)口的掩
3、相應(yīng)的，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例還提供一種濾波器，包括：基底；叉指換能器，位于所述基底上；連接部，位于所述叉指換能器側(cè)部的基底上，所述連接部電連接所述叉指換能器；保護(hù)層，覆蓋所述叉指換能器、連接部和基底，所述保護(hù)層中具有互連窗口，所述互連窗口暴露所述連接部的部分表面；焊盤(pán)，位于所述互連窗口中，所述焊盤(pán)的側(cè)壁與所述互連窗口的側(cè)壁相對(duì)準(zhǔn)，且所述焊盤(pán)與所述連接部電連接。
4、相應(yīng)的，本專(zhuān)利技術(shù)還提供一種電子設(shè)備，包括本專(zhuān)利技術(shù)任一實(shí)施例所述的濾波器。
5、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：
6、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供一種濾波器的形成方法中，在基底上形成覆蓋所述叉指換能器、連接部和基底的保護(hù)材料層；在所述保護(hù)材料層上形成具有掩膜開(kāi)口的掩膜層，所述掩膜開(kāi)口在所述連接部上的投影覆蓋所述連接部的部分表面；以所述掩膜層為掩膜去除所述掩膜開(kāi)口底部的保護(hù)材料層，在所述保護(hù)材料層中形成互連窗口，剩余的所述保護(hù)材料層作為保護(hù)層；在所述掩膜開(kāi)口中形成焊盤(pán)，所述焊盤(pán)還位于所述互連窗口中，所述焊盤(pán)的側(cè)壁與所述互連窗口的側(cè)壁相對(duì)準(zhǔn)，且所述焊盤(pán)與所述連接部電連接；本實(shí)施例中，在形成焊盤(pán)的制程中，以所述掩膜層為掩膜去除所述掩膜開(kāi)口底部的保護(hù)材料層，在所述保護(hù)材料層中形成互連窗口，隨后在所述掩膜開(kāi)口中形成焊盤(pán)，即本實(shí)施例只采用一張光罩就可以形成焊盤(pán)以及形成互連窗口，與采用兩張光罩分別形成焊盤(pán)和互連窗口的方案相比，減少了光罩的數(shù)量，相應(yīng)降低了生產(chǎn)成本，而且，提高了互連窗口和焊盤(pán)之間的對(duì)準(zhǔn)精度，從而有利于提高濾波器的性能；此外，由于先形成保護(hù)材料層再形成焊盤(pán)，因此所述保護(hù)材料層能夠?qū)λ霾嬷笓Q能器、連接部和基底起到保護(hù)作用，從而有利于在后續(xù)的工藝制成中降低所述叉指換能器、連接部或基底被損傷的概率，進(jìn)而提高了濾波器的性能。
7、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例還提供一種濾波器，包括：基底；叉指換能器，位于所述基底上；連接部，位于所述叉指換能器側(cè)部的基底上，所述連接部電連接所述叉指換能器；保護(hù)層，覆蓋所述叉指換能器、連接部和基底，所述保護(hù)層中具有互連窗口，所述互連窗口暴露所述連接部的部分表面；焊盤(pán)，位于所述互連窗口中，所述焊盤(pán)的側(cè)壁與所述互連窗口的側(cè)壁相對(duì)準(zhǔn)，且所述焊盤(pán)與所述連接部電連接；本實(shí)施例中，由于所述焊盤(pán)的側(cè)壁與所述互連窗口的側(cè)壁相對(duì)準(zhǔn)，且互連窗口位于保護(hù)層中，即本實(shí)施例只采用一張光罩就可以形成焊盤(pán)和互連窗口，與采用兩張光罩分別形成焊盤(pán)和互連窗口的方案相比，減少了光罩的數(shù)量，相應(yīng)降低了生產(chǎn)成本，而且，這也提高了互連窗口和焊盤(pán)之間的對(duì)準(zhǔn)精度，從而有利于提高濾波器的性能；此外，由于保護(hù)層覆蓋所述叉指換能器、連接部和基底，因此，所述保護(hù)層能夠?qū)λ霾嬷笓Q能器、連接部和基底起到保護(hù)作用，從而有利于在工藝制成中降低所述叉指換能器、連接部或基底被損傷的概率，進(jìn)而提高了濾波器的性能。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種濾波器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成保護(hù)材料層之后，在所述保護(hù)材料層上形成具有掩膜開(kāi)口的掩膜層之前，還包括：在所述保護(hù)材料層上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層暴露位于所述連接部的部分表面上的保護(hù)材料層；
3.如權(quán)利要求2所述的濾波器的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料包括聚酰亞胺、氧化硅、氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的一種或多種。
4.如權(quán)利要求2所述的濾波器的形成方法，其特征在于，所述連接部包括第一電極、以及位于所述第一電極兩側(cè)的第二電極，所述第一電極和第二電極分別與至少一個(gè)所述叉指換能器電連接；
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的濾波器的形成方法，其特征在于，所述連接部還包括第三電極，所述第三電極與至少一個(gè)所述叉指換能器電連接；
6.如權(quán)利要求2所述的濾波器的形成方法，其特征在于，提供所述基底的步驟中，所述基底包括芯片區(qū)以及環(huán)繞所述芯片區(qū)的外圍區(qū)，所述叉指換能器和連接部均位于所述芯片區(qū)中；
7.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在
8.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜開(kāi)口底部的保護(hù)材料層的工藝包括干法刻蝕工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，在所述掩膜開(kāi)口中形成焊盤(pán)的步驟包括：在所述掩膜開(kāi)口中形成焊盤(pán)材料層，所述焊盤(pán)材料層還覆蓋于所述掩膜層上；
10.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)材料層的步驟中，所述保護(hù)材料層至少包括調(diào)頻層。
11.如權(quán)利要求10所述的濾波器的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)材料層的步驟中，所述保護(hù)材料層還包括鈍化層，所述調(diào)頻層位于所述鈍化層的頂部。
12.如權(quán)利要求11所述的濾波器的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成保護(hù)材料層的步驟中，所述調(diào)頻層的材料包括氧化硅，所述鈍化層的材料包括氮化硅或氮氧化硅。
13.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料包括光刻膠。
14.一種濾波器，其特征在于，包括：
15.如權(quán)利要求14所述的濾波器，其特征在于，所述濾波器還包括：介質(zhì)層，位于所述保護(hù)層和焊盤(pán)之間。
16.如權(quán)利要求15所述的濾波器，其特征在于，所述連接部包括第一電極、以及位于所述第一電極兩側(cè)的第二電極，所述第一電極和第二電極分別與至少一個(gè)所述叉指換能器電連接；
17.如權(quán)利要求14~16中任一項(xiàng)所述的濾波器，其特征在于，所述連接部還包括第三電極，所述第三電極與至少一個(gè)所述叉指換能器電連接；
18.如權(quán)利要求15所述的濾波器，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料包括聚酰亞胺、氧化硅、氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的一種或多種。
19.如權(quán)利要求15所述的濾波器，其特征在于，所述基底包括芯片區(qū)以及環(huán)繞所述芯片區(qū)的外圍區(qū)，所述外圍區(qū)的基底頂部低于所述芯片區(qū)的基底頂部；
20.如權(quán)利要求14所述的濾波器，其特征在于，所述基底包括壓電基底或絕緣體上壓電基底。
21.如權(quán)利要求14所述的濾波器，其特征在于，所述保護(hù)層至少包括調(diào)頻層。
22.如權(quán)利要求21所述的濾波器，其特征在于，所述保護(hù)層還包括鈍化層，所述調(diào)頻層位于所述鈍化層的頂部。
23.如權(quán)利要求22所述的濾波器，其特征在于，所述鈍化層的厚度為30埃米至200埃米。
24.如權(quán)利要求22所述的濾波器，其特征在于，所述調(diào)頻層的材料包括氧化硅，所述鈍化層的材料包括氮化硅或氮氧化硅。
25.如權(quán)利要求21所述的濾波器，其特征在于，所述調(diào)頻層的厚度為20埃米至1000埃米。
26.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求14至25中任一項(xiàng)所述的濾波器。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種濾波器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成保護(hù)材料層之后，在所述保護(hù)材料層上形成具有掩膜開(kāi)口的掩膜層之前，還包括：在所述保護(hù)材料層上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層暴露位于所述連接部的部分表面上的保護(hù)材料層；
3.如權(quán)利要求2所述的濾波器的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料包括聚酰亞胺、氧化硅、氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的一種或多種。
4.如權(quán)利要求2所述的濾波器的形成方法，其特征在于，所述連接部包括第一電極、以及位于所述第一電極兩側(cè)的第二電極，所述第一電極和第二電極分別與至少一個(gè)所述叉指換能器電連接；
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的濾波器的形成方法，其特征在于，所述連接部還包括第三電極，所述第三電極與至少一個(gè)所述叉指換能器電連接；
6.如權(quán)利要求2所述的濾波器的形成方法，其特征在于，提供所述基底的步驟中，所述基底包括芯片區(qū)以及環(huán)繞所述芯片區(qū)的外圍區(qū)，所述叉指換能器和連接部均位于所述芯片區(qū)中；
7.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成保護(hù)材料層的工藝包括物理氣相沉積工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜開(kāi)口底部的保護(hù)材料層的工藝包括干法刻蝕工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，在所述掩膜開(kāi)口中形成焊盤(pán)的步驟包括：在所述掩膜開(kāi)口中形成焊盤(pán)材料層，所述焊盤(pán)材料層還覆蓋于所述掩膜層上；
10.如權(quán)利要求1所述的濾波器的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)材料層的步驟中，所述保護(hù)材料層至少包括調(diào)頻層。
11.如權(quán)利要求10所述的濾波器的形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)材料層的步驟中，所述保護(hù)材料層還包括鈍化層，所述調(diào)頻層位于所述鈍化層的頂部。
12.如權(quán)利要求11所述的濾波器的形成方法，其特征在于...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙林澤，李幸，張勛龍，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：中芯集成電路寧波有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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